SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07
1135 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131122 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19831 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內。
2023-12-13 11:40:561156 
羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品。
2022-03-09 09:33:582696 
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
和熱量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。?dV/dt是單位
2022-07-26 18:06:41
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
，MOSFET的體二極管是具有pn結的二極管，因而存在反向恢復現象，其特性表現為反向恢復時間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試，結果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
通和關斷狀態之間轉換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應用溫度可達到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
閾值電壓穩定性以及工藝增強和篩選，以確保可靠的柵極氧化物和完成器件認證。從本質上講，SiC社區越來越接近尋找圣杯。 今天的MOSFET質量 在過去兩年中，市售的1200 V SiC MOSFET在
2023-02-27 13:48:12
的雪崩耐用性評估方法不是進行典型的UIS測試（這是一種破壞性測試），而是基于對SiC功率MOSFET的全面表征，以更好地了解其穩健性。因此，在1200V160mΩSiCMOSFET上進行重復UIS
2019-07-30 15:15:17
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。
2019-03-25 06:20:09
LLC半橋諧振電路中，根據這個諧振電容的不同聯結方式，典型LLC諧振電路有兩種連接方式，如下圖1所示。不同之處在于LLC諧振腔的連接，左圖采用單諧振電容（Cr），其輸入電流紋波和電流有效值較高，但布線簡單，成本相對較低；右圖采用分體諧振電容（C1,]LLC半橋諧振電路基本原理
2019-12-10 15:45:35
前言??上篇中詳細闡述了經典的自抗擾控制算法的原理，本篇將圍繞兩種ADRC算法展開，針對擴張狀態觀測器的參數整定問題進行詳解，同時，對跟蹤微分器的幾個重要應用進行介紹。兩種典型的ADRC算法??自抗
2021-09-07 08:02:01
AMC1200后工作正常。2）失效的兩顆AMC1200用在同一臺機器中，用于電流采樣，該項目AMC1200單機用量為2Pcs。3）失效現象：隔離兩側擊穿，兩側電源，輸入輸出均已短路。同側端的電源和地也
2019-02-27 10:43:39
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導體材料，GaO的導熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發工作。系統參與者
2022-08-12 09:42:07
JFET短路失效是什么原因
2017-09-05 09:58:04
在開機以及過載時的一個主要失效模式，這個話題有文章有講過，但是很多工程師并沒有刻意去了解過，今天再用中文總結一下。對于小功率的LLC，多以半橋為主，簡單的示意圖如下。 兩種工況，先看剛開機的情況，剛上
2016-12-12 15:26:49
的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
，ID為40A，具體參數可到羅姆官網下載datsheet，這里不多余介紹。評估板上默認是沒有焊接SIC MOSFET的，預留了兩種不同封裝的孔位。羅姆推薦評估的是TO-247-4L封裝的，那么我也同樣先
2020-05-09 11:59:07
在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以
2018-08-15 17:06:21
包括：靜電、電流和溫度。靜電放電可釋放瞬間超高電壓，給LED芯片帶來很大的危害，ESD導致的LED芯片失效分為軟失效和硬失效兩種模式。由靜電帶來的高電壓/電流導致LED芯片短路成為硬失效模式。LED芯片
2018-02-05 11:51:41
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統穩定性
2017-12-18 13:58:36
大家好，我是痞子衡，是正經搞技術的痞子。今天痞子衡給大家講的是嵌入式開發里的project文件。前面兩節課里，痞子衡分別給大家介紹了嵌入式開發中的兩種典型input文件：源文件(.c/....
