?、倨矫孓D換設計規范對于電源內部高頻開關器件，如功率VMOS管、高頻變壓器、整流管等，應盡可能地減少其電路電流的環路面積，且不要與其他導帶長距離平行分布。電源的輸入正端和地線應盡可能地靠近，以減小差模輻射的環路面積。設計布線時走線盡量少拐彎，拐彎處一般取圓弧形，因為直角或夾角會產生電流突變，產生EMI干擾。導帶上的線寬不要突變，無尖刺毛邊。

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　　圖1濾波器的原理圖為減小變壓器漏感的影響，采用初、次級交叉繞制的方法，并使其緊密耦合。盡可能采用罐型磁芯。由于罐型磁芯可以把所有的線圈繞組封在磁芯里面，因此具有良好的自我屏蔽作用，可以有效地減少EMI。

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　　圖2輸入輸出濾波電路為吸收上升沿和下降沿產生的過沖，并有可能造成的自激振蕩，在初、次級電路中增加R、C吸收網絡，以減少尖峰干擾。在調試時須仔細調整R、C的參數，確保電阻R1的值在30～200Ω，電容C1的值在100～1000P之間，以免影響變壓器的效率。

　?、诠β书_關管由于功率管工作于高頻通斷開關狀態，將產生電磁干擾EMI。當開關管流過大的脈沖電流時，大體上形成了矩形波，含有許多高頻成分。由于開關電源使用的元件參數(如開關管的存儲時間、輸出級的大電流、開關整流管的反向恢復時間)均會造成回路瞬間短路，產生很大短路電流。凡有短路電流的導線及這種脈沖電流流經的變壓器和電感產生的電磁場都可形成噪聲源。

　　開關管的負載是高頻變壓器，在開關管導通的瞬間，變壓器初級出現很大的涌流，造成尖峰噪聲。這個尖峰噪聲實際上是尖脈沖，輕者造成干擾，重者有可能擊穿開關管。

　　因此，須采取以下措施。優化功率管的驅動電路設計。通過緩沖電路，可以延緩功率開關管的通斷過程。采用R、C吸收電路，從而在維持電路性能不變的同時，降低其電磁干擾的EMI電平。

　?、?a target="_blank">整流二極管整流二極管在關斷期，由于反向恢復時間會引起尖峰干擾。為減少這種電磁干擾，必須選用具有軟恢復特性的、反向恢復電流小的、反向恢復時間短的二極管。肖特基勢壘二極管是多數載流子導流，不存在少子的存儲與復合效應，因而也就會產生很小的電壓尖峰干擾，故采取以下措施。

　　●采用R1、C1組成旁路吸收網絡。

　　●采用多個肖特基并聯分擔負載電流，有效地抑制整流二極管形成的EMI電平。3產品平面轉化時EMC設計技術影響產品EMC的方面很多。除了在線路上進行優化設計外，如何在基片有限的空間內合理的安排元器件的位置以及導帶的布線，也將直接影響到電路中各元器件自身的抗干擾性和產品的電磁兼容性EMC指標。