，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶(hù)的需求，進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊，及對(duì)應(yīng)電機(jī)控制器的開(kāi)發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對(duì)碳化硅功率模塊的開(kāi)發(fā)、測(cè)試及系統(tǒng)評(píng)估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來(lái)在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:47
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碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車(chē)充電更快，續(xù)航更長(zhǎng)
2022-09-23 18:31:407175 
青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。
2019-09-27 14:34:302336 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
，保證各大功率負(fù)載的正常運(yùn)行。同時(shí)在汽車(chē)驅(qū)動(dòng)模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機(jī)械性能優(yōu)良，能保證其長(zhǎng)久的使用壽命。根據(jù)時(shí)報(bào)，新能源汽車(chē)電源模塊至2020年市場(chǎng)空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。 功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí)，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢(shì)，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
`海飛樂(lè)技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車(chē)、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
上，對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無(wú)法滿(mǎn)足他們的要求，需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應(yīng)汽車(chē)需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類(lèi)電機(jī)系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少，同時(shí)可減少最高
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開(kāi)關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道，美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來(lái)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">新能源汽車(chē)、光伏及儲(chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車(chē)輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ?b class="flag-6" style="color: red">在正半周期（VAC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管。 當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線(xiàn)鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率；同時(shí)，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
既有新挑戰(zhàn)，也迎來(lái)了難得的發(fā)展機(jī)遇，要搶抓機(jī)遇，推動(dòng)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展再上新臺(tái)階。(圖片來(lái)源：中汽協(xié))新能源汽車(chē)包含大量高壓、大功率器件，如IGBT、MOSFET等對(duì)散熱都有較高要求，使得PCB的布置
2021-01-21 11:45:54
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車(chē)行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓?fù)涞男阅芴攸c(diǎn)以及在新能源汽車(chē)電源中的應(yīng)用，然后針對(duì)寬禁帶碳化硅MOSFET對(duì)兩種隔離DC/DC拓?fù)涞膽?yīng)用進(jìn)行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。 1、半橋兩并聯(lián)功率單元 該產(chǎn)品是青銅劍科技為基本半導(dǎo)體
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">新能源專(zhuān)場(chǎng)，在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)硅在一定時(shí)代還是占主導(dǎo)，基于各種優(yōu)勢(shì)是很大的增長(zhǎng)點(diǎn)，我們預(yù)測(cè)在未來(lái)的五年左右，碳化硅年復(fù)合增長(zhǎng)率會(huì)達(dá)到10%。右面的圖整體碳化硅通用和應(yīng)用市場(chǎng)，主要以二極管甚至包括碳化硅模塊，未來(lái)會(huì)多元化逐漸的占主導(dǎo)。
2020-09-06 10:51:553632 今年年初，小米公司推出的氮化鎵（GaN）快速充電器引爆了第三代半導(dǎo)體概念。實(shí)際上，除了在消費(fèi)電子領(lǐng)域備受期待的氮化鎵之外，第三代半導(dǎo)體的另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅（SiC）有著更為廣闊的應(yīng)用空間。受益于新能源汽車(chē)行業(yè)的快速發(fā)展，氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用即將迎來(lái)大爆發(fā)。
2020-12-14 11:46:514055 領(lǐng)域，其對(duì)新能源、光伏、通信等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)也起到了關(guān)鍵性作用。而其中，碳化硅是目前發(fā)展較為成熟的半導(dǎo)體材料，其工藝也逐漸精深并得到了廣泛的應(yīng)用。 近幾年在新能源汽車(chē)對(duì)碳化硅器件的大量使用趨勢(shì)下
2021-02-01 09:23:113265 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32
140 首款全系列封裝形式的650V碳化硅二極管產(chǎn)品，并受到海內(nèi)外眾多知名企業(yè)的認(rèn)可，應(yīng)用于工業(yè)制造和新能源及汽車(chē)領(lǐng)域。2018年，瑞能半導(dǎo)體推出了首款汽車(chē)用碳化硅產(chǎn)品，應(yīng)用于新能源汽車(chē)充電樁市場(chǎng)。可以說(shuō)，結(jié)合碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品，瑞能半導(dǎo)體早就做出了前瞻性布局，贏得了先機(jī)
2021-05-27 15:36:494130 
7月29日，基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車(chē)測(cè)試發(fā)車(chē)儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車(chē)輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835 
基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
高端數(shù)字化智能工廠(chǎng)。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn)，年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付，2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊，2025年之前將提升至150萬(wàn)只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來(lái)爆發(fā)期的新能源汽車(chē)碳化硅市場(chǎng)，提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797 
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商——上海瞻芯電子科技有限公司，近日宣布完成由小鵬汽車(chē)獨(dú)家投資的戰(zhàn)略融資。距離去年10月融資，短短數(shù)月，瞻芯電子再次獲得新能源汽車(chē)企業(yè)的投資
2022-03-22 13:52:052071 為提升新能源汽車(chē)整體性能，全球各大車(chē)企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間、減少整車(chē)重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:55909 億美元的新工廠(chǎng)。隨著新能源汽車(chē)的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè)，均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠(chǎng)間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開(kāi)。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。
2022-10-21 11:12:23897 。 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅較寬的禁帶寬度保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件，是電動(dòng)汽車(chē)、5G 基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的
2022-11-28 16:51:24498 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
采用其他材料來(lái)代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體，與單晶硅和砷化鎵等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，具有明顯的優(yōu)勢(shì)： （1）碳化硅具有高熱導(dǎo)率（達(dá)到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散熱效果好，理論上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:25770 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254 端市場(chǎng)，在太陽(yáng)能光伏、快充充電器等市場(chǎng)做的非常不錯(cuò)。薩科微半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“薩科微“）的目標(biāo)市場(chǎng)就瞄準(zhǔn)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)，薩科微創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生表示，“薩科微的碳化硅MOS管目前在新能源
2023-02-20 16:12:330 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-25 10:05:21460 
? 5月， SNEC第十六屆（2023）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國(guó)際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)
2023-05-15 10:04:53804 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
森國(guó)科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車(chē)系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車(chē)載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車(chē)載?DC/DC）和非車(chē)載充電樁。碳化硅功率器件應(yīng)用于電機(jī)
2023-07-03 11:13:13326 
聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈，國(guó)基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車(chē)用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái)，率先在新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)模化應(yīng)用，累計(jì)保障超過(guò)160萬(wàn)輛新能源汽車(chē)應(yīng)用需求。
2023-07-12 11:20:58316 羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠(chǎng) 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面
2023-07-30 15:50:14969 第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042 ? 隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車(chē)用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車(chē)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 目前汽車(chē)業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類(lèi)、控制類(lèi)、通信類(lèi)、計(jì)算類(lèi)、功率類(lèi)的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月，去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資，要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，特別是在新能源、電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導(dǎo)體材料的高載流子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效轉(zhuǎn)換。具體
2024-01-10 13:55:54272 ，高耐壓，高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。 一. 碳化硅MOSFET常見(jiàn)封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15412 
近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國(guó)際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成，標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:43100
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