日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 (潮光光耦網整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產的一種IGBT門極驅動光耦合器，其內部集成集電極發射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
TLP250包含一個GaA1As光發射二極管和一個集成光探測器，是8腳雙列封裝，適合于IGBT或功率MOSFET柵極驅動電路。TLP250的管腳如圖1所示，管腳接線方法如表1所示。---TLP250驅動
2012-06-14 20:30:08
等應與其高速開關特性相匹配，另外，在未采取適當的防靜電措施情況下，IGBT的G～E極之間不能為開路。 驅動電路分類 驅動電路分為：分立插腳式元件的驅動電路；光耦驅動電路；厚膜驅動電路；專用集成
2012-09-09 12:22:07
損壞器件之前，將IGBT關斷來避免開關管的損壞。 3 IGBT的驅動和過流保護電路分析 根據以上的分析．本設計提出了一個具有過流保護功能的光耦隔離的IGBT驅動電路，如圖2。圖2 IGBT驅動和過流
2012-07-18 14:54:31
IGBT5 的開關速度，穩壓二極管 VS1 、 VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e 端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應超過 20 V 。 光耦驅動電路 說明：由于 IGBT
2021-01-20 16:16:27
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Ciss。計算所得的IGBT導通柵極驅動阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關鍵之處在于，為了從MOSFET轉換到IGBT，必須對柵極驅動電路進行調節
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因為較高的di/dt會導致電壓尖脈沖、輻射和傳導EMI增加。為選擇正確的柵極驅動阻抗以滿足導通di/dt
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起。 除了選擇正確的二極管外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
光耦端的控制電流與功率管輸出驅動電流之比是用什么指標表示，其最大值是多少？(潮光光耦網整理編輯)2012-07-10 潮光光耦網解答：全部柵極驅動光耦合器都沒有CTR的放大特性。雖然所有柵極驅動光
2012-07-11 11:40:09
和發射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于器件的源極/發射極而言）。使用專門驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論柵極驅動器是什么，為何需要柵極驅動器，以及如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅動器，以及如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅動光電耦合器，可改善隔離電源并簡化柵極驅動設計。ACPL-302J具有用于DC-DC轉換器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT診斷，保護和故障報告功能
2018-08-18 12:05:14
穩定增長態勢。與此同時，為了滿足智能化和變頻化，家電對 MCU 提出了新的要求。尤其需要 MCU 集成觸摸控制、屏幕顯示等模塊，集成度更高。過去，最傳統、最成熟的驅動方案就是控制器、柵極驅動、功率級這三部
2022-06-02 18:50:38
ADI最新推出設計用于LTE(長期演進)和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動電信系統)標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網絡中第四代射頻技術的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
高集成度RF收發器SX1231的主要特性及應用有哪些？
2021-04-19 08:01:40
高集成度國標ETC射頻收發器應用系統，不看肯定后悔
2021-05-19 06:01:23
全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出兩款高集成度慣性傳感器，擴展了iSensor? 智能傳感器產品系列。這兩款產品極大地簡化了在惡劣工業環境中實現嵌入式沖擊和震動感應的復雜任務。
2019-09-02 08:19:54
打入工業和醫療市場的高集成度電源 IC
2019-09-20 11:01:07
應用需求，方便客戶應用于可穿戴設備等；集成度高，便于客戶應用。如有需求，請聯系。聯系電話：0512-86867301
2016-06-06 16:23:14
功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。 MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
二十年穩居全球第一位。 夏普專用于IGBT、MOSFET的驅動光耦采用了先進的工藝技術，具有絕緣電壓高、穩定性好、抗干擾能力強、共模抑制比CMR高等卓越的性能。多年來，在日本安川、三菱、富士、東芝等國際
2012-12-08 10:46:04
本文主要是對SX1276/77/78系列低功耗、高集成度收發器的功能進行概要敘述。
2021-05-17 06:17:11
，降低了88%。還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅動需要適當調整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
MOSFET驅動器采用專有的硅隔離技術，可為UL1577和VDE0884提供高達2.5 kVRMS的耐壓。該技術可以減少溫度和老化時的變化，更好的零件匹配和極高的可靠性。高集成度，低傳播延遲，小尺寸
2020-06-08 12:07:42
