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本文主要介紹了研發(fā)的一款K u波段雙饋源高頻頭的設(shè)計(jì)方法。
項(xiàng)目要求的主要性能指標(biāo)
1.性能指標(biāo)要求
(1)輸入頻率:11 7 12.75GHz
(2)噪聲系數(shù):NF≤0.8dB
(3)增益:G=55±5dB
(4)鏡像抑制:≥30dB
(5)本振標(biāo)稱(chēng)頻率:10.75 GHz_1MHz
(6)本振穩(wěn)定度:f±2MHz
(7)載波互調(diào)比:>140 dB
(8)增益穩(wěn)定度:≤0.5 dB
(@/36MHz)
(9)輸出頻率:950~2000MHz
(10)一本振泄露電平:≤-50dBmW
(11)本振相位噪聲:
≥60dB(@/1KHz)
≥85dB(@/10KHz)
≥100dB(@/100KHz)
(12)使用電壓范圍:10--20V
2.結(jié)構(gòu)要求
樣品腔體采用鋁壓鑄件,腔體表面采用噴塑工藝處理。
3.環(huán)境適應(yīng)要求
(1)溫度要求
高頻頭工作溫度范圍一40℃—+60℃
(2)濕度要求
高頻頭在相對(duì)濕度5%一l00%的環(huán)境條件中應(yīng)能正常工作:
(3)大氣壓要求
高頻頭在以下大氣壓條件下的環(huán)境中應(yīng)能正常工作:86-106KPa
Ku波段雙饋源高頻頭的基本工作原理及系統(tǒng)框圖
1. 基本工作原理
Ku 波段高頻頭也稱(chēng)Ku波段下變頻器,其將衛(wèi)星傳輸?shù)南滦?a target="_blank">信號(hào)經(jīng)過(guò)天線聚集放大后傳送到LNB饋源波導(dǎo)輸入,再通過(guò)耦臺(tái)探針(或耦合微帶傳輸線)輸入到高頻放大器,經(jīng)低噪聲放大器放大后,通過(guò)帶通鏡像頻率抑制濾波器選擇所需頻段的P.F信號(hào).再和本振信號(hào)混頻差頻出中頻信號(hào),輸出信號(hào)通過(guò)電纜送入衛(wèi)星接收機(jī)完成QPSK解調(diào)和MPEG一2解碼工作.以A/v信號(hào)的模式提供給電視機(jī)。用戶(hù)可以通過(guò)控制信號(hào)選擇所需要的兩顆衛(wèi)星上任意一個(gè)星上的信號(hào)。
Ku波段雙饋源高頻頭主要單元電路設(shè)計(jì)
1. 場(chǎng)效應(yīng)管低噪聲放大器(FET LNA)
在設(shè)計(jì)一個(gè)放大器電路時(shí),需要考慮到的特性很多,但最重要的是穩(wěn)定性、功率增益、噪聲系數(shù)、輸出功率、輸入和輸出電壓駐波比、動(dòng)態(tài)范圍、功率增益帶內(nèi)平坦度等。本產(chǎn)品的低噪聲放大器采用的是NEC公司的NE4210S01場(chǎng)效應(yīng)管低噪聲放大器。場(chǎng)效應(yīng)管低噪聲放大器的作用是放大從腔體饋源饋入的微弱的信號(hào)。
(1) 第一級(jí)F盯LNA的設(shè)計(jì)
該電路處于高頻頭有源電路的最前端,因此采用最佳噪聲匹配。通常,任意有噪聲兩端口網(wǎng)絡(luò)可以用接在無(wú)噪聲兩端口網(wǎng)絡(luò)輸入端的一個(gè)噪聲電壓源和一個(gè)噪聲電流源來(lái)表示。假女Il電路以電壓噪聲為主.則采用一個(gè)高的源阻抗會(huì)使傳輸?shù)脑肼曅盘?hào)最小,假如以電流噪聲為主,則連接一個(gè)低的源阻抗會(huì)使傳輸?shù)脑肼曅盘?hào)最小。當(dāng)兩種噪聲源同時(shí)存在時(shí),從電路的最小噪聲系數(shù)將得出一個(gè)特定的源導(dǎo)納(或源阻抗),稱(chēng)之為最佳源導(dǎo)納。利角史密斯圓圖可以給出輸入導(dǎo)納或阻抗平面上的等噪聲系數(shù)圓。我們用下面的關(guān)系式來(lái)描述噪聲系數(shù)是如何偏離最小值而增加的:
F2Fmin+lKn/Gs】Ys-YoI
式中,F(xiàn)=噪聲系數(shù),F(xiàn)min=最小噪聲系數(shù),Rn=等效噪聲電阻,Yo=給出最小噪聲系數(shù)的最佳源導(dǎo)納=Go+jBo,Ys=源導(dǎo)納。
多級(jí)級(jí)聯(lián)放大器的噪聲系數(shù)計(jì)算公式如下:
NF=NFl+(NF2—1),Gl+((NF3—1)/Gl G2+….
