根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年,SiC的市場規模將達19.3億美元。
2020-04-03 18:26:1314945 賽事、場館參觀活動,也開始應用RFID作為門票防偽、安保、資產管理與溯源的保證。 2015年市場規模將達373億元 雖然中國RFID行業在過去的幾年間經歷過了一段高速的成長期,但在2008年全球
2014-04-16 09:27:36
2016上海世界移動大會期間,中國移動物聯網公司副總經理喬輝向第一財經等媒體表示,預計到2020年,中國移動將實現1000億元收入規模,實現50億互聯網連接數。 據中國移動預測,到2020年
2016-06-30 14:54:26
據有關數據顯示,2014-2017年,我國MEMS壓力傳感器市場規模呈穩步上升的趨勢,其年復合增長率為11.46%。2017年我國MEMS壓力傳感器市場規模為32.4億元,同比去年增長12.5
2018-12-17 11:30:50
銷售量為6.63億臺,預計到2023年這一數字將增加到19.4億臺。
報告稱:“2018年,智能家居相關硬件,服務以及安裝等費用總支出將達到近960億美元,預計到2023年,達1550億美元,年
2018-06-12 09:25:21
;Associates(全球連接器市場調研機構)預測,2025年,全球汽車連接器市場規模可達194.52億美元,其中,中國的汽車連接器市場就獨占其中的23%,規模約為44.68億美元。中國汽車
2023-05-22 15:31:10
2018年全球光通信器件市場規模達108.4億美元,同比2017年增長9.0%,預計2022年將達到141.47億美元,全球光通信市場正處于高速發展期。移動互聯網、物聯網、云計算和三網融合等新型
2020-03-24 15:44:18
SIC73-560 - Low Profile (2.5mm max, height) SMD type - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
員已經在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀察到系統級價格的顯著優勢,并且我們預計隨著150 mm晶圓的規模經濟,SiC MOSFET的價格將繼續下降。 圖7:在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級測試 求助:需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充電器等的功率因數校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
2019-04-22 06:20:22
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展,性能有望進一步提升。從下一篇開始,將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點,但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。< 相關產品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
電導率調制,向漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
vs IF)、以及正向電壓與抗浪涌電流特性(VF vs IFSM)比較圖。第2代SiC-SBD通過改善制造工藝,保持了與以往產品同等的漏電流和trr性能,同時將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優異的設計?SiC46x的主要應用領域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
電導率調制,向漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項,在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項:柵極誤導通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
實現“充電5分鐘,續航超200公里。”極氪智能旗下威睿電動汽車技術有限公司正式發布了600kW超充技術,并已實現量產,據稱可實現充電5分鐘續航里程增加300公里。哪吒汽車發布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
輸出電流:50mA輸出功率耗散:150mW操作溫度:-55~100℃儲存溫度:-55~125℃焊接溫度:260℃想了解更多億光光耦,可登陸超毅電子官網查看:www .chaoyi1688 .com`
2015-04-20 14:59:41
的份額。數據顯示,如果AMD和賽靈思達成協議,今年迄今規模最大的交易中,將有三筆來自半導體行業。另外兩筆分別是ADI斥資200多億美元收購Maxim,9月份英偉達斥資400億美元收購軟銀集團旗下的英國芯片
