摘要:目前,國外許多著名的IC廠家都在大力開發低功耗、節能型單片開關電源集成電路。介紹了Philips公司新推出的TEA1520系列單片開關電源的性能特點及工作原理。
關鍵詞:節能;單片開關電源;控制電路;谷值開關;退磁
??? 荷蘭飛利浦(Philips)公司于2000年推出的TEA1520系列單片開關電源,由于采用了先進的節能技術和制作工藝,因此被譽為“綠色芯片”(GreenChip)。TEA1520系列適用于電池充電器、電源適配器,或機頂盒、DVD、CD、CVCR(攝錄像機)、電視/監視器的備用電源,并可作為PC機外部設備、便攜式電子裝置及家用電器中微控制器(MCU)的電源。此外,它還被應用到通信、網絡等領域。
1? TEA1520系列單片開關電源的性能特點
??? TEA1520系列產品包括TEA1520P~TEA1524P(DIP封裝)、TEA1520T~TEA1523T(SO封裝)和TEA1522AJM~TEA1524AJM(DBS封裝),共12種型號。產品分類及最大輸出功率詳見表1。
表1? TEA1520系列的產品分類及最大輸出功率W
型號 | 交流80~275V輸入 | 交流180~275V輸入 | 交流150V輸入 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
DIP/SO封裝 | DBS封裝 | DIP/SO封裝 | DBS封裝 | DIP/SO封裝 | DBS封裝 | |
TEA1520 | 2 | — | 3 | — | 2 | — |
TEA1521 | 3 | — | 4.5 | — | 3 | — |
TEA1522 | 7 | 10 | 8 | 20 | 7 | 10 |
TEA1523 | 10 | 20 | 15 | 35 | 10 | 20 |
TEA1524 | 15 | 30 | 30 | 50 | 15 | 30 |
??? 該系列產品具有以下特點:
??? 1)采用Philips公司專有的高壓EZ?HV和低壓Bi?CMOS集成工藝,適合設計50W以下的小功率、小型化、低成本開關電源。這類開關電源可以做得很小,因其體積與插頭式電源適配器相仿,故被稱作“STARplug”,在英文中即“星形插頭”之意。
??? 2)它屬于工作在不連續模式下的電壓控制型反激式開關電源,能滿足交流80~276V的世界通用電源標準。其開關頻率范圍是10kHz~200kHz,典型值可取100kHz,開關頻率可從外部精確地調整,主要由振蕩元件的時間常數來確定。內部振蕩器既可工作在自供偏壓模式(簡稱SOPS模式),亦可工作在固定的開關頻率上,即脈寬調制(PWM)模式,后者需通過R、C振蕩元件來校準開關頻率。
??? 3)其“綠色節能”特性突出表現在以下幾個方面:
??? ——在空載時的待機功耗極低,小于100mW;
——內部設計了一個“谷值開關”(Valley Switching)電路,能把功率開關管導通時由漏極分布電容產生的開關損耗降至最低;
??? ——在低功耗輸出時能自動降低開關頻率,使芯片工作在低頻模式下,從而減小了芯片功耗。
??? 4)片內集成了一只耐壓為650V的功率開關管(MOSFET)。
??? 5)具有完善的保護功能,包括獨特的退磁保護,以及輸出過流保護,短路保護、輸入過壓保護和過熱保護。
2? TEA1520系列單片開關電源的工作原理
??? 與Power Integration公司的TOPSwitch-Ⅱ系列相比,Philips公司的TEA1520系列在芯片設計原理上有許多獨特之處,其內部框圖如圖1所示。各引腳的功能如下:UCC為工作電源端,反饋繞組的輸出電壓經過整流濾波器后,給芯片提供工作電壓;GND為公共地(即開關電源的功率地);RC為外接振蕩電阻和振蕩電容,用于設定開關頻率;REG為反饋電壓(UREG)輸入端,UCC通過電阻分壓后提供反饋電壓,該端相當于TOPSwitch-Ⅱ的控制端(C);SGND為信號地(僅TEA1522AJM有此端),使用時該端應與GND連通;AUX為輔助繞組的電壓輸入端,該端所接的輔助電阻(亦稱退磁電阻)RAUX,可對高頻變壓器起到退磁作用;D為內部功率開關管(MOSFET)的漏極引出端;S為內部功率開關管(MOSFET)的源極引出端。
圖1? TEA1520系列開關電源的內部框圖
??? TEA1520內部主要包括以下10部分:①內部電源;②振蕩器;③2.5V基準電壓源(UREF)、增益為20dB的誤差放大器;④脈寬調制器(即PWM比較器);⑤主控門Y、驅動級和功率開關管(MOSFET);⑥谷值開關電路(僅DIP-8封裝和SO-14封裝的產品有此電路);⑦控制邏輯;⑧保護邏輯及保護電路,含過流保護電路(由外部過流檢測電阻RS與比較器Ⅱ所組成)、短路保護電路(RS、比較器Ⅲ)、上電復位電路及過熱保護電路;⑨退磁電路(VD1、VD2和比較器Ⅰ);⑩前沿閉鎖電路,可避免尖峰電流引起誤觸發。
