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電子發燒友網>模擬技術>英飛凌推出CoolGaN雙向開關和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系統的性能和成本效益

英飛凌推出CoolGaN雙向開關和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系統的性能和成本效益

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2018-04-17 17:57:001945

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統成本

大聯大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統成本
2018-04-23 16:18:003764

GaN功率器件市場趨熱 英飛凌新方案細節曝光

CoolGaN英飛凌GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)系列產品。最近該公司推出了兩款進入量產的產品——CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN開關管專用驅動IC GaN
2018-12-06 18:06:214746

如何使用Coolgan進行英飛凌2500W PFC全橋圖騰桿功率因數校正

這是一個應用說明,專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高壓MOSFET驅動程序。
2019-03-08 08:00:0011

關于音頻系統設計的方法分享和研究

英飛凌MERUS D類音頻放大器功放解決方案適用于各類便攜式/電池供電、家用和專業音頻設備。該產品組合的功率范圍為每通道20W至2kW,包含最小巧的單芯片器件和多芯片模塊(MCM),以及由強大
2019-09-23 14:46:062850

關于大陸集團開發的48 V輕混系統性能分析和應用

通過芯片嵌入式工藝,功率MOSFET將不再焊接到電路板上,而是集成在電路板中。主管英飛凌汽車MOSFET業務的Frank Findeis博士表示:“由此帶來的熱性能效益有助于提高功率密度,而電路板集成則助力提升系統可靠性。這些優勢又能幫助提高48 V系統功率成本效率。
2019-09-23 09:46:062231

Sense Photonics推出Flash激光雷達 開啟了全固態深度傳感的新時代

據了解,Osprey 是 Sense Photonics 推出的第二款激光雷達。去年 10 月,該公司曾推出一款工業用固態 Flash 激光雷達系統,該系統提高了整個行業內的高分辨率數據輸出性能標準。同年 6 月份,該公司在 A 輪融資中籌集了 2600 萬美元。
2020-01-15 15:02:002034

這趟“高效節能”車沒有老司機,全靠英飛凌功率技術帶你飛!

什么樣的MOSFET才適合儲能系統英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET產品系列,幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251079

一款高性能、低成本的原邊控制功率開關

U62113 電源ic是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關,內置高壓功率三極管,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應用。采用 U62113 可以工作無異音,同時可保證優異的動態性能。利用集成的線損補償功能,可獲得高性能的恒壓輸出表現。
2022-07-07 15:51:151122

英飛凌CoolGaN技術開啟電力電子新時代?

英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶對應技術相結合。基于市場上已經推出的 CoolSiC? 技術,英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案,這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11912

USB-PD 3.1 EPR 140W高功率密度解決方案

隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加,英飛凌針對28V輸出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了長期以來的100W功率限制,最高功率可達到140W,進一步提高筆記本的充電效率,可以滿足更大功率
2022-11-07 16:28:311223

英飛凌采用第二代MERUS?多電平開關技術的全新2 x 37 W音頻放大器

電平開關技術,旨在降低開關損耗以及在低輸出功率和高輸出功率下均實現高效的音頻放大性能,為此類應用帶來顯著優勢。 英飛凌推出采用第二代MERUS?多電平開關技術的全新2 x 37 W音頻放大器系列 2022年11月25日,在為消費級音箱應用設計電池
2022-11-30 17:20:44615

如何提高開關電源EMC性能

系統的可靠性和穩定性。本文將從以下幾個方面介紹如何提高開關電源的EMC性能。 一、優化開關電源的設計 選擇合適的拓撲結構:開關電源的拓撲結構對EMC性能有很大影響。一般來說,反激式、正激式和LLC等拓撲結構具有較高的EMC性能。在設
2023-12-30 16:35:00805

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49553

大聯大推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案

2024年1月4日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01412

英飛凌推出TDM2254xD系列雙相功率模塊

隨著人工智能(AI)技術的飛速發展,全球數據生成量呈現爆發式增長,進而推動數據中心對高效、可靠且成本優化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求,英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數據中心提供卓越的基準性能,并有效降低總體擁有成本
2024-03-12 09:44:23376

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新
2024-03-12 08:13:02260

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上
2024-03-20 08:13:05288

微型逆變器綜述與英飛凌解決方案

,進一步減小電感、電容尺寸。特別對于交流側的雙向開關英飛凌即將推出基于GaN的雙向開關BDS,在單晶圓上實現可以進一步減小尺寸與封裝成本
2024-06-11 12:38:29206

英飛凌攜手酷冷至尊推出功率電源系列

的領軍廠商英飛凌科技攜手,共同推出了X series旗艦級高功率電源系列,以滿足市場對高功率與靜音性能的雙重要求。
2024-06-15 16:07:33365

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進電源應用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00146

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