PCB布線設計時寄生電容的計算方法
在PCB上布兩條靠近的走線，很容易產生寄生電容。由于這種寄生電容的存在，
2009-09-30 15:13:33
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在被測點阻抗較高時，即使該點僅有較小的電容，其帶寬也會受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中，由于各磁簧繼電器的寄生電容會在輸出端并聯，加大了輸出端的電容，使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:4721354 
首先，我們介紹設計寄生電容對三極管產生的影響；然后，我們學習上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009438 
我們應該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
EE工程師都會面臨MOSFET的選型問題，無論是功率級別應用的Power MOS還是信號級別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一定會給出MOSFET的三個結電容隨Vds電壓變化的曲線。
2023-12-05 17:32:552328 
寄生電容有一個通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導電結構之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應，其中傳播的信號表現得好像就是電容，但其實并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14868 
在MOS管中 寄生電阻、電感、電容過大過小可能對雙閉環電路產生的短路/短路故障，根據輸出的電壓波形做具體的分析判斷，可以倒推出MOS管中具體哪部分出的問題附件中列出了可能的故障類型，是否可以調節具體的參數來實現？ 謝謝
2020-05-23 23:48:06
記，一個簡單的識別方法是：（想像DS邊的三節斷續線是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。 小提示：MOS管中的寄生二極管方向是關鍵。5、常用的MOS管作為開關左右經典電路。
2019-09-11 10:27:48
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
**。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于**工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54
。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到
2011-11-07 15:56:56
串接了一個電容在其旁邊，如圖所示，由于MOS管背部存在寄生電容，這會影響到我們的MOS管的開關斷的時間。 故此，如果MOS的開關速度很快的情況下，建議選型優先考慮到本身MOS管器件的內部的寄生電容
2021-01-11 15:23:51
出現這個drop。（也就是不要出現對地回路就不會有這個現象）。麻煩問下這個是什么原因導致的（是否mos的輸出寄生電容過大？？可是為啥沒有對地回路就不會呢？？），如何規避？
2022-04-01 16:02:42
低頻下，所有三種電容器均未表現出寄生分量，因為阻抗明顯只與電容相關。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對低頻時開始表現出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達到某個相對高頻為止（電容器出現電感）。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32
電源紋波和瞬態規格會決定所需電容器的大小，同時也會限制電容器的寄生組成設置。圖1顯示一個電容器的基本寄生組成，其由等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL）組成，并且以曲線圖呈現出三種電容
2018-09-29 09:22:17
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么？焊接對無源器件性能的影響是什么？
2021-06-08 06:05:47
請問LED燈的阻抗計算方法是什么？
2020-03-06 14:43:47
在LTC6268-10芯片手冊中，為了減小寄生反饋電容的影響，采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請問，在這種工作方式下，為了使寄生電容降到最低，對電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎？
2023-11-16 06:28:44
MOSFET的工作波形。由于感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲
2018-11-21 15:52:43
感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區時間內被
2018-07-13 09:48:50
或者是通過TI官網UC3842手冊上的方法學習Rstart的計算方法。
2021-10-29 07:04:40
我用一個NPN三級管驅動一顆NMOS 輸入是PWM的方波 如圖 怎么在MOS管的G極變成了尖波輸入PWM信號MOS管G極各位大神幫我看看 難道是應為MOS管的寄生電容引起的 我要怎么改電路才能好點。
2016-03-04 12:58:23
在高壓回路中，正負極對地會產生一個寄生電容，而寄生電容與回路中的電阻會組成一個RC充放電電路。在使用國標電流橋檢測電路方法時，正負極對地的寄生電容和電阻的大小會影響到AD采集。在RC充滿的時間一般為3RC以上，在此過程中如何探討RC電路充滿電壓的時間？
2020-07-27 23:14:10
功率開關管功耗計算方法
2019-04-12 12:27:35
從開關節點到輸入引線的少量寄生電容（100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會因寄生問題而提
2019-05-14 08:00:00
大部分傳導 EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導致的。對于該討論主題的第 1 部分，我們著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發生的情況1. 只需
2022-11-22 07:29:30
開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動
2018-10-18 18:15:23
。好處是明顯的，應用時拋開了負電壓。 7、寄生電容 上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質的MOS管，膜越薄，寄生電容越大，經常MOS管的寄生電容達到nF級。這個參數是mos管選擇