2020-10-10 15:41:19
和GaN的特性比較 氧化鎵(GaO)是另一種帶隙較寬的半導體材料,GaO的導熱性較差,但其帶隙(約4.8 eV)超過SiC,GaN和Si,但是,GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發工作。系統參與者
2022-08-12 09:42:07
據國外媒體報道,調查機構In-Stat預測稱,移動計算設備,包括平板電腦、上網本和筆記本電腦的出貨量將保持19.1%的年復合增長率,到2014年總出貨量將超過4億部。 “盡管面臨著來自低端互聯網
2011-03-03 16:33:50
出貨量成長將趨緩。 IC Insights指出,MCU市場銷售額在2015年幾乎沒有成長,幅度不到0.5%,但金額規模卻達到了略高于159億美元的新高紀錄,主要是因為MCU出貨量成長了15%,在去年
2017-05-24 09:20:40
5.405億美元,年復合增長率(CAGR)超過18%。此外,IHS Markit的研究表明,預計SiC MOSFET器件到2025年將產生超過3億美元營收,幾乎達到肖特基二極管的水平,成為第二大暢銷SiC分立
2018-10-23 16:22:24
技術領域都擁有強大的優勢,雙方保持著技術交流并建立了合作關系。今后,通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術與Apex Microtechnology的模塊技術完美結合,雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統解決方案,從而持續為工業設備的效率提升做出貢獻。
2023-03-29 15:06:13
SuperData數據顯示,在2016年VR軟件4.07億美元銷售額中,72%來自游戲。到2020年,這個百分比將降至41%,屆時企業、媒體以及其他VR軟件將會崛起。再加上硬件收入,預計2020年VR
2016-12-15 14:32:33
國際市場研究機構ReportsnReports日前發布智能電網研究報告稱,2017年,全球智能電網市場規模預計將達到208.3億美元。隨著***政策扶持,立法授權,以及對智能電表部署的激勵將進一步
2018-01-24 14:32:00
半導體行業發展概覽WSTS 預測,2023年全球半導體市場規模將同比減少4.1%,降至 5,566億美元,但這一波下行周期有望在2023年下半年出現拐點,受益于國際行情,中國半導體市場占全球半導體
2023-03-17 11:08:33
%,精品網絡初步建成。據統計,截至2011年底,TD-SCDMA規模產業化已帶動近萬億規模投入,直接和間接拉動GDP計5000億元人民幣,創造就業崗位43萬多個。預計2013年,TD-SCDMA將步入完全依靠
2013-03-16 14:19:56
半導體行業發展概覽WSTS 預測,2023年全球半導體市場規模將同比減少4.1%,降至 5,566億美元,但這一波下行周期有望在2023年下半年出現拐點,受益于國際行情,中國半導體市場占全球半導體
2023-03-17 11:13:35
要充分認識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
電網產業發展情況。據悉,今年南京智能電網產值突破500億元,2015年產業規模達1000億元,躋身于國內第一方陣。 位于江寧的中電光伏是一家生產太陽能電池的企業,電池片產能躋身于國內同類企業前列
2012-06-05 15:52:28
我在 SPC560 MCU 中使用了 PWM,此外 ws2811 可尋址 LED 還需要 DMA。如何將 PWM 與 DMA 結合使用。
2023-01-04 08:02:13
到千億規模。可能有些朋友不太了解大規模特征是怎么來的,舉個簡單的例子,假設你有百萬的商品,然后你有幾百個用戶側的profile,二者做個交叉特征,很容易規模就過10億。特征規模大了之后,需要PS才能訓練
2018-11-19 09:35:28
,預計2021-Q1逐步上量,二期150億只/月產能將在2021年底建成,屆時公司產能規模將達到250億只/月。核心技術團隊實力配合,整合配套能力強 作為以自主研發設計、生產制造、銷售及技術服務為主
2021-12-31 11:56:10
12月14日工信部通信發展司司長張峰在2012廣東互聯網大會上表示,截至今年三季度,我國網民規模達到5.50億人,互聯網普及率達41.1%。電子商務交易額突破5萬億元,同比增長13.7
2012-12-24 15:37:44
導讀:根據IDC本周三發布的最新一期報告,受智能手表和智能服飾的推動,2021年全球可穿戴市場規模將翻番,智能手表出貨量將達到1.61億塊。
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IDC在報告中稱,隨著
2017-06-27 09:32:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:38 編輯
在“2011NFC技術與移動支付論壇”上,支付寶無線事業部總經理諸寅嘉表示,目前支付寶交易賬戶已超6億,去年