從以上的公式可知,第一級(jí)放大器的噪聲系數(shù)對(duì)整個(gè)高頻頭產(chǎn)品的噪聲系數(shù)的大小會(huì)起到一個(gè)決定性的作用。
我們采用的微波電路板材是羅杰斯公司的高性能電路Rogers板材,其介電常數(shù)是3.38-+0 05,厚度是0.5mm,損耗角正切是0.0027。我們使用先進(jìn)的微波電路仿真軟件ADS進(jìn)行優(yōu)化仿真,再通過(guò)精心的調(diào)試,經(jīng)過(guò)幾次試驗(yàn)調(diào)試。最后達(dá)到了我們的設(shè)計(jì)要求,高頻頭的整機(jī)噪聲小于0.8dB,如下圖所示:
2.微帶帶通濾波器的設(shè)計(jì)
(1)帶通濾波器的主要技術(shù)指標(biāo):
①通帶邊界頻率與通帶內(nèi)衰減、起伏
?、谧鑾н吔珙l率與阻帶衰減
(2)微帶帶通濾波器的設(shè)計(jì)步驟
我們采用ADS軟件來(lái)設(shè)計(jì)該濾波器,設(shè)計(jì)步驟包括:
?、?原理圖繪制
?、陔娐穮?shù)的優(yōu)化、仿真
?、郯鎴D的仿真等
根據(jù)軟件仿真設(shè)計(jì)的結(jié)果繪制電路版圖,并加工成電路板。我們對(duì)加工好的電路進(jìn)行調(diào)試,再通過(guò)軟件進(jìn)行仿真,再調(diào)試,經(jīng)過(guò)幾次的反復(fù)仿真、譯試,使其滿足我們的設(shè)計(jì)要求。
我們?cè)O(shè)計(jì)的帶通濾波器達(dá)到的主要指標(biāo)如下:
①通帶頻率:11.7——l2.75GHz
?、谕◣?nèi)衰減小于3dB
?、弁◣?nèi)起伏小于ldB
?、茏鑾p大于30dB
3.介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的設(shè)計(jì)
介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器是利用微波介質(zhì)諧振器做為高Q腔對(duì)FET振蕩器進(jìn)行穩(wěn)頻的振蕩器。近年來(lái),用作介質(zhì)諧振器的低損耗材料有了非常大的進(jìn)步,介質(zhì)諧振器Q值已接近金屬空腔諧振器,而且它的溫度系數(shù)可以利用不同的材料配方來(lái)控制,以使其達(dá)到和FET電路相互補(bǔ)償?shù)淖饔?,因此可以獲得很高的頻率穩(wěn)定度。而且它的體積小、重量輕,容易和微帶電路部件集成使用。我們?cè)O(shè)計(jì)的介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器采用的電路形式是反饋式的電路,用的是微波砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管做為振蕩管,介質(zhì)振蕩器用做高Q穩(wěn)頻腔,這種的設(shè)計(jì)方案其主要優(yōu)點(diǎn)是一次產(chǎn)生主振功率,沒(méi)有低于主振頻率的分諧波干擾,而且體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、元?dú)饧?shù)量少、可靠性高。
介質(zhì)振蕩器的基本原理是在不加介質(zhì)諧振器時(shí),F(xiàn)ET電路是微波放大器的工作狀態(tài),此時(shí)沒(méi)有振蕩,為獲得自激振蕩,把介質(zhì)諧振器放置在輸出微帶線和輸入微帶線之間,通過(guò)磁場(chǎng)耦合把輸出功率的一部分反饋到柵極,當(dāng)反饋相位和反饋功率合適時(shí)將產(chǎn)生振蕩。介質(zhì)諧振器相當(dāng)于窄帶帶通濾波器,在介質(zhì)諧振器的中心頻率上,反饋?zhàn)顝?qiáng),相位合適。改變柵極和漏極微帶線的夾角和介質(zhì)的位置將同時(shí)改變反饋相位和功率,需反復(fù)湊試才能獲得最佳結(jié)構(gòu)位置。
振蕩器的設(shè)計(jì)包括輸出匹配電路和輸入匹配電路,介質(zhì)諧振器與微帶線耦合以及到FET的距離L等。我們通過(guò)ADS軟件仿真,做試驗(yàn),反復(fù)仿真、做試驗(yàn)驗(yàn)證,最后達(dá)到的介質(zhì)穩(wěn)頻振蕩器的主要設(shè)計(jì)指標(biāo)如下:
①本脈振標(biāo)稱(chēng)頻率:
10.75GHz±1MHz
②本振穩(wěn)定度:
10.75GHz±2MHz
(一40℃—+60℃)
③本振相位噪聲:
≥60dB(@/1KHz)
≥85dB(@/10KHz)
≥lOOdB(@/100KHz)
?、芤槐菊裥孤峨娖剑?/p>
≤一50dBmw
4饋源設(shè)計(jì)
按照Ku波段一體化高頻頭的要求,需要將反射面天線的饋源與下變頻器設(shè)計(jì)成一體,下行信號(hào)被天線饋源接收后通過(guò)波導(dǎo)同軸變換直接送入下變頻器,完成頻率轉(zhuǎn)換。設(shè)計(jì)中天線饋源使用圓錐波紋喇叭,采用變槽深、槽寬的寬帶技術(shù),使之在帶寬為1.05GHz的信號(hào)頻帶寬內(nèi)擁有良好的VSWR和輻射特性。HI SS仿真設(shè)計(jì)的結(jié)果見(jiàn)圖1、2、3。