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
光耦驅動IGBT，PWM信號是單片機輸入的0和3.3伏。這個IGBT門極驅動電壓是10-15伏，我看它的數據手冊上的測試參數就用的22Ω的門極電阻。但是光耦燒壞了。數據手冊上寫著光耦供電電流是最大
2019-12-28 23:04:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
TLP250,TLP350,HCPL3120,FOD3120等低成本IGBT驅動光耦，在 一 般 較 低 性 能 的 三 相
2012-12-12 11:20:44
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
) 和 GFS可以通過IGBT的轉換特性曲線來確定，并應用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。計算所得的IGBT導通柵極驅動阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES
2017-04-15 15:48:51
。計算所得的IGBT導通柵極驅動阻抗為100Ω，該值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關鍵之處在于，為了從MOSFET轉換到IGBT，必須對柵極驅動電路進行調節。傳導損耗
2019-03-06 06:30:00
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
如圖所示，為什么光耦驅動MOSFET經常被燒壞？
2018-12-25 16:04:01
。 FOD8332引腳與現有解決方案兼容，由集成柵極驅動光電耦合器和低RDS CMOS晶體管組成，用于驅動IGBT的軌到軌和高速隔離反饋電路，用于故障檢測。它非常適合驅動快速開關功率IGBT和MOSFET
2019-04-30 09:06:13
。 FOD8333引腳與現有解決方案兼容，由集成柵極驅動光電耦合器和低RDS CMOS晶體管組成，用于驅動IGBT的軌到軌和高速隔離反饋電路，用于故障檢測。它非常適合驅動快速開關功率IGBT和MOSFET
2019-04-28 10:36:39
想問，本來打算用STM32IO口驅動光耦，然后光耦輸出端集電極接電壓，控制PMOS管導通。但是發現很多光耦，都有（需要）10-20V的電源電壓。光耦不是電流驅動就行了嗎。電流如果在其導通發光二極管范圍內，是不是就可以導通，不必看電壓大小了。
2018-05-08 09:52:29
腳的電流（1腳：電壓反饋引腳，通過連接光耦到地來調整占控比）。根據電流的大小，led電源驅動芯片（開關電源芯片）就會自動調整輸出信號的占空比，達到穩壓的目的。 以上芯片是一款高集成度、高性能
2012-12-07 13:59:26
分享一種高集成度的車載AM/FM接收器方案
2021-05-17 06:39:57
友恩半導體開關電源芯片基于高低壓集成技術平臺進行技術升級，未來三年將持續開發高功率、低功耗、高集成度等產品，公司在研項目正穩步推進：公司處于驗證完成逐步批量生產階段的在研項目技術水平較高；例如
2020-10-30 09:39:44
電路分為：分立插腳式元件的驅動電路；光耦驅動電路；厚膜驅動電路；專用集成塊驅動電路。本文設計的電路采用的是光耦驅動電路。IGBT驅動電路分析 隨著微處理技術的發展(包括處理器、系統結構和存儲器
2012-06-11 17:24:30
隨著無線寬帶系統的頻率帶寬越來越寬，基站性能的要求也越來越高。低噪放，作為基站塔放中的關鍵器件之一，它不僅影響基站的覆蓋范圍，而且也決定了其他鄰近基站的發射功率和雜散要求。安華高的高集成度低噪放
2019-07-30 06:18:48
基站對高集成度低噪放的要求是什么？
2021-05-21 07:05:31
這是我設計的一個單片機驅動光耦控制電機轉停的電路，大家看下電路設計對嗎？單片機在光耦驅動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
新突破。核心技術優勢：單顆無線充IC，高集成度，相容性強；無線方案電路簡單可靠，BOM成本低；支持多種通信協定：QC2.0/PD3.0/UFCS；多通道的電壓電流解調，解調能力強；支持驅動能力調節；支持
2023-02-14 15:36:04
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅動和電流源驅動的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出，在較慢的開關速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
器，能夠在 MOSFET 關斷狀態下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅動器，可輕松用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
如何采用FPGA提高廣播應用的集成度？
2021-04-29 06:04:54
導讀：日前，業內高性能硅方案的領先供應商安森美半導體開發出7款高集成度的三相智能功率模塊（IPM），此7款IPM所具備的高集成度特性能夠在提升白家電控制電路能效的同時并降低噪聲。 安森美的7款
2018-09-27 15:30:00
描述 PMP9461 是適合并網太陽能微型逆變器的參考設計，有完整的功率和柵極驅動器要求。此參考設計的主要目標是在柵極驅動器以及微型逆變器的偏置電源段實現集成度和性能的顯著增強。此解決方案具有
2018-09-10 09:20:30
ADuM140x(CMTI為100 kV/μs)總而言之，對于隔離式半橋柵極驅動器應用，事實表明，相對于基于光耦合器和脈沖變壓器的設計，基于變壓器的數字隔離器具有眾多優勢。通過集成極大降低了解決方案尺寸和設計復雜度，時序性能大大改善。通過電流隔離輸出驅動器和更高的CMTI進一步提高了魯棒性。
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
潮光光耦網特別提醒，以下型號高性價比選型或替代小貼片高速光耦TLP719，高隔離度電壓（5000V耐壓）, 高CMR ，速度達到1M，潮光光耦網新到6000PCS！IGBT驅動光耦 TLP250(F
2012-08-21 16:13:08
方案名稱：LED車燈驅動IC方案，高集成度做遠近光，高低亮品牌：AP自主研發AP5170LED車燈驅動方案優點AP5170車燈驅動方案高效率95%穩定可靠，內置溫度保護，短路保護功能，其工作頻率可達
