摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:48
1129 
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 
引言 正在開發(fā)化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423345 
開關電源是很多電子硬件產(chǎn)品中都有的電路模塊，并且這個模塊也是非常重要的，常常對于電路設計的要求也蠻高，并且開關電源包含的相關知識內(nèi)容也是相比于其他模塊有著自己的一套專業(yè)術語。 這些專業(yè)術語包含了像是
2023-11-06 10:11:34560 
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
各位大俠：有誰知道哪家有供應蝕刻鈦的藥水，請告知或提供聯(lián)系方法。謝謝！！！本人的QQ號碼是：414615292
2012-08-08 14:51:57
OpenGL常用術語解析
2021-03-18 06:57:35
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
，通過光化學法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細導線圖像的精度和質(zhì)量。當然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響，有物理、化學及機械方面的。現(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細導線圖像的精度和質(zhì)量。當然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻（亦稱之為光化學蝕刻或PCH）領域中,研究工作已經(jīng)開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅蝕刻。它將
2018-11-26 16:58:50
1.問題：印制電路中蝕刻速率降低 原因： 由于工藝參數(shù)控制不當引起的 解決方法： 按工藝要求進行檢查及調(diào)整溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等工藝參數(shù)到工藝規(guī)定值。 2.
2018-09-19 16:00:15
計控制系統(tǒng)。當自動測得的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻（亦稱之為光化學蝕刻或PCH）領域中，研究工作已經(jīng)開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中，所
2018-09-13 15:46:18
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
測得的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。在與此相關的化學蝕刻(亦稱之為光化學蝕刻或PCH)領域中,研究工作已經(jīng)開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅
2018-04-05 19:27:39
你都了解哪些Zigbee術語？
2021-05-20 07:12:05
過程中的一些參數(shù)，改變噴淋的一些操作方式等進行相關研究工作。本文將從流體力學的角度，建立模型來分析流體在銅導線之間凹槽底部各個位置的相對蝕刻速度，從本質(zhì)上研究蝕刻液流體的蝕刻過程的機理。 1. 模型建立
2018-09-10 15:56:56
首家P|CB樣板打板通常用于表示側(cè)蝕的術語是蝕刻系數(shù)，定義為蝕刻深度(銅箔的厚度)與側(cè)蝕凹度的比率，即蝕刻系數(shù)=α/b式中,a為銅錨的厚度; b為側(cè)蝕凹度。要使細紋蝕刻的側(cè)蝕達到最小，最好采用1
2013-09-11 10:58:51
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產(chǎn)量和細紋分辨率高，因此它是應用最為廣泛的一項技術。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
儲液槽的做法,但這樣做必須加一套PH計控制系統(tǒng),當自動監(jiān)測的PH結果低于默認值時﹐便會自動進行溶液添加。 在相關的化學蝕刻(亦稱之為光化學蝕刻或PCH)領域中﹐研究工作已經(jīng)開始﹐并達至蝕刻機結構設計
2017-06-23 16:01:38
低壓差穩(wěn)壓器(LDO)看似簡單，但可提供重要功能，例如將負載與不干凈的電源隔離開來或者構建低噪聲電源來為敏感電路供電。本簡短教程介紹了一些常用的LDO 相關術語，以及一些基本概念，如壓差、裕量電壓
2021-11-15 07:38:55
概述一下無線電的一些相關術語
2014-03-27 10:06:14
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態(tài)隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
求推薦 led芯片通過光蝕刻形成通孔和采用剝離工藝形成具有布線圖案的電極的相關書籍
2019-04-15 23:38:47
有些歐洲的汽車公司，喜歡用的汽車電力系統(tǒng)術語KLR汽車電源的ACC模式KL50 汽車在Crank模式KL15 汽車在Run模式KL30 接常電（蓄電池的正）KL31 接常負（蓄電池的負）...
