功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路圖

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)

高功率器件驅(qū)動風(fēng)向：隔離柵極驅(qū)動

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠(yuǎn)）在高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管，不使用專用驅(qū)動器一般都會導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動，尤其是IGBT，幾乎

2021-11-03 09:33:56

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隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流

隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強(qiáng)度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1

2022-12-19 11:46:18

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德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。

2012-10-11 14:04:33

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英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計要求。

2019-01-29 09:58:32

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MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理

MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理

2019-08-29 13:30:22

MOSFET柵極電路的作用是什么

MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式

2021-03-29 07:29:27

MOSFET驅(qū)動電路原理圖及PCB板設(shè)計

layout（負(fù)電層）第四層layout小技巧MOSFET驅(qū)動電路原理圖及PCB板設(shè)計)電路原理圖整個驅(qū)動電路分為三個部分。一個是光耦隔離電路，負(fù)責(zé)把功率側(cè)和邏輯側(cè)隔離開來，防止強(qiáng)電側(cè)電路干擾弱點側(cè)電路

2021-11-15 07:26:07

功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析

，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。圖1 有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動 圖2 有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動的實驗波形當(dāng)這一有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動MOSFET電路被應(yīng)用在

2018-10-09 14:33:55

功率MOSFET的柵極電荷特性

和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大

2017-01-13 15:14:07

功率MOSFET的開關(guān)損耗：關(guān)斷損耗

功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻

2017-03-06 15:19:01

功率MOSFET的開關(guān)損耗：開通損耗

過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率

2017-02-24 15:05:54

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點

柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型

2016-10-10 10:58:30

功率場效應(yīng)管的驅(qū)動保護(hù)

)是利用脈沖變壓器的電磁隔離驅(qū)動電路。其中二極管VDS用于加快開通速度。圖(b)是用光電耦合器進(jìn)行隔離的驅(qū)動電路。由于光耦響應(yīng)速度較慢，因而使開關(guān)延遲時間加長，限制了使用頻率。2、保護(hù)電路圖3分別是功率

2018-01-31 10:01:49

柵極驅(qū)動和電流反饋信號隔離說明

柵極驅(qū)動和電流反饋信號隔離說明

2021-03-11 06:43:47

柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。

2021-06-17 07:24:06

柵極驅(qū)動器是什么

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極

2021-01-27 07:59:24

柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器？

高得多的電流。圖2中，當(dāng)功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動時，觀察到切換時間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動同一功率

2021-07-09 07:00:00

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

切換時間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動同一功率MOSFET時，該驅(qū)動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動電流。圖3.有柵極驅(qū)動

2018-10-25 10:22:56

隔離式柵極驅(qū)動器的揭秘

隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動同一功率MOSFET時，該驅(qū)動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會透支電流，直接用微控制器驅(qū)動較大功率MOSFET

2018-11-01 11:35:35

隔離式柵極驅(qū)動器規(guī)格介紹

您好，歡迎觀看第三個討論隔離式柵極驅(qū)動器的 TI 高精度實驗室講座。我們將探討可以作為隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)的基準(zhǔn)核心參數(shù)。我們將會檢查這些參數(shù)的數(shù)據(jù)表定義，討論在隔離式和非隔離式驅(qū)動器中決定

2022-11-10 07:54:32

隔離式太陽能柵極驅(qū)動參考設(shè)計包括BOM及層圖

描述TIDA-00638 參考設(shè)計包含具有增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。此緊湊型參考設(shè)計可控制太陽能逆變器中的 IGBT。此設(shè)計使用具有內(nèi)置 IGBT

2018-10-19 15:30:07

隔離全橋驅(qū)動電路功能與優(yōu)勢

邏輯電平的轉(zhuǎn)換。ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動器，采用ADI公司iCoupler?技術(shù)，提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因而可以專門在H電橋中使用N溝道MOSFET。使用N溝道MOSFET有

2018-10-24 10:28:10

CMOS隔離柵極驅(qū)動器是怎么強(qiáng)化供電系統(tǒng)的？

隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案

2021-03-08 07:53:35

IGBT驅(qū)動光耦TLP250功率驅(qū)動模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用

`光電耦合器IGBT驅(qū)動TLP250的結(jié)構(gòu)和使用方法，給出了其與功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件電路圖。在闡述IRF840功率MOSFET的開關(guān)特性的基礎(chǔ)上，設(shè)計了吸收回路。最后結(jié)合直流斬波

2012-06-14 20:30:08

Si8751-EVB是用于Si8751隔離MOSFET柵極驅(qū)動器的Si875x評估套件

用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅(qū)動各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式

2020-06-08 12:07:42

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動其1

從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹

2018-11-30 11:31:17

【轉(zhuǎn)帖】如何實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器?

