精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源設(shè)計(jì)應(yīng)用>Battery Monitoring in NV SRAM

Battery Monitoring in NV SRAM

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

16通道主動(dòng)電芯高電流有源EV/HEV平衡解決方案

描述16-Cell EV/HEV High Current Active Balance Solution, using the latest automotive battery
2018-11-26 11:51:51

83752B SRAM已清除

嗎?謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文I got a 83752B that used to lost its memory because the battery's dead (‘409 SRAM
2018-12-17 16:57:04

Battery spec!!!!!!!!!!

Battery spec!!!!!!!!!!
2015-06-29 17:40:12

NV-BAT01

Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43

NV問題

在zigbee cc2530協(xié)議棧中,怎么刪除一個(gè)NV??
2018-06-24 04:44:28

Cypress非易失性SRAM技術(shù)

非易失性SRAMnv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時(shí)序的常規(guī)異步SRAMnv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44

DS1243, DS1243Y資料介紹_64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06

LI FE Battery study!!!!

LI FE Battery study!!!!
2015-06-29 16:51:52

±100A高端連續(xù)雙向電流測量尋址解決方案包括BOM及層圖

continuous bi-directional current measurement addressing applications such as battery current monitoring
2018-09-26 09:07:53

為什么NV_RESTORE和NV_INIT都開啟,但Flash中ZCD_NV_PANID和變量zgConfigPANID讀取出的值都為0xFFFF?

為什么NV_RESTORE和NV_INIT都開啟,但Flash中ZCD_NV_PANID和變量zgConfigPANID讀取出的值都為0xFFFF。 通過網(wǎng)絡(luò)抓包看到的PanID是有效的。為什么沒有
2018-05-15 04:28:21

可提供監(jiān)控,平衡和通信的可堆疊監(jiān)視器和保護(hù)器包括BOM及層圖

Lithium-ion batteries that provides monitoring, balancing, and communications. Each bq76PL536A-Q1 EVM
2018-09-25 08:48:02

多節(jié)36-48V電池管理系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述The TIDA-00792 TI Design provides monitoring, balancing, primary protection and gauging for a 12
2018-10-30 11:02:55

如何使用Battery Historian分析電源使用情況

前言本文翻譯自“為電池壽命做優(yōu)化”系列文檔中的其中一篇,用于介紹如何使用Battery Historian分析電源使用情況。中國版官網(wǎng)原文地址為:https
2021-12-29 06:54:49

賽普拉斯NV-SRAM解決方案分享

賽普拉斯NV-SRAM解決方案
2020-12-30 07:15:03

NV221.pdf

NV221.pdf
2007-12-24 22:12:1612

AVR450 pdf datasheet (Battery

The battery charger reference design is a battery charger that fully implements thelatest
2008-09-03 17:32:4636

使用多路復(fù)用總線時(shí)鐘與微控制器

other featuressuch as battery-backed NV SRAM and system power control functions. The multiplexed-bus RTCs use eight I/Opins to pass address
2009-04-23 14:31:3315

NV SRAM Frequently Asked Quest

such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:3914

以DS87C520為例,介紹帶非易失性RAM的微控制器的設(shè)計(jì)

Microcontrollers which incorporates battery–backed,nonvolatile SRAM (NV RAM) have found wide
2009-06-26 11:32:1620

MAX11080,pdf datasheet(Battery-Pack Fault Monitor)

The MAX11080 is a battery-pack fault-monitor IC capableof monitoring up to 12 lithium-ion (Li+
2009-07-25 21:13:4831

TI電池管理 ICBQ2204A

用于 4 SRAM 內(nèi)存組的 SRAM 非易失性控制器 IC Vin (Max) (V) 5.5 Rating Catalog Power monitoring
2022-12-16 15:04:46

TI電池管理 ICBQ2201

用于 1 個(gè) SRAM 組的 SRAM 非易失性控制器 IC Vin (Max) (V) 5.5 Rating Catalog Power monitoring
2022-12-16 15:04:46

How to Design Battery Charger

How to Design Battery Charger Applications that Require External Microcontrollers and Related
2009-10-29 15:03:4813

Battery charger and method of

Battery charger and method of charging a battery
2009-11-28 11:55:1119

NV RAID DISK 64位版

NV RAID DISK 64位版.zip
2010-01-29 16:57:300

Spectrum Monitoring & Interfer

Spectrum Monitoring & Interference Analysis with Anritsu Handheld Products:Protect Your
2010-03-03 08:38:0116

Monitoring and Analysis-PQ Aud

Monitoring and Analysis-PQ Audit,the first step towards PQ mitigation Agenda• Condition
2010-05-17 16:56:3615

MAX11068,pdf (battery-monitoring smart data acquisition)

The MAX11068 is a programmable, highly integrated,high-voltage, 12-channel, battery-monitoring
2010-07-05 08:06:0499

BQ2019,pdf(Advanced Battery Mo

The bq2019 advanced battery-monitoring IC accurately measures the charge and discharge currents
2010-11-05 00:26:3318

新一代NV SRAM技術(shù)

新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問世近20年來,NV SRAM技術(shù)不斷更新,以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展,同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長的需求。 發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53901

DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路,帶有篡

DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路,帶有篡改檢測 DS3650是一款4線兼容控制器,滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716

Temperature Monitoring Using t

Abstract: The MAX1253/54 and MAX1153/54 system monitors are a low cost solution for monitoring
2009-04-17 11:36:161788

Battery Selection for Secure S

Abstract: This article provides guidelines for selecting a backup battery for the DS36xx secure
2009-04-20 11:39:241169

Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

摘要:為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則,首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品,利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05558

Maxim為什么選擇設(shè)計(jì)單片NV SRAM模塊

摘要:為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則,首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品,利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42499

