傳統(tǒng)的帶隙電壓基準源面積大、功耗大、不適應低功耗小面積的要求。本文立足于低功耗、小面積、利用工作于弱反型區(qū)晶體管的特點，對傳統(tǒng)的帶隙電壓基準源做出改進，設計了一款
2011-10-09 11:22:04
1762 
帶隙基準電壓源的目的是產生一個對溫度變化保持恒定的量，由于雙極型晶體管的基極電壓VBE，其溫度系數在室溫(300 K)時大約為-2.2 mV/K
2011-11-23 09:19:323218 
基準電壓是集成電路設計中的一個重要部分，特別是在高精度電壓比較器、數據采集系統(tǒng)以及A／D和 D／A轉換器等中，基準電壓隨溫度和電源電壓波動而產生的變化將直接影響到整個系統(tǒng)的性能。因此，在高精度的應用場合，擁有一個具有低溫度系數、高電源電壓抑制的基準電壓是整個系統(tǒng)設計的前提。
2021-02-22 10:36:413721 
今天和大家分享一下基準電壓源(一般稱為Vref)的一些設計知識。首先基準電壓源，顧名思義，其輸出電壓是很穩(wěn)定的，可以作為穩(wěn)定性要求高的一些場合，作為基準源使用，尤其是一些需要穩(wěn)定電源的ADC芯片
2022-09-06 17:00:563491 
電子設備必須能夠將真實世界的測量結果(速度、壓力、長度、溫度)映射到電子世界中的可測的量(電壓)。當然，要測量電壓，您需要一個衡量標準，該標準就是基準電壓。對系統(tǒng)設計人員而言，問題不在于是否需要基準
2023-07-17 11:40:001247 
本次仿真的是2018年的論文[1]，無三極管和電阻的，利用CMOS亞閾值導電指數特性做溫度補償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，溫度特性好，但基準輸出值不太好調節(jié)。
2023-11-21 18:25:33751 
傳統(tǒng)的帶隙電壓基準如圖1所示，雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數，而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負溫度系數，如果將兩個電壓進行相加，理論上就可以通過設計合適的參數實現零溫度系數電壓，如圖2。具體可以參考拉扎維模集的第12章的內容。
2023-12-15 15:47:27435 
一般IC中都有一個引腳為Vref,基準電壓的意思。那么基準電壓有什么作用呢？ 一般怎么連接呢？
2017-04-20 17:43:45
基準電壓簡介 基準電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實際上就是0點電壓。其表示符號為V（0），該值出廠時標定，由于傳感器的溫度系數
2021-11-12 09:11:30
電壓之間的差異 (VGS-VTH)。與雙極性器件不同，無論在弱反相情況下還是在強反相情況下，失調和失調漂移在 CMOS 器件中都沒有關聯性。 CMOS 放大器設計中的其它挑戰(zhàn)還包括較高的電壓噪聲閃爍與白
2018-09-13 10:08:21
電源基準芯片常用于輸出所要求的電壓值，能夠比用電阻直接分壓獲得更精確的電壓輸出，更小的電壓紋波。那么電壓基準芯片有什么其他方面的用處，例如可以用來當作可控開關使用，三端基準芯片正負加上負載電壓，基準
2024-01-17 23:10:59
忽視或錯誤規(guī)定的長期漂移和遲滯能成為系統(tǒng)準確度的限制。系統(tǒng)校準雖然能夠消除 TC 和初始準確度誤差，但只有頻繁的校準才能消除長期漂移和遲滯。亞表齊納基準 (如 LT1236 ) 具有最好的長期漂移和遲滯特性，但它們不像這些新型帶隙基準那樣能夠提供低輸出電壓選項、低電源電流和低壓工作電源。
2019-08-02 06:36:09
的，AD7606的輸出方式是二進制補碼，對吧？轉化為實際十進制值的時候，按照手冊上圖中的公式是不是有錯誤啊？
我的想法是：輸出十進制數值=（AD7606的輸出碼）/65536*基準電壓
我的這個式子對么？但是這個基準電壓到底帶入什么值？2.5還是4.5？？？？