由于衛(wèi)星高頻頭工作于室外,其工作溫度范圍應(yīng)達(dá)到一40?C~60℃,相對(duì)濕度應(yīng)滿足10%--100%,饋源口應(yīng)做密水處理。
產(chǎn)品創(chuàng)新性、先進(jìn)性
1. 腔體的雙饋源設(shè)計(jì)
根據(jù)客戶(hù)的要求,他們需要同時(shí)接收兩顆衛(wèi)星上的信號(hào)。針對(duì)客戶(hù)的特殊要求,在產(chǎn)品方案的設(shè)計(jì)中我們采用了雙饋源的設(shè)計(jì)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)同時(shí)接收兩顆星的信號(hào),利用反射面天線偏焦饋電技術(shù)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)夾角有一定度數(shù)的波束。.(分別用—個(gè)饋源接收一顆衛(wèi)星上的信號(hào))。在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要重點(diǎn)解決兩顆衛(wèi)星信號(hào)波束相互干擾等問(wèn)題。
2. 低噪聲
使用Microwave office和ADS進(jìn)行仿真和優(yōu)化,設(shè)計(jì)的Ku波段高頻頭的總噪聲系數(shù)NF≤0.8dB。
3. 功耗低
高頻頭的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)之一是低功耗,在輸入電壓為l3/18V的情況下,我們研發(fā)的Ku雙饋源高頻頭由于采用集成度高,低電流的管子,使其整機(jī)的供電電流Imax<120mA。
4. 新穎性
該產(chǎn)品由四創(chuàng)公司獨(dú)立自主研發(fā),從腔體和饋源口的設(shè)計(jì)、方案選擇、電路設(shè)計(jì)、元器件的選用、PCB板制作和產(chǎn)品外觀的設(shè)計(jì)上,在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上尚無(wú)雷同產(chǎn)品,其新穎獨(dú)特的外型必將受到廣大客戶(hù)的認(rèn)同。
5. 利潤(rùn)高
設(shè)計(jì)中我們大量采用國(guó)產(chǎn)和***的元器件,嚴(yán)格控制產(chǎn)品的成本。產(chǎn)品的材料成本小于5美金,而在國(guó)外市場(chǎng)該產(chǎn)品的售價(jià)約為10美金左右。利潤(rùn)空間較大。
6.可靠性好
由于衛(wèi)星高頻頭為室外使用產(chǎn)品,工作環(huán)境惡劣,對(duì)產(chǎn)品的可靠性指標(biāo)有很高的要求。為確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性,在設(shè)計(jì)確認(rèn)過(guò)程中我們完成了以下試驗(yàn):
(1)24小時(shí)浸水試驗(yàn)——未發(fā)現(xiàn)滲漏現(xiàn)象:
(2)—40 ℃和60 ℃連續(xù)拷機(jī)l 2個(gè)小時(shí)——本振穩(wěn)定在f0±1.5MHz內(nèi).無(wú)自激現(xiàn)象:
(2) 室外通電連續(xù)工作30個(gè)工作日——性能指標(biāo)正常。無(wú)異?,F(xiàn)象出現(xiàn)。
通過(guò)以上的實(shí)驗(yàn)檢驗(yàn)了產(chǎn)品在客戶(hù)端的使用可靠性。
總結(jié)
通過(guò)我們十幾年在高頻頭行業(yè)的技術(shù)、生產(chǎn)、市場(chǎng)等各方沉淀,形成的對(duì)高頻頭產(chǎn)品的深刻見(jiàn)解,以客戶(hù)實(shí)際使用為客觀條件,成功開(kāi)發(fā)了一款Ku波段雙饋源衛(wèi)星高頻頭,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)指標(biāo)。通過(guò)與國(guó)際市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品相比,我們研發(fā)的雙饋源Ku高頻頭在噪聲系數(shù)、本振穩(wěn)定度、增益平坦度等主要性能指標(biāo)上,擁有明顯的性能指標(biāo)優(yōu)勢(shì),是一款優(yōu)良的高性?xún)r(jià)比的Ku波段下變頻器。產(chǎn)品目前在國(guó)內(nèi)技術(shù)上處于領(lǐng)先地位,在國(guó)際上也是很右競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
評(píng)論
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