2022-02-16 06:19:49
模型并建立篩選機制來消除潛在的失效可能***）。除了TDDB外，當正常器件使用時，由于半導體-氧化界面處缺陷的產生或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓會有漂移現象，閾值電壓的漂移可能對器件長期運行
2022-03-29 10:58:06
。目前，ROHM正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。以下整理了現有機型產品陣容和主要規格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個驅動板的失效，甚至存在起火的風險。本文提出兩個冗余驅動線路，可以有效避免MOS單點失效的負面影響。圖1：典型的有刷電動工具驅動系統如圖2所示
2022-11-04 06:51:34
模式，第二種是短路模式。開路模式主要發生在MOV流過遠遠超出自身承受的浪涌電流時，通常表現為氧化鋅壓敏電阻本體炸裂，但這種模式不會引起燃燒現象。短路模式大體上可分為老化失效和暫態過電壓破壞兩種
2016-01-13 11:29:04
` 誰來闡述一下雙絞線分為哪兩種？`
2020-03-16 17:03:31
` 誰知道雙絞線分為哪兩種？`
2019-12-31 15:53:14
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現電學失效現象：共16個器件，其中5個正常，11個失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀，送測樣品圖如下：金鑒工程師隨機抽取其中一個漏電失效MOS管器件芯片樣品進行
2018-11-02 16:25:31
晶體具有兩種諧振模式：串聯(兩個頻率中的低頻率)和并聯(反諧振，兩個頻率中的高頻率)。所有在振蕩電路中呈現純阻性時的晶體都表現出兩種諧振模式。在串聯諧振模式中，動態電容的容抗Cm、感抗Lm相等且極性
2019-05-29 08:10:57
有沒有智能電表方面的高手啊？我想請教下，智能電表中的電子元器件一般會出現一些什么樣的失效現象？失效原因一般是什么？非常感謝。
2013-03-08 10:11:21
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。其溝槽星結構的優勢如下（圖片來源網絡）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性。相比GAN, 它的應用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
，隔離故障，系統功能正常。本文給出兩種MOS的冗余驅動線路，可以有效避免MOS單點故障造成的影響，在MOS的DS、GD、GS、GDS短路等條件下，雙管冗余驅動可以保證系統功能正常，阻斷故障點的擴大。同時四管冗余驅動，可以保證系統在MOS的任意單點故障下，隔離故障，系統功能正常。
2022-01-18 07:00:00
的一半。開關損耗是另一個可以優化的部分，如［3］所示。為了驅動 ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅動器。STGAPxx MOSFET驅動器有兩種不同的規格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性，在驅動設計中考慮短路保護功能，提高系統可靠性。
2018-06-15 10:09:3825161 
LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結構上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么， LED失效的模式和物理機制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進行討論。
2018-07-12 14:34:007910 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。典型應用包括DC-DC轉換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:403763 近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 雖然如今設計的典型工業級IGBT可以應付大約10μs的短路時間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個基本缺陷。但通過更為詳細的背景分析
2021-01-26 16:07:334734 
本文以金鑒自研發的顯微紅外定位系統來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對比定位效果，然后用FIB做定點截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。
2021-07-16 10:24:361573 MOSFET的失效機理 本文的關鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區”。 ?需要在SOA范圍內使用MOSFET等產品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072571 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:223960 
我們都知道，IGBT發生短路時，需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數來進行調節，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因為過熱而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力較小，根本原因也是因為熱，是在于短路事件前后的溫度分布不合理！
2022-08-07 09:55:312678 由于其極低的開關損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設備是否是實際電源轉換應用的實用解決方案時，它們的短路魯棒性長期以來一直是討論的話題。
2022-08-09 09:39:511009 
SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201070 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29506 在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23354 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20316 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032176 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08865 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:103050 
、線路短路等，但最終的失效都可歸結為電擊穿和熱擊穿兩種，其中電擊穿失效的本質也是溫度過高的熱擊穿失效。目前對IGBT芯片失效的研究主要集中在對引起失效的各種外部因素，如過電壓、過電流、過溫等進行分析上，
2023-02-22 15:05:4321 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18447 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0480 MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此，不僅要準確了解產品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07675 IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT）
2023-05-30 11:27:261612 
想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關我開，你開我關
2023-05-30 11:35:072232 
樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結合器件結構、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等。一、界面空洞引發TVS二極管短路的典型的原因是管芯與
2022-05-09 11:32:143087 
電機繞組發生匝間短路，會有以下現象：
2023-07-24 11:00:331109 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071173 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21542 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26182 保護器件過電應力失效機理和失效現象淺析
2023-12-14 17:06:45321 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系，環境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關重要。
2023-12-05 17:14:30355 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52293 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13783
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