2019-01-03 13:43:48
多以NMOS為主。 MOS管的三個管教之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的，寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。 在
2018-12-03 14:43:36
貼片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢？為什么溫度會影響晶振頻率呢？
2021-02-26 07:43:28
ESP8266的天線如圖，C1為2.4PF電容，C2和L1如何取值能得到39-j6Ω的阻抗，求計算方法
2019-03-14 11:11:12
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結構介紹
2021-04-07 06:58:17
和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS管。下面在立深鑫的介紹中，也多以NMOS管為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇
2018-10-26 14:32:12
的寄生電容和以下的因素相關：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
這個圖上的R1怎么取值，怎么選這個三極管，以及計算方法 ，我很急，謝謝大家幫幫我把。萬分感謝
2013-07-03 12:26:15
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
;strong>減小電感寄生電容的方法<br/></strong>如果磁芯是導體，首先：&
2009-12-23 16:07:01
請問伺服電機的選型計算方法是什么？
2021-09-28 08:45:32
阻抗計算方法，希望有所幫助
2013-06-10 16:58:32
的反偏壓結電容，可以合理地降低電源線上的連接寄生電容，這兒近一步探討這一應用，來分析下“二極管如何降低寄生電容？”。二極管參數——結電容在一些高速場合，需要選結電容比較小的二極管；在某些場合，則需
2020-12-15 15:48:52
鐵氧體電感器在較高頻率時可等效為“電阻、電感”的串聯支路與一寄生電容的并聯，該電容的存在對電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環形電感器2D平行平面場和3D
2009-04-08 15:45:17
66 寄生電容對電磁干擾濾濾器效能的影響
本文將針對交換式電源供應器在高頻切換所帶來的傳導性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問題，藉由不同繞
2010-06-19 16:30:3754 電容的串并聯計算方法
電容串聯后容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。計算公式是：C1*C2/(C1+C2) 電容并聯后容量是增大了，并聯耐壓數值按最小的計
2008-12-13 22:24:17119276 
一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動電流小，頻率特性好，跨導高度線性
2009-11-25 17:49:501003 一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動電流小，頻率特性好，跨
2009-11-27 09:24:23613 一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動
2010-01-11 10:24:051321 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線構之間總是有互容，互
2010-03-23 09:33:552558 傳輸線等效電容的計算方法
從題目的信息可以得出兩個信息：（1）這條傳輸線是高速線，沒有特殊說明，缺省阻抗應該是50歐姆；
2010-04-16 17:32:389201 甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法
2016-01-19 15:37:380 電磁干擾EMI中電子設備產生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？這里，我們先著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入
2018-05-18 01:17:002785 
超級電容容量及放電時間的計算方法
2017-03-01 13:05:0418 二極管以其單向導電特性，在整流開關方面發揮著重要的作用；其在反向擊穿狀態下，在一定電流范圍下起到穩壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結電容，能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個運用。
2017-03-21 11:31:303813 
升壓設計中最關鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件，可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關聯可引起大共鳴開關電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導致調節器顯示表現為義務的不穩定的操作
2017-05-02 14:15:4019 大家最熟悉的就是二極管的單向導電性，二極管如何減少寄生電容。正向接入方法，二極管接在信號線與附件功能模塊之間，這表示附加功能模塊使能時是高電平輸出的。
2017-09-23 09:40:099656 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5537300 
ADI公司的Matt Duff講解為什么運算放大器反相引腳的寄生電容會引起不穩定。
2019-06-11 06:11:004700 本文首先介紹了寄生電容的概念，其次介紹了寄生電容產生的原因，最后介紹了寄生電容產生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布電容強調的是均勻性。寄生跟強調的是意外性，指不是專門設計成電容，卻有著電容作用的效應，比如三極管極間電容。單點說，兩條平行走線之間會產生分布電容，元器件間在高頻下表現出來的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019503 
減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導體，首先：
