晶體管直流穩(wěn)壓源 |
一、穩(wěn)壓電源的技術(shù)指標(biāo) |
直流穩(wěn)壓電源的技術(shù)指示如下: (1)最大輸出直流電流Iomax:表明該穩(wěn)壓電源的負(fù)荷能力,與整流管和調(diào)整管的最大允許電流IcM有關(guān) (2)額定輸出穩(wěn)壓直流電壓Uo:分別定壓式和調(diào)壓式兩種 (3)穩(wěn)壓系數(shù)數(shù)S:表示在負(fù)載電流與環(huán)境溫度保持不變的情況下,由于輸入電壓Ui的變化而引起的輸出電壓的相對(duì)變化量與輸入電壓的相對(duì)變化量的比值,即: S=(△Uo/Uo)/(△Ui/Ui) S越小,電源的穩(wěn)定性越好,通常S約為10-10。 (4)輸出阻抗Ro:表示當(dāng)輸入電壓和環(huán)境溫度保持不變時(shí),由于負(fù)載電流Io和變化而引起的輸出電壓的變化量與負(fù)載電流的變化量的比值,即 Ro=△Uo/△Io 可見,如果Ro越小,則說明輸出電壓的變化越小。 (5)紋波系數(shù)y:輸出電壓中交流分量占額定輸出直流電壓的百分比,即 r=[(U-)/Uo]×100% 顯然,r越小越好,通常穩(wěn)定電源的紋波電壓只有幾毫伏,甚至小于1毫伏 |
二、整流與濾波電路 |
1、整流電路 常用的整流有半波、全波、橋式、對(duì)偶、倍壓式整流電路,它們都是利用二極管的單向?qū)щ娦园呀涣麟妷鹤優(yōu)橹绷麟妷海煌问降恼麟娐穼?duì)變壓器及二極管的要求也不同,其特點(diǎn)和要求列于表一中 |
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2、濾波電路 |
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注:r是輸出電壓的紋波系數(shù)數(shù) r=輸出電壓交流分量有效值(伏)/輸出直流電壓(平均值)(伏) r越小,濾波性能越好。通常r為百分之幾至千分之幾。 采用電感濾波時(shí),應(yīng)考慮到在電源斷開時(shí),電感線圈兩端會(huì)產(chǎn)生較大的感應(yīng)電勢(shì),所以選用整流二極管的電壓特級(jí)應(yīng)留有一定余量,以防擊穿。 |
三、并聯(lián)式穩(wěn)壓電源 |
若調(diào)整元件與負(fù)載并隨著,稱為并聯(lián)穩(wěn)壓電源,如圖1所示,圖中穩(wěn)壓管Dz作為調(diào)整無件,通常Dz運(yùn)用在反向擊穿狀態(tài),所以,Dz在中路中的接法要使Iz的方向與Dz方向相反,由于穩(wěn)壓管Dz反向擊穿時(shí),具有穩(wěn)壓特性,即穩(wěn)壓管中電Iz在Izmin-Izmax范圍內(nèi)變化時(shí),穩(wěn)壓管的端電壓Uz幾乎并聯(lián)式穩(wěn)壓電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,輸出電流小,適用于固定穩(wěn)壓的基準(zhǔn)電源及用作晶體管穩(wěn)壓電路中的輔助電源,圖2給出幾種參考電路。 |
圖一 |
圖二 | 圖三 |
圖三是晶體管并聯(lián)穩(wěn)壓電源。以晶體管BG2與BG3作調(diào)整元件,它與負(fù)載相并聯(lián),故屬并聯(lián)式穩(wěn)壓電路,BG1為放大元件,若輸入電壓|Ui|增加時(shí),|UR2|和|Ue1|也增加,而BG2、BG3集射之間的電阻減小,因此輸入電壓增量基本上降落在R1上,從而保證U2穩(wěn)定。 |
- 組圖晶體(5856)
- 流穩(wěn)壓源(5899)
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本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
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2019-04-04 10:59:27
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源: 一、電路的結(jié)構(gòu)組成:電源部分、整流部分、濾波部分、穩(wěn)壓部分,四部分組成。電源部分:由一個(gè)降壓變壓器T組成。整流部分:由四個(gè)二極管 V1 V2 V3 V4組成。濾波部分:由一個(gè)
2010-06-08 08:10:12
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度,晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能,包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
什么是GaN透明晶體管?
(1200°C,2分鐘)對(duì)表面的損傷。 圖5. 在Algan/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,ITO和硅注入?yún)^(qū)之間形成了良好的歐姆接觸。 圖6. 測(cè)得的直流性能,包括(a)帶有ITO源/漏(S/D)和柵電極的GaN晶體管的輸出(b)特性。
2020-11-27 16:30:52
什么是PNP和NPN晶體管?PNP和NPN有什么區(qū)別?
,電壓源連接的極性和電流流向不同。在大多數(shù)情況下,NPN晶體管可以用PNP晶體管代替,反之亦然,但必須改變電源極性。PNP和NPN有什么區(qū)別?NPN 代表負(fù)-正-負(fù)晶體管,而 PNP 代表正-負(fù)-正
2023-02-03 09:50:59
什么是達(dá)林頓晶體管?
