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電子發燒友網>PCB設計>布線技巧與EMC>真空蝕刻技術

真空蝕刻技術

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【AD問答】關于PCB的蝕刻工藝及過程控制

(這些即是他們的產品具有高反應能力的技術秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上。[hide]由于蝕刻反應過程中生成大量的一價銅離子,又由于一
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詳談PCB的蝕刻工藝

即是他們的產品具有高反應能力的技術秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上?! ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻反應過程中生成大量的一價銅離子,又由于一價銅離子
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在PCB堿性蝕刻中常見的問題的原因和故障解決方法

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蝕刻機配件有哪些_蝕刻機配件清單

本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途,其次闡述了蝕刻機的配件清單,最后介紹了蝕刻機的技術參數及應用。
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PCB真空蝕刻技術詳細分析,原理和優勢詳細概述

地描述,但實際上蝕刻技術的實現還是頗具有挑戰性,特別是在生產微細線路時,很小的線寬公差要求,不允許蝕刻過程存在任何差錯,因此蝕刻結果要恰到好處,不能變寬,也不能過蝕。
2018-08-12 10:29:499586

PCB蝕刻過程中應該注意的問題

蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數可達到4。近來的研究表明,以硝酸為基礎的蝕刻系統可以做到幾乎沒有側蝕,達到蝕刻的線條側壁接近垂直。這種蝕刻系統正有待于開發。
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蝕刻的工藝流程及注意事項

蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173

蝕刻機的工作原理及應用范圍

蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區域的保護摸去處,在蝕刻時接觸化學溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
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蝕刻簡介

PCB,電路板,基板上面如何出現電路呢?這就要蝕刻來實現。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層需要
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一文淺談PCB真空蝕刻技術

先進的真空蝕刻技術所代替。 一、PCB 蝕刻定義 蝕刻:將覆銅箔板表面由化學藥水蝕刻去除不需要的銅導體,留下銅導體形成線路圖形,這種減去法工藝是當前印制電路板加工的主流。 二、 蝕刻的關鍵是蝕刻溶液、蝕刻操作條件和
2022-12-26 10:10:331688

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產加工對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031008

PCB蝕刻機的原理及其工藝流程的介紹

蝕刻機的基礎原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去,形成線路。蝕刻有內層蝕刻和外層蝕刻,內層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕劑;外層采用堿性蝕刻,錫鉛為抗蝕劑
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在半導體器件制造中,蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創建該材料的圖案的技術。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義,其創建過程在光刻中有詳細描述。一旦掩模就位,就可以通過濕化學或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結構,需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻
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關于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應機制,以Si為例,以基礎現象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工,而且是通過研磨和研磨等機械
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2022-05-31 15:39:592

硅KOH蝕刻:凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們華林科納半導體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數據,檢驗了凸角補償技術
2022-06-10 17:03:481113

金屬蝕刻殘留物對蝕刻均勻性的影響

引言 我們華林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅動放電的rf功率無關。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904

真空蝕刻技術的未來將會如何發展

在實踐中,在這一過程中出現了一些物理問題。通常,系統會使用水平線。在這里通常可以確定一個缺陷:在電路板的上下兩側通??梢杂^察到不同的蝕刻結果。對板上部的精確檢查顯示,板的邊緣和中心在蝕刻速率方面
2022-06-16 10:32:58351

濕法蝕刻與干法蝕刻有什么不同

的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導體結構的變化,這些技術需要在時間和程序上不斷調整。雖然有許多工具有助于這些分析,如RIE(反應離子蝕刻-一種干法蝕刻技術)、離子銑削和微切割,但鎢的濕法化學蝕刻有時比RIE技術更具重現性。
2022-06-20 16:38:205220

用于減薄硅片的蝕刻技術

高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,以提供足夠的家庭消費能源。我們認為,即使在20μm的厚度下,借助光捕獲方案,適當鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中,光刻和蝕刻技術被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:260

這種修補真空伏輥磨損的技術你試過么?

這種修補真空伏輥磨損的技術你試過么?
2022-07-04 15:17:100

蝕刻工藝 蝕刻過程分類的課堂素材4(上)

蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736

酸性氯化銅蝕刻液和堿性氯化銅蝕刻

這兩種蝕刻液被廣為使用的原因之一是其再生能力很強。通過再生反應,可以提高蝕刻銅的能力,同時,還能保持恒定的蝕刻速度。在批量PCB生產中,既要保持穩定的蝕刻速度,還要確保這一速度能實現最大產出率,這一點至關重要。蝕刻速度對生產速率會產生很大的影響,所以在對比蝕刻液的性能時,蝕刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198547

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻

實驗分析了各個因素對蝕刻率的具體影響。 根據目前廣泛應用于生產中的技術, 介紹了如何對相關因素進行控制調節, 為得到穩定的熱磷酸蝕刻率提供了方向。
2022-08-30 16:41:592997

什么是等離子蝕刻 等離子蝕刻應用用途介紹

反應性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發生化學反應的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進入激發態,從而更加易于發生反應。
2022-09-19 15:17:553387

搖擺蝕刻

PTFE管用途:可用于蝕刻搖擺機的搖擺架,PTFE也稱:可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機的簡單介紹: 1、采用傳動裝置,霧化噴淋,結構合理;加工尺寸長度不限制,速度快、精度高
2022-12-19 17:05:50407

簡要說明濕法蝕刻和干法蝕刻每種蝕刻技術的特點和區別

蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程,而是“減”過程。另外,根據刮削方式的不同,分為兩大類,分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說,前者是熔法,后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172

水環真空泵軸徑磨損的修復技術

性能較差,抗疲勞性能差,因此容易造成疲勞磨損、微動磨損等。該企業曾經采用過其他技術修復水環真空泵軸徑磨損問題,但是修復效果并不理想,在這種情況下企業聯系到我司工程師,咨詢我司技術能否有效解決水環真空泵軸徑磨損問題。
2023-04-06 17:45:340

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術,它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術,允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526

蝕刻技術蝕刻工藝及蝕刻產品簡介

關鍵詞:氫能源技術材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504

常用的真空技術

真空泵是用各種方法在某一封閉空間中產生、改善和維持真空的裝置。 真空泵是用各種方法在某一封閉空間中產生、改善和維持真空的裝置。真空泵可以定義為:利用機械、物理、化學或物理化學的方法對被抽容器進行抽氣
2023-06-20 11:48:251226

深度解讀硅微納技術蝕刻技術

蝕刻是一種從材料上去除的過程?;砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190

深度解讀硅微納技術之的蝕刻技術

蝕刻是一種從材料上去除的過程?;砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183

真空回流焊是什么?淺談SMT真空回流焊爐的基本原理

真空回流焊(Vacuum reflow soldering)是一種在高真空或低氣壓環境下進行的電子組裝焊接技術。相比于常規的氣體環境下的回流焊,真空回流焊具有以下不同。
2023-08-21 09:40:098347

不同氮化鎵蝕刻技術的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法,大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259

真空的秘密:正壓、負壓與真空度的神秘關系

在物理學和工程學中,我們經常會遇到與壓力相關的概念,如真空度、正壓和負壓。這些概念在多個領域,包括真空技術、氣象學、流體力學以及許多工業應用中都有著重要的作用。本文將詳細探討真空度、正壓和負壓之間的關系,以及真空單位的換算方法。
2024-01-24 09:40:32459

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