用介電常數低的材料增加繞組導體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001 寄生電感一半是在PCB過孔設計所要考慮的。在高速數字電路的設計中，過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯電感會削弱旁路電容的貢獻，減弱整個電源系統的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計算一個過孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673 寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，一個電阻的串聯，低頻情況下表現不明顯，而高頻情況下，等效值會增大。在計算中我們要考慮進去。
2020-10-09 12:04:1734949 問題：為備用電源系統選擇超級電容時，可以采用簡單的能源計算方法嗎？答案：簡單的電能計算方法可能達不到要求，除非您將影響超級電容整個生命周期的儲能性能的所有因素都考慮進去。簡介在電源備份或保持系統中，儲能媒介可能占總物料成本（BOM）的絕大部分，且占據大部分空間
2020-12-25 19:34:25647 量C。 ⊿U是實際電源總線電壓所允許的降低，單位為V。 I是以A（安培）為單位的最大要求電流； ⊿t是這個要求所維持的時間。 去耦電容容值計算方法：推薦使用遠大于1/m乘以等效開路電容的電容值。 此處m是在IC的電源插針上所允許的電源總線電壓變化的最大百分
2021-04-06 10:59:062524 電子發燒友網為你提供硬開關轉換器中的寄生電容資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:48:3511 電子發燒友網為你提供二極管是如何減少寄生電容的？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:40:343 AN39-升壓變壓器設計中的寄生電容效應
2021-04-28 17:42:254 功率半導體的核心是PN結，從二極管、三極管到場效應管，都是根據PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
2022-03-30 10:43:449957 
的，今天我們就來講解一下，對于理想的MOS器件來說，我們只考慮器件本身，而不考慮MOS的寄生電容的話，那么是無需考慮驅動電流的大小的。相信大家都聽過一個名詞，叫寄生電容，也叫雜散電容，是電路中電子元件
2022-04-07 09:27:124967 
詳解MOS驅動電路功率損耗的構成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容 寄生電容： 本質上還是電容，滿足i=c*du/dt。 電容是用來衡量儲存電荷能力的物理量。根據
2022-07-27 14:23:5515292 
如圖，MOS管內部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因為寄生電容的存在，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
2022-08-25 09:47:265204 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結構上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
EMC計算方法概述2021/11/16大家好！我是ROHM的稻垣。本文是第16篇，從本文開始我們來談一談電磁兼容性（EMC）的計算方法和仿真。
2023-02-14 09:26:282228 可以減少器件的開關延遲。減少寄生電容的方法之一是設法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現。這種類型的方式過去已經用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容 [1-4]。本文中，我們將專注于前道工序 (FEOL
2023-03-28 17:19:08559 
和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關延遲。減少寄生電容的方法之一是設法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現。這種類型的方式過去已經用于后道工序(BEOL)中，以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中，
2023-06-02 17:31:46305 
本文要點寄生電容的定義寄生電容影響電路機理消除寄生電容的方法當你想到寄生蟲時，你可能會想到生物學上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內的有機體，從宿主身上吸取食物。從這個意義上說，寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:011733 
使用Coventor SEMulator3D?創建可以預測寄生電容的機器學習模型
2023-07-06 17:27:02187 
寄生電容有一個通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導電結構之間的虛擬電容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一種效應，其中傳播的信號表現得好像就是電容，但其實并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440 
電容可能會對電路的性能和穩定性產生影響。因此，在 PCB 布線設計中，充分了解寄生電容的產生原因和處理方法是非常必要的。 什么是 PCB 連線寄生電容 維基百科上對于 PCB 連線寄生電容的定義是“由于 PCB 上信號線之間的相互耦合而導致的電容效應”。
2023-08-27 16:19:441608 寄生電容對MOS管快速關斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設備，如功率放大器和開關電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244 MOS管噪聲計算方法 噪聲是電路設計和性能評估中的一個關鍵問題，特別是在高頻率和低功耗應用中。MOSFET是一種廣泛應用于各種電路的半導體器件。因此，正確計算MOS管噪聲是非常重要的。本文將介紹
2023-09-19 16:49:581117 第二個作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當我們斷電時，由于這個寄生電容沒有放電路徑，這個MOS管還會處于一個導通狀態，那么我們下次上電時，這個導通狀態就是不受控制的，也會造成MOS管擊穿
2023-10-21 10:38:161001 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
EMC計算方法和EMC仿真（1） ——計算方法簡介
2023-12-05 14:56:08384 
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 
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