采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率

2018-07-03 16:33:25

一文研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能

Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片

2021-01-22 06:45:02

三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動器評估系統(tǒng)設(shè)計

描述TIDA-00195 參考設(shè)計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計可對三相逆變器（其中整合了額定

2018-12-27 11:41:40

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。

2023-06-16 06:04:07

關(guān)于MOSFET的選擇及電路圖

我想用單片機(jī)控制12v電路的通斷，電流大概為4.3A-4.6A，請問用什么型號的MOSFET比較好，能給出電路圖嗎？要求電路圖簡單，實惠

2015-04-06 22:58:47

減小隔離式同步柵極驅(qū)動器的尺寸并降低復(fù)雜性的方案

相似，但不具有非重疊控制邏輯，因而允許Q3和Q4同時接通。與ADuM3220不同，圖3所示提供調(diào)節(jié)輸出的ADuM3221柵極驅(qū)動器時序圖允許開關(guān)Q3和Q4在Q1和Q2均斷開時接通?？偠灾瑢τ?b class="flag-6" style="color: red">隔離式

2018-10-15 09:46:28

四路輸出隔離式IGBT柵極驅(qū)動Fly-Buck電源包括BOM及層圖

描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓

2018-09-05 08:54:59

基于隔離式Fly-Buck電源的半橋MOSFET驅(qū)動器

。LM5017 隔離式輸出反激式電源具有四個輸出，用于在電機(jī)驅(qū)動或逆變器應(yīng)用中提供柵極驅(qū)動器偏置。用戶還可以使用跳線來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動器。主要特色3A 拉電流和 7A 灌電流可以使用跳線

2018-12-21 11:39:19

如何使用高速柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動碳化硅MOSFET？

IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設(shè)計用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動

2023-02-27 09:52:17

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅(qū)動半橋的各個柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動副邊MOSFET。圖3. 脈沖變壓器半橋柵極

2018-10-23 11:49:22

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計理念，探索隔離式半橋柵極

2018-10-16 16:00:23

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計途徑

MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅(qū)動半橋的各個柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動副邊MOSFET.　　圖3.

2018-09-26 09:57:10

應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號控制

和低側(cè)。該電路還在控制側(cè)和電源側(cè)之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動器，采用iCoupler技術(shù)提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機(jī)控制，帶嵌入式控制接口的電源轉(zhuǎn)換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）

2019-11-07 08:53:19

開關(guān)電源的驅(qū)動電路原理圖

開關(guān)電源的驅(qū)動電路原理圖驅(qū)動電路原理圖：開關(guān)電源的驅(qū)動電路: 驅(qū)動電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進(jìn)行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用，常用

2009-10-24 09:30:11

微功率隔離電源專用驅(qū)動芯片

電源? 低噪聲燈絲電源? IGBT 柵極驅(qū)動電源3 說明VPS8703 是一款專門為小體積、低待機(jī)功耗的微功率隔離電源而設(shè)計的變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路

2022-11-11 14:44:13

怎樣減小隔離式同步柵極驅(qū)動器的尺寸并且降低復(fù)雜性

電流的電源效率。實施同步DC-DC轉(zhuǎn)換器架構(gòu)要求副MOSFET開關(guān)與主MOSFET開關(guān)保持開關(guān)同步。圖2顯示ADuM3220用于一個提供未調(diào)節(jié)輸出電壓的隔離式同步DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用電路。DC-DC

2017-04-05 14:05:25

支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動器

EVAL-ADUM3123EBZ，評估板支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動器。由于評估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此

2019-05-23 07:15:06

支持ADuM3123CRZ隔離式精密柵極驅(qū)動器的EVAL-ADUM3123EBZ

EVAL-ADUM3123EBZ，評估板支持ADuM3123CRZ隔離式精密柵極驅(qū)動器。由于評估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此

2019-05-06 06:43:49

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

，并提供驅(qū)動功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動信號。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能，柵極

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器的趨勢和格局

2018-10-24 09:47:32

橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

所示，可以看出改進(jìn)后的電路很好地解決了柵極驅(qū)動信號的振蕩問題。圖4　改進(jìn)前驅(qū)動信號波形圖5　改進(jìn)后驅(qū)動信號波形　　結(jié)論　　橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生的直通現(xiàn)象是由于結(jié)電容

2018-08-27 16:00:08

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

采用MP188XX 隔離式柵極驅(qū)動器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)

應(yīng)用電路。圖2: MP18831典型應(yīng)用電路圖 3 所示的電源應(yīng)用示例由有源功率因數(shù)校正 (PFC)、半橋 LLC 和同步整流器組成。在該示例中，MP18831 被用作高端/低端隔離式柵極驅(qū)動器。.圖