??? TEA1520系列的基本工作原理是利用反饋電壓去調節占空比來達到穩壓目的。舉例說明,當輸出電壓UO下降時,反饋電壓UREG也隨之降低,UREG與內部2.50V基準電壓(UREF)進行比較和放大后,產生誤差電壓Ur,再通過PWM比較器去調節輸出脈沖信號的占空比,使占空比增大,迫使UO升高,最終使UO不變。當開關頻率f=100kHz時,占空比的調節范圍是0%~75%。
??? 當輸出功率很小、誤差電壓Ur<1.8V時,振蕩器就進入低頻工作模式,通過延長振蕩周期來提高電源效率。
??? 下面介紹主要功能電路的工作原理。
2.1? 控制電路
??? 控制電路的基本結構如圖2所示。R、C分別為振蕩電阻與振蕩電容。令RC引腳的電壓為URC,其最大值URC(max)=2.5V,最小值URC(min)=75mV(均為典型值)。當URC=2.5V時,就對C進行快速充電;然后C又對R進行放電,直到URC=75mV為止。放電過程需要3.5τ的時間,τ是時間常數。振蕩頻率的計算公式為
??? f≈(1)
圖2? 控制電路的基本結構
應取振蕩電容C≥220pF,但容量取得過大會影響高頻性能。
??? 在R、C充、放電過程中可產生近似于鋸齒波的電壓UJ,UJ送至PWM比較器的反相輸入端,而誤差電壓Ur則加到同相輸入端。當Ur改變時,D隨之而變,再通過主控門和驅動級來改變MOSFET的通斷時間,進而調節UO值使之趨于穩定。
??? 圖3分別示出TEA1520系列在低功率輸出和高功率輸出時的電壓波形。Ur1、Ur2分別為低功率輸出、高功率輸出所對應的誤差電壓。tON為MOSFET的導通時間。由圖2可見,當UJ>Ur時,MOSFET導通;當UJ<Ur時MOSFET關斷。
圖3? 在低功率輸出和高功率輸出時的電壓波形
2.2? 谷值開關電路
??? 高頻變壓器一次繞組上的分布電容,反映到MOSFET的漏極引腳上,即為漏極分布電容CD。由CD和一次繞組電感LP構成的LC諧振電路會形成振鈴電壓(ringing voltage)。振鈴電壓屬于衰減振蕩的干擾電壓,其振蕩頻率由下式確定:
??? fringing=(2)
顯然,在MOSFET導通期間,由振鈴頻率所造成的功率損耗為:
??? PON=CDUD2fringing(3)
為減小開關損耗,在芯片內部專門增加了谷值開關電路。谷值開關信號(UV)與漏極電壓、振鈴電壓的波形如圖4所示。振鈴電壓(Uringing)就疊加在漏極電壓波形上。每當振鈴電壓到達谷值時,谷值開關電路就產生一個谷值開關信號(正脈沖),令MOSFET截止,起到了降低開關損耗的作用。圖4中的U2為二次繞組的電壓。A點代表用谷值開關信號來啟動新的振蕩周期,B點代表按照傳統的PWM方式來啟動新的振蕩周期。
圖4? 谷值開關信號與漏極電壓、振鈴電壓的波形
??? 設輸出電壓為UO,反饋系數(即高頻變壓器的匝數比)為n,反饋繞組輸出電壓(UF)由下式確定:
??? UF=nUO(4)
當UF=80V時,功率開關管的導通角(θ)與振鈴頻率(fringing)的關系曲線如圖5所示。
圖5? 功率開關管的導通角與振鈴頻率的關系曲線
??? TEA1520系列的振鈴頻率范圍是200kHz~800kHz。查關系曲線知,當fringing=480kHz時,θ=0°,此時UD達到最小值,而MOSFET關斷。當fringing=200kHz時,θ=-33°,這時在谷值開關信號的作用之下,θ角提前了33°,因此MOSFET在UD達到最小值之前的33°就已經開始導通了。在上述兩種情況下均可減小開關損耗。
2.3? 退磁電路
??? 退磁電路如圖6所示。NF代表高頻變壓器的反饋繞組。RAUX為輔助電阻,它能配合電路起到退磁作用。由VD1、VD2組成雙向限幅二極管,起過壓保護作用。對反激式開關電源而言,當MOSFET關斷時,反饋繞組的同名端(圖中用小圓點表示)呈正電壓,電流通過RAUX流入AUX端,再流到比較器Ⅰ的同相輸入端,只要同相端電壓高于100mV,就不會啟動一個新的振蕩周期。利用退磁電路可以檢測高頻變壓器上的剩磁,僅當剩磁接近于零時,才允許TEA1520進入下一個振蕩周期。這樣即可避免出現磁飽和現象。退磁電阻的阻值范圍是幾十kΩ至幾百kΩ,典型值為220kΩ。最大退磁電流應低于10mA,以防止VD1、VD2因過流而損壞。
圖6? 退磁電路
2.4? 保護電路
??? 1)過流保護
??? 在源極與地之間接入過流檢測電阻RS,就和比較器Ⅱ構成過流保護電路。當漏極電流超過極限電流時,URS>0.5V,比較器Ⅱ迅速翻轉,輸出變為高電平,立即將MOSFET關斷。
??? 2)短路保護
??? 對開關電源而言,短路是比過流更為嚴重的一種故障。一旦URS>0.75V,證明開關電源已出現短路故障,可能是負載短路等原因而造成的。見圖1所示。此時短路保護電路迅速起作用,比較器Ⅲ就輸出高電平,強迫MOSFET關斷。
??? 3)過熱保護
??? 當芯片的最高結溫TjM達到160℃時,立即關斷MOSFET,防止芯片過熱損壞。過熱保護有2℃的滯后溫度,僅當芯片溫度降低到158℃以下時,電路才能恢復正常工作。
??? 4)過壓保護
??? 當UREG>7.5V時,就進行過壓鉗位保護。
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