2021-12-31 06:45:13
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
電子工程術語與定義列表
2021-02-26 07:12:58
寫在開頭學習一樣新事物總會帶來很多新的專業(yè)名詞。在學習新事物之前先大致了解一下相關的專業(yè)術語，可以幫助我們在學習的過程中事半功倍，不至于在游覽一些相關文章的時候看地一頭霧水。學習示波器也一樣。下面
2019-12-27 14:19:41
示波器性能相關術語接下去要講的一些術語，可能會當你和朋友們討論示波器性能的時候用到，理解這些術語可以幫助你評估和比較不同型號示波器的性能。帶寬：帶寬是示波器的首要指標，這個指標可以告訴我們示波器能
2019-12-30 13:49:35
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結物的影響。對這一點的了解是十分重要的, 因膠狀板結物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力，另一方面會阻檔了
2017-06-24 11:56:41
的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻(亦稱之為光化學蝕刻或PCH)領域中,研究工作已經(jīng)開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅
2018-09-19 15:39:21
可見光的相關光學知識和術語¤. 光與電磁波：光是一種電磁波，速度為：30×10000 km/s 波長為780～380nm（納米），1納米=10-9米¤. 光譜與顏色：光譜：紅、橙、黃、綠、藍、
2009-09-13 14:33:23
10 與電感器, 線圈相關的名詞術語■ 電感器 Inductor凡能產(chǎn)生電感作用的元件統(tǒng)稱電感器，一般的電感器由線圈構成，所以又稱電感線圈，為了增加電感量和Q 值并
2009-11-14 14:14:0721
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光 通 量：光源每秒種發(fā)出的可見光量之和，簡單說就是發(fā)光量。單位：流明（lm）
照
2010-01-16 09:18:08760 電腦聲卡相關術語簡介
聲道 對于普通用戶來說，單純追求完美的CD音質(zhì)的畢竟是少數(shù)。大多數(shù)的用戶還是用PC來打游戲、看
2010-02-05 11:15:57730
幻燈機原理及相關術語
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1、Access Hole 露出孔(穿露孔，露底孔)常指軟板外表的保護層 Coverlay(須先沖切出的穿露孔)，用以貼合在軟板線路表面做
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1、Apertures 開口，鋼版開口指下游SMD焊墊印刷錫膏所用鋼版之開口。通常此種不銹鋼版之厚度多在8mil 左右，現(xiàn)行主機板
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2010-03-24 11:07:14853 太陽能光伏相關術語,大氣質(zhì)量AM(Air Mass) 太陽光通過大氣層的路徑長度，簡稱AM，外層空間為AM 0，陽光垂直照射地球時為AM1(相當春/秋分分陽光垂直照射于赤道上之光譜
2011-04-06 10:35:131008 美國伊利諾大學(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 11:47:281391 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術參數(shù)及應用。
2018-04-10 14:38:324723 蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數(shù)也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達到4。近來的研究表明，以硝酸為基礎的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕，達到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
2018-10-12 11:27:366335 本模塊介紹與使用基于Eclipse的IDE相關的術語和概念。涉及的主題包括透視圖和視圖的基本知識、查找?guī)椭姆椒ǎ约癐DE操作速覽。
2019-06-10 06:05:002652 
通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蝕刻指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護摸去處，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
2019-06-26 16:02:4820205 側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項，它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。
2019-09-02 10:17:391755 PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層需要
2020-03-08 14:45:214248 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587458 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031008 
蝕刻機的基礎原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去，形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑
2020-12-24 12:59:384836 隨著萬物互聯(lián)的概念提出，物聯(lián)網(wǎng)越來越被大眾所悉知，與其相關的專業(yè)術語也越來越多。所以，繼第一期后，在這里整理又了一些物聯(lián)網(wǎng)相關的專業(yè)術語，幫助大家更好的認識物聯(lián)網(wǎng)。
2021-05-07 16:38:551199 隨著萬物互聯(lián)的概念提出，物聯(lián)網(wǎng)越來越被大眾所悉知，與其相關的專業(yè)術語也越來越多。今天在這里又整理了一些物聯(lián)網(wǎng)相關的專業(yè)術語，幫助大家更好的認識物聯(lián)網(wǎng)。
2021-06-20 09:16:421449 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241860 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-04-20 16:11:571972 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
被認為是一個速度源，這是我們提出的一個數(shù)學概念，也適用于位錯和晶界，速度源的活動取決于相關的M111N平面與掩模之間的夾角，因此在微觀機械結構中蝕刻的薄壁相對的M111N側(cè)可以有不同的值。 在圖1a中，示出了S 100T單晶硅爐和部分覆蓋它的惰性掩
2022-05-20 17:12:59853 
通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:133471 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 
這兩種蝕刻液被廣為使用的原因之一是其再生能力很強。通過再生反應，可以提高蝕刻銅的能力，同時，還能保持恒定的蝕刻速度。在批量PCB生產(chǎn)中，既要保持穩(wěn)定的蝕刻速度，還要確保這一速度能實現(xiàn)最大產(chǎn)出率，這一點至關重要。蝕刻速度對生產(chǎn)速率會產(chǎn)生很大的影響，所以在對比蝕刻液的性能時，蝕刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198547 實驗分析了各個因素對蝕刻率的具體影響。 根據(jù)目前廣泛應用于生產(chǎn)中的技術， 介紹了如何對相關因素進行控制調(diào)節(jié)， 為得到穩(wěn)定的熱磷酸蝕刻率提供了方向。
2022-08-30 16:41:592997 
反應性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學反應的材料會被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊，基材分子會進入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應。
2022-09-19 15:17:553387 PTFE管用途：可用于蝕刻搖擺機的搖擺架，PTFE也稱：可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機的簡單介紹： 1、采用傳動裝置，霧化噴淋，結構合理；加工尺寸長度不限制，速度快、精度高
2022-12-19 17:05:50407 蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 寫在開頭學習一樣新事物總會帶來很多新的專業(yè)名詞。在學習新事物之前先大致了解一下相關的專業(yè)術語，可以幫助我們在學習的過程中事半功倍，不至于在游覽一些相關文章的時候看地一頭霧水。學習示波器也一樣。下面
2021-11-03 16:00:151318 
示波器性能相關術語接下去要講的一些術語，可能會當你和朋友們討論示波器性能的時候用到，理解這些術語可以幫助你評估和比較不同型號示波器的性能。帶寬：帶寬是示波器的首要指標，這個指標可以告訴我們示波器
2021-11-03 16:01:161677 
關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
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