2022-09-30 14:05:41

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

的隔離式柵極驅(qū)動器。牽引逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路（IC）是牽引逆變器供電解決方案的組成部分。柵極驅(qū)動器提供低到高壓（輸入到輸出）電流隔離，驅(qū)動基于 SiC 或

2022-11-02 12:02:05

集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動光電耦合器

，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實惠的IGBT柵極驅(qū)動光電

2018-08-18 12:05:14

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動

單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。

2023-09-05 07:32:19

高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

2019-03-08 22:39:53

高速柵極驅(qū)動器助力實現(xiàn)更高系統(tǒng)效率

的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示為典型MOSFET電路符號中表示的體二極管。圖1：MOSFET符號包括固有

2019-03-08 06:45:10

功率MOSFET驅(qū)動電路分析

功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，

2010-04-12 08:36:54

一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路

摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實現(xiàn)減少驅(qū)動功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動電路可以在較高的頻率下工作。

2010-05-04 08:38:12

具有寬占空因子范圍的隔離式MOSFET驅(qū)動器

圖 1，調(diào)制方法使人們有可能在很寬的占空因子范圍內(nèi)實現(xiàn)功率 MOSFET 的隔離式柵極驅(qū)動電路。圖 1 所示電路主要用途是用于驅(qū)動頻率范圍為 1 Hz 至 300 kHz、占空因子為 0~ 100%

2010-07-15 08:40:22

FET柵極的驅(qū)動方法電路圖

FET柵極的驅(qū)動方法電路圖

2009-08-15 17:31:21

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Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器

Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器 Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計用來驅(qū)動需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動器IC光耦合器TLP358系

2010-01-20 08:37:03

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高壓MOSFET驅(qū)動器電路

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。

2011-12-17 00:02:00

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開源硬件-TIDA-01159-緊湊型半橋增強(qiáng)隔離式柵極驅(qū)動 PCB layout 設(shè)計

本參考設(shè)計為 UPS 驅(qū)動功率級、逆變器、服務(wù)器和電信應(yīng)用中使用的半橋隔離式柵極驅(qū)動器。本參考設(shè)計基于 UCC21520 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動 MOSFET 和 SiC-FET

2015-11-16 13:46:00

Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。

2016-03-14 18:13:23

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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。

2017-02-09 17:40:11

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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

2017-02-10 07:57:41

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高壓mosfet驅(qū)動器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：

2017-10-19 16:02:37

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。

2019-04-16 17:07:39

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高功率隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4135的性能分析

本視頻展示了一個評估板上的ADI公司高功率隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4135。ADuM4135驅(qū)動Microsemi SiC功率模塊。此評估板是ADI公司與Microsemi合作的一個范例。

2019-06-18 06:00:00

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主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

2019-07-02 15:06:29

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常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替

2019-07-03 16:26:55

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如何使用柵極電荷設(shè)計功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動電路

　不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動電路設(shè)計?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會導(dǎo)致柵極驅(qū)動嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個重要

2020-03-09 08:00:00

基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路

2021-06-14 03:51:00

3144

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車

2021-01-20 15:00:24

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為

2021-01-28 08:13:38

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時，驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。

2021-02-08 17:38:00

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ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

2021-05-27 13:55:08

探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS

ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET

2021-08-09 14:30:51

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高功率器件驅(qū)動風(fēng)向?qū)⑹?b class="flag-6" style="color: red">隔離柵極驅(qū)動

2021-11-08 09:28:07

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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理

2021-11-29 16:29:17

MOSFET柵極驅(qū)動電流計算和柵極驅(qū)動功率計算

本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計算以及通過實例進(jìn)行計算輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計中電流的計算不是mosfet導(dǎo)通電流是mosfet柵極驅(qū)動電流計算和驅(qū)動功耗計算

2022-11-11 17:33:03

使用隔離式柵極驅(qū)動器的實用設(shè)計指南

使用隔離式柵極驅(qū)動器的實用設(shè)計指南

2022-11-14 21:08:43

隔離式柵極驅(qū)動器輸入級對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的影響

本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動器時，您有多種選擇。柵極驅(qū)動器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）發(fā)射極的欠壓（UVLO）鎖定參考等功能。

2022-11-30 09:58:21

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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。

2023-01-17 11:08:46

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隔離式柵極驅(qū)動器：什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極

2023-01-30 17:17:12

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保姆級攻略 | 使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）

點擊藍(lán)字?關(guān)注我們本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。本文為第一部分，主要包括隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南。安森美

2023-02-05 05:55:01

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非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件

非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件

2023-02-08 13:43:24

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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動參考

柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動主開關(guān)

2023-02-23 15:59:00

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動

高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是

2023-02-23 15:35:24

隔離式柵極驅(qū)動器設(shè)計技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。

2023-04-04 09:58:39

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隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。

2023-05-17 10:21:39

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