2011-10-27 20:09:22
看到的高科技工具,離普通老百姓的生活越來越近。據專家預測,到2018年,全球無人機市場規模將會攀升到10億美元以上。 而在無人機和機器人的控制中,傳感器起了至關重要的作用。近年來,全球傳感器市場一直
2016-06-03 10:30:10
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來5年無線充電設備市場規模將達135億,你看好嗎? 無線充電是近幾年的熱點技術,但卻一直因為標準的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入,但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
可謂是魚龍混雜。所以,廣州超毅電子在此提示led燈具廠商在選購led燈珠光源時要注意對其公司的詳情做一個了解,而避免上當受騙。億光2835貼片LED品牌:億光電子(Everlight)產品尺寸
2015-12-24 14:04:17
以上。預計到2025年,全球物聯網總連接數規模將達到246億。通常情況下,每增加一個物聯網連接數,將增加1-2個無線模組。 物聯網連接數量的增加帶動物聯網行業對無線模組的需求。據統計數據,2019年
2021-02-02 17:08:03
和更廣泛的封裝選擇將出現,以適應更高電壓和功率等級的應用范圍。 例如,最新的共源共柵超快速(常關型SiC-FET)與IGBT或Si-MOSFET一樣易于驅動和使用,但在速度及較低靜態和動態損耗方面
2023-02-27 14:28:47
方面的所有課題。而且,與傳統產品相比,單位面積的導通電阻降低了約30%,實現了芯片尺寸的小型化。另外,通過獨創的安裝技術,還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝,使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
個月的研發合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內容,并聚焦在有關SiC技術和封裝的創新。WInSiC4AP聯盟由來自4個歐盟國家(意大利、法國、德國和捷克共和國)的20個合作伙伴組成,包括大型企業
2019-06-27 04:20:26
CECT S560驅動下載.rar
2010-01-21 16:50:383 RTU560遠方終端單元數據手冊總線接口模塊560BCU01
2010-08-17 16:34:5621 RTU560數據手冊通信單元模塊560CMU02
2010-08-18 18:47:089 RTU560數據手冊通信單元模塊560CMU04
2010-08-18 18:48:108 RTU560遠方終端單元數據手冊電源模塊560PSU40
2010-08-18 19:10:3923 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類:一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 MDE-14D560K
2017-03-04 17:52:581 寶駿560由于個性的外觀、不俗的空間以及較高的性價比成為了不少年輕人的購車首選。在一部分人的印象里,寶駿560就是裹著漂亮外衣的面包車。而在今年年初,寶駿560在16款的基礎上推出了改款律動版,著重升級了獨立后懸掛,這也是寶駿有史以來第一次獨立后懸的嘗試。這次我們特意將它升起,看看它的底盤表現如何。
2018-07-18 14:49:004517 近日,英飛凌與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。英飛凌此舉無疑是看到了SiC廣闊的市場規模,據Yole預測,SiC
2020-12-29 16:12:162786 HMC560A Gerber Files
2021-01-28 14:58:280 DC560A-設計文件
2021-04-11 13:05:170 HMC560數據表
2021-04-25 19:20:110 能將達50萬輛,上海廠計劃年底產能50萬輛,使其總產能規模近100萬輛,相當于Tesla一年平均約要50萬片6英寸SiC。而目前全球SiC硅晶圓總年產能約在40—60萬片,如此就消耗掉全球當下SiC
2021-04-29 10:13:141205 ABB RTU560通信單元模塊560CMU02資料。
2021-05-18 09:58:373 DC560A-模式
2021-05-22 21:07:257 DC560A-演示手冊
2021-05-23 17:49:060 ABB-RTU560實時時鐘模塊560RTC01資料免費下載。
2021-05-24 10:16:417 HMC560 S參數
2021-06-04 19:02:300 DC560A-設計文件
2021-06-11 19:26:001 貼片工字電感SP73-560K ,電感值560μH
2022-05-28 09:49:120
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