2019-06-24 14:32:26
控制電路和一個并聯穩壓器，并且加入了有源ZVS控制和開燈檢測功能。作為同類解決方案中集成度最高的器件，FAN7710可協助設計人員減少元件數以簡化設計。FAN7710的高功能性和內置保護特性可節省
2018-08-28 15:28:41
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
5的開關速度，穩壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應超過20 V。2.2光耦隔離驅動電路 光耦隔離驅動電路如圖3所示。由于
2016-10-15 22:47:06
上并聯的二極管為加速二極管，用以提高IGBT5的開關速度，穩壓二極管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應超過20 V。2.2光耦隔離驅動
2016-11-28 23:45:03
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅動光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統的IGBT驅動器上增加了保護電路。可編程故障傳感去飽和檢測IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動:低功耗
2013-06-07 16:34:06
的魯棒性。雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年，但現代和未來的系統需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導體技術的進步，柵極驅動器IC的成本已可與分立電路相比，這使得IC解決方案對于大多數
2017-08-21 14:33:56
。 雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年，但現代和未來的系統需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導體技術的進步，柵極驅動器IC的成本已可與分立電路相比，這使得IC解決方案對于大多數應用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
，和MOSFET一樣，IGBT有一個柵極來控制該通路。作為雙極型器件，在標準的MOS IC工藝基礎上來制作IGBT是非常困難的;因此，IGBT一般是分立器件。IGBT同時具備了場效應管（FET）簡單柵極驅動
2016-01-27 17:22:21
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
研討會介紹了為何光耦柵極驅動器能被廣泛的接受和使用，這不僅是因其所具有的高輸出電流驅動能力，及開關速度快等長處之外，更重要的，它也具有保護功率器件的所需功能。這些功率器件的保護功能包括欠壓鎖定(UVLO
2018-11-05 15:38:56
驅動器，以及如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。為什么需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
器是什么，為何需要柵極驅動器，以及如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極和源極/發射極之間形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導
2018-11-01 11:35:35
摘要：IR2117是美國IR公司專為驅動單個MoSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點和參數限制，同時剖析了它的內部結構和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:46
56 IGBT 的柵極驅動是IGBT 應用中的關鍵問題。本文闡明構成IGBT 柵極驅動電路的注意事項，基本電路參數的選擇原則，還介紹丁幾種驅動電路實例。
2010-08-31 16:33:41213 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅動光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 FD6287 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT 設計，可在高達+250V 電壓下工作。
2019-01-18 08:00:00203 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅動設計
2019-05-07 06:34:002054 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驅動電路必須具備兩種功能：一是實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設計人員首先根據數據表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅動電路設計。基于柵極對源電容的RC值通常會導致柵極驅動嚴重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 中的功率消耗或損耗、發送到功率半導體開關 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅動器 IC 和功率半導體開關之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 驅動光耦產品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該器件主要用來實現逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結組成的集成
2023-10-19 17:08:14622 IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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