精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

2021碳化硅十大熱門(mén)事件盤(pán)點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

、耐高壓的特性被越來(lái)越多的車(chē)企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過(guò)會(huì)并成功上市 ? 天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域
2022-01-24 09:31:573816

中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強(qiáng)北二手iPhone價(jià)格大跳水

約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國(guó)內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來(lái)了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過(guò)40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:003759

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模急劇上漲,對(duì)于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過(guò)去一年里,海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤(pán)點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637

海外大廠搶灘2023,國(guó)內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點(diǎn),隨著電力電子行業(yè),包括電動(dòng)汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等新能源應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展,碳化硅功率器件因?yàn)楦咝省⒏吣蛪旱葍?yōu)勢(shì)受到了追捧,導(dǎo)致產(chǎn)能
2022-09-07 07:56:002422

8英寸襯底井噴,11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展

空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無(wú)論是從市場(chǎng)需求,還是
2023-12-12 01:35:001178

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。  但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

:Anode Metal  外延層:N- drift(輕摻雜),主要作用是承擔(dān)反向耐壓  襯底層:N+(重?fù)诫s),呈電阻特性,不具備電壓耐受能力  陰極金屬:Cathode Metal  圖(2)碳化硅
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)。現(xiàn)在,研究和開(kāi)發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來(lái)驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車(chē)、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車(chē)、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

降低到75%。    表 2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究  只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此,可以提高性?xún)r(jià)比,并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì),使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案。  該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類(lèi)似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

簡(jiǎn)述LED襯底技術(shù)

LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專(zhuān)利,只有科銳一家使用,成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低,但目前技術(shù)還不完善。  從LED成本上來(lái)看,用
2012-03-15 10:20:43

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車(chē)同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些?碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些?國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析:英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00138137

碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史及未來(lái)展望

碳化硅襯底生產(chǎn)的國(guó)外核心企業(yè),主要是美國(guó)CREE,美國(guó) II-VI,和日本昭和電工,三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場(chǎng)。技術(shù)上,正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過(guò)渡,8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054

總結(jié)國(guó)內(nèi)國(guó)內(nèi)碳化硅行業(yè)的真實(shí)現(xiàn)狀

碳化硅粉:5N湊合,6N有問(wèn)題;檢測(cè)體系不完善,大規(guī)模供應(yīng)這些近兩千臺(tái)爐子,年產(chǎn)幾百萬(wàn)片的幾十個(gè)襯底項(xiàng)目,真把爐子都開(kāi)起來(lái),粉料奇缺!低于$100/kg的高質(zhì)量6N碳化硅粉料源,低成本技術(shù)方案,奇缺! 3. 碳化硅長(zhǎng)晶/晶圓 - 4H導(dǎo)電,奇缺能上車(chē)的晶圓質(zhì)
2021-07-02 16:22:005437

簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專(zhuān)用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432797

國(guó)內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國(guó)內(nèi)車(chē)企,在車(chē)上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車(chē)載的OBC上用,后面是在車(chē)載彈簧、車(chē)載電控上面用,目前國(guó)內(nèi)碳化硅車(chē)型上,我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的,去年算上車(chē)載電控
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

億美元的新工廠。隨著新能源汽車(chē)的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開(kāi)。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872

意法半導(dǎo)體新廠2023年開(kāi)始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349

意法半導(dǎo)體將在意大利興建整合式碳化硅襯底制造廠

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:043658

介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程

相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065310

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133953

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來(lái)可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086

碳化硅模塊上車(chē)高濕測(cè)試

投建,我國(guó)初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到,國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征,未來(lái)五年將是整合期,車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件與國(guó)外公司還有較大差距。此外,碳
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶錠進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類(lèi)型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類(lèi)型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底

從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底
2023-06-20 15:01:24765

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733

碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國(guó)廠商能否搭上“早班車(chē)”

碳化硅襯底碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門(mén)檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:58690

8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量銷(xiāo)售

前來(lái)看,在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35234

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529

科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404

科友半導(dǎo)體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線

科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

三安光電碳化硅實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)

三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車(chē)企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:04411

碳化硅襯底,新能源與5G的基石.zip

碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403

碳化硅賽道“涌動(dòng)” ,國(guó)內(nèi)外巨頭抓緊布局

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測(cè)試等。從行業(yè)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看,碳化硅襯底市場(chǎng)目前以美國(guó)、日本為主和歐洲,其中美國(guó)是世界上最大的。
2023-12-04 16:29:32518

超40個(gè),碳化硅項(xiàng)目企業(yè)匯總

單晶生長(zhǎng),以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環(huán)節(jié),碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導(dǎo)體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561

晶盛機(jī)電:正式進(jìn)入碳化硅襯底項(xiàng)目量產(chǎn)階段

晶盛機(jī)電公司決定從2017年開(kāi)始,碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)(r&d)開(kāi)始,通過(guò)研究開(kāi)發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān),2018年,公司成功開(kāi)發(fā)了6英寸生長(zhǎng)碳化硅決定,2020年長(zhǎng)征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線建立。”
2023-12-06 14:08:17379

爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開(kāi)發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:37464

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864

江蘇丹陽(yáng)延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算,該項(xiàng)目完成后每年潛在銷(xiāo)售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787

全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽

  在全球范圍內(nèi),有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業(yè)
2024-01-25 14:01:22372

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國(guó)內(nèi)外主要廠商分布圖

中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝堋⒏吣陀眯噪娮悠骷枨蟮脑黾樱?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來(lái)越重要。
2024-02-27 10:28:51188

成功打入博世、英飛凌供應(yīng)鏈,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底收獲期來(lái)臨

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國(guó)內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長(zhǎng)期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品
2023-05-06 01:20:002328

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:342171

已全部加載完成