更高的功率耗散,因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下,更大的相移也是可能的,這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定。 達(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件。互補(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
,出于實(shí)際原因,保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要。 如前所述,實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小,漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱耍矫?/div>
2023-02-24 15:25:29
使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
。圖1.穩(wěn)定電流源硬件設(shè)置面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE
2021-11-01 09:53:18
入門經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊(cè)讓你感性認(rèn)識(shí)晶體管
的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
關(guān)于PNP晶體管的常見問題
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單結(jié)晶體管仿真
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
雙極性晶體管的基本原理是什么?
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
可調(diào)穩(wěn)壓電源電路資料分享
圖所示為電壓1.5-9V、電流0.2A可調(diào)穩(wěn)壓電源。它由二極管VD1-VD4整流,晶體管VT2、VT3復(fù)合調(diào)整,晶體管VT4比較放大,穩(wěn)壓管VD7基準(zhǔn)電壓源,穩(wěn)壓管VD5恒流源和電阻R1、R2、R3
2021-05-12 07:58:51
四個(gè)晶體管搭建靜態(tài)存儲(chǔ)單元,加兩個(gè)晶體管搭建寫控制電路
。這表示面包板上左右兩側(cè)對(duì)應(yīng)位置的走線距離必須完全一致,才能達(dá)到最好效果。 如圖: 再來一張實(shí)物圖: 下面的大面包板是“靜態(tài)存儲(chǔ)單元”,由晶體管Q1~4組成,上面的小面包板是“寫控制電路”,由晶體管Q5
2017-01-08 12:11:06
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
場(chǎng)效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件
。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同,電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。1.直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)無變化信號(hào)輸入時(shí),晶體管集電極電流
2012-07-11 11:36:52
基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
必須將基端子接地,如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開關(guān)電路 用于計(jì)算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計(jì)算中使用的公式相同。區(qū)別在于開關(guān)電流。對(duì)于PNP,開關(guān)電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
如何改善晶體管的損耗
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么?
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
怎樣去識(shí)讀單結(jié)晶體管時(shí)間繼電器屬于斷電延時(shí)型繼電器呢?
圖5-1中所示的單結(jié)晶體管時(shí)間繼電器屬于斷電延時(shí)型繼電器,是一種在斷電后能延時(shí)工作的時(shí)間繼電器。該時(shí)間繼電器可代替普通機(jī)械式斷電延時(shí)繼電器。圖5-1 單結(jié)晶體管時(shí)間繼電器電路該時(shí)間繼電器電路由穩(wěn)壓
2023-02-06 16:21:59
數(shù)字晶體管的原理
直流電流增益率的關(guān)系式GI:數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
數(shù)字晶體管的原理
下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管直流電流增益率的關(guān)系式GI:數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
概述晶體管
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)
,例如在線路浪涌的情況下,松下X-GaN器件的設(shè)計(jì)具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實(shí)際上,當(dāng)前可用的符合600V操作的晶體管的靜態(tài)場(chǎng)依賴擊穿電壓在900V至1kV的范圍內(nèi)(圖7)。作為副作用,它允許
2023-02-27 15:53:50
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下,無源諧振電路(例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器)的尺寸明顯減小,從而提高了功率密度。此外,還需要考慮功率晶體管(Q1和Q2)的選擇,以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別
電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。 圖1:E模式GaN HEMT等效電路(左)和建議的驅(qū)動(dòng)方案(右)。 當(dāng)并聯(lián)配置CoolGaN?晶體管時(shí),可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
自制晶體管耐壓測(cè)試儀
自制晶體管耐壓測(cè)試儀本測(cè)試儀,可用于測(cè)試晶體二極管、三極管、可控硅等元件的反向耐壓值或穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值等。
2012-08-02 23:52:40
芯片里面100多億晶體管是如何實(shí)現(xiàn)的
柵極的原材料,下面的絕緣體就是二氧化硅。平臺(tái)的兩側(cè)通過加入雜質(zhì)就是源極和漏極,它們的位置可以互換,兩者之間的距離就是溝道,就是這個(gè)距離決定了芯片的特性。 當(dāng)然,芯片中的晶體管不僅僅只有Mos管這一
2020-07-07 11:36:10
請(qǐng)問圖中這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎?
請(qǐng)問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎?貌似VCC會(huì)對(duì)Vin造成直流干擾吧?在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧?
2019-04-15 06:36:28
資深工程師談晶體管使用心得:用晶體管來實(shí)現(xiàn)功率負(fù)載的控制
集成電路來實(shí)現(xiàn)一些常見的功能,如擴(kuò)流、恒流、穩(wěn)壓等。本文也就正是基于這方面,和大家分享一下晶體管的使用心得,希望能對(duì)初學(xué)者有一定的幫助,老司機(jī)可以直接忽略在下的班門弄斧了。首先來看一個(gè)負(fù)載控制的實(shí)例
2016-06-03 18:29:59
晶體管直流穩(wěn)壓電源
晶體管直流穩(wěn)壓電源(電源技術(shù)在線作業(yè)一)-晶體管直流穩(wěn)壓電源? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2021-08-31 17:30:3716
評(píng)論
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