Battery Monitoring in NV SRAM

Abstract: As a prerequisite to this article, it is recommended that Application Note 505 be reviewed to gain a better understanding of the general behavior of lithium coin-cell batteries.Dallas Semiconductor offers a variety of pro
2009-04-24 09:24:251301

A Comparison between Battery B

Abstract: Dallas Semiconductor nonvolatile (NV) SRAMs are backed up with an internal battery
2009-04-24 09:31:58703

Battery Charger Indicates Tric

Battery Ch
2009-04-30 11:07:592187

Using Dallas Battery Managemen

the use of the Dallas Semiconductor DS2438 battery monitor in a high voltage battery pack. Originally designed for use in battery packs whose vol
2009-04-30 14:18:01766

Add Thermal Monitoring to Redu

Add Thermal Monitoring to Reduce Data Center Energy Consumption Abstract: Precise and adaptable
2009-05-29 11:01:30672

MAX11080/MAX11081 12-Channel, High-Voltage Battery-Pack Fault Monitor

-pack fault-monitor IC capable of monitoring up to 12 lithium-ion (Li+) battery cells. This device is designed to
2011-08-26 22:52:291356

鋅溴電池 (Zinc Bromine Battery)

Zinc Bromine Battery  Project Overview
2009-11-20 10:48:422787

Ni-MH Battery

Ni-MH Battery What is NiMH Battery  Nickel Metal Hydride (NiMH) Rechargeable Battery is an environmentally friendly battery. Compare to
2009-11-21 10:15:112735

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAMSRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328477

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么? RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣(又稱存儲(chǔ)體)、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)
2010-03-24 16:28:393895

Y2K兼容、非易失時(shí)鐘SRAM DS1744

  DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974

DS1220Y 16k非易失SRAM

  DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM,按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路
2010-10-20 09:04:421192

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

  DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM
2010-10-21 09:01:27888

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

  DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59887

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

  DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM
2010-10-22 08:58:38924

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

  DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制
2010-10-22 09:04:04997

DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

  MXIM推出DS3065WP,一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50697

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按
2010-11-07 09:37:51769

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

  DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-10 09:31:52684

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

  DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM,按照
2010-11-10 09:36:271532

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

  DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:43:53876

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:53:311843

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-12-07 10:21:02966

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器,可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685

DS1500英文數(shù)據(jù)資料

, watchdog timer, power-on reset, battery monitors, 256 bytes of on-board nonvolatile (NV) SRAM, NV control for backing up an external SRAM, and
2011-12-19 11:34:4623

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218

電池管理系統(tǒng)的多點(diǎn)溫度測量方案

-management system for monitoring many cellvoltages and cell temperatures. Without that monitoring, thermal runaway can lead to a battery explosion. Thi
2012-02-08 15:58:1119

Characterizing a Battery for Use with a Fuel Gauge

Abstract: To maximize a battery fuel gauges performance, the battery pack must be characterized so
2012-07-06 11:06:310

裝載程序到SRAM中運(yùn)行

sram
橙群微電子發(fā)布于 2023-03-20 14:48:06

sram是什么,sram信息詳解

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小。
2017-11-03 16:11:1211253

sram作用

SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479612

關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡介,它的用途是什么

。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAMNV-SRAM簡介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。這個(gè)名稱意義不大,因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:321734

兩種SRAM的電路結(jié)構(gòu)?

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552

如何對SRAM?進(jìn)行分類

嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分;伴隨著工藝前進(jìn)的腳步,對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性,隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413473

非易失性NV-SRAM的應(yīng)用,它的應(yīng)用優(yōu)勢是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。 因此將比較它需要多長時(shí)間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)
2020-10-27 14:22:51486

NV-SRAM模塊的優(yōu)勢在于可快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),在封裝技術(shù)方面也具有一定的競爭力。這些存儲(chǔ)芯片器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。 博彩機(jī)要求可靠記錄數(shù)據(jù)以及保障客戶權(quán)利。此類
2020-10-28 14:19:23391

非易失性存儲(chǔ)器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn),可以滿足理想SRAM器件的要求,該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問:系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng),則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案,它的優(yōu)勢是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454

詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 BBSRAM是什么? BBSRAM又稱
2020-12-22 16:05:252077

NV-SRAM與BBSRAM的對比,誰的優(yōu)勢更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術(shù)相比較。 BBSRAM 數(shù)據(jù)保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命 ?電池電量
2020-12-22 14:55:39485

如何選擇非易失性SRAM,如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題,國外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAMNV-SRAM系列產(chǎn)品,國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:201714

NVSRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2021-03-18 00:29:2314

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512

System Monitoring Center Linux系統(tǒng)資源監(jiān)控器

system-monitoring-center.zip
2022-04-25 14:47:320

NV-SRAM是什么,它的主要特征是什么

NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686

求一種具有控制器的NV-SRAM解決方案

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問,并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM
2022-11-30 17:48:48502

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NVSRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59792

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59665

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

NV SRAM開發(fā)開始以來,其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336

使用SRAM來代指對SRAM和PSRAM芯片的支持

使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50922

ADBMS6948: 16-Channel Battery Pack Monitoring System Data Sheet ADBMS6948: 16-Channel Battery Pack Monitoring System Data Sheet

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADBMS6948: 16-Channel Battery Pack Monitoring System Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有
2023-10-12 18:33:02

MAX17851: SPI to UART Safety Monitoring Bridge Data Sheet MAX17851: SPI to UART Safety Monitoring Bridge Data Sheet

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX17851: SPI to UART Safety Monitoring Bridge Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有MAX17851
2023-10-16 19:05:22

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171

賽普拉斯帶微控制器的NV-SRAM接口

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191

已全部加載完成