求工程師解答啊。感謝！！！
2023-12-13 06:24:26
AD7674芯片使用外部基準電壓，在ADC工作的時候基準電壓對地值會被拉低，ADC不工作的時候恢復正常。ADC摘掉基準電壓也恢復正常。
基準電壓芯片位REF02，推測它的帶載能力不夠，在后面加了電壓跟隨電路。加入電壓跟隨電路后，基準電壓正常工作，跟隨電路輸出電壓會被拉低。
請問如何解決？
2023-12-08 07:46:26
請問各位，我想知道ADUC361的外部基準電壓最大值是多少，手冊上只提到了2.5V，我想用3V的是否可以？謝謝各位。
2024-01-11 08:27:33
在嵌入式芯片AD采樣的時候，需要根據基準電壓確定采樣值和顯示值反映實際的數值關系；
1、基準電壓是3V，2^12次方4096級采樣，也就是0-3V對應0-4095，假設此時軟件依舊按照3.3V的基準
2024-03-21 21:54:19
指示出什么顏色代表什么區(qū)域，謝謝了！舉例，VIHX線往上方邊界Vcc看，中間包含的藍色和條紋帶都能被認為是高電平。是可靠電平。左邊2個是ttl邏輯電路不同供電電壓時情況；右邊2個是cmos邏輯電路
2008-07-21 10:22:44
端之間的壓控電阻。通過調整其內部電阻，使VIN值與內部電阻的壓降之差(等于VOUT端的基準電壓)保持穩(wěn)定。因為電流是產生壓降所必需的，因此器件需汲取少量的靜態(tài)電流以確保空載時的穩(wěn)壓。串聯型電壓基準具有
2009-11-20 11:04:08
基準電壓源有很多形式并提供不同的特性，但歸根結底，精度和穩(wěn)定性是基準電壓源最重要的特性，因為其主要作用是提供一個已知輸出電壓。相對于該已知值的變化是誤差。為什么需要基準電壓源？
2019-07-30 07:40:43
什么是基準電壓源？看到了論壇有電壓源的貼子，想問下什么是基準電壓源？求大蝦指教啊
2011-12-27 13:48:15
具有低漂移滿量程調整的LT1021BCH-5 CMOS DAC參考的典型應用。 LT1021是一款精密基準電壓源，具有超低漂移和低噪聲特性，極佳的長期穩(wěn)定性以及對輸入電壓變化的幾乎完全抗擾度。參考輸出的源電流和吸收電流均高達10mA
2020-04-02 10:00:45
AP2138超低靜態(tài)電流CMOS Ldo的典型應用。 AP2138 / 2139系列是基于CMOS的正電壓穩(wěn)壓器IC。這些IC中的每一個都包括一個電壓基準，一個誤差放大器，一個用于設置輸出電壓的電阻網絡和一個用于電流保護的限流電路
2020-07-31 09:56:46
基準;LDO穩(wěn)壓器;溫度系數;電源抑制比;運算放大器 CMOS帶隙基準電壓源不但能夠提供系統(tǒng)要求的基準電壓或電流，而且具有功耗很小、高集成度和設計簡便等優(yōu)點，廣泛應用于模擬集成電路和混合集成電路中。帶隙
2018-10-09 14:42:54
始于室溫條件。在返至室溫前，環(huán)境溫度會斜降/斜升到設備的最小值和最大值。溫度循環(huán)前后，在25℃條件下測量基準電壓，并將差值記錄為熱滯后。熱滯后是由施加于封裝的應力和由于熱膨脹等熱效應應力消失
2019-07-22 04:45:03
想請教各位大神，想看掃描溫度，然后用hspice看vth值，語句怎么寫？
2021-06-25 06:57:34
作熱遲滯。熱遲滯不受溫度系數和時間漂移影響，降低了初始電壓校準的有效性。在接下來的溫度周期中，大多數基準都會圍繞標稱輸出電壓變化，因此熱遲滯通常限制到一個可預測的最大值上。每個制造商都用自己的方法規(guī)定熱
2018-06-29 09:48:54
是基于BSIM，參數超級多，有考慮到很多二級效應。如果直接用工藝庫的參數vth0，UnCox來計算的話，會發(fā)現計算的值和仿真的值相差比較大（我覺得可能是因為仿真用的公式不是我們學的平方率公式）。因此就需要
2022-07-15 17:54:48
的閾值電壓，也有些工程師稱之為門坎電壓，就是功率MOSFET的導通電壓，從字面上來理解，如果柵極的驅動電壓VGS到了VTH值，功率MOSFET就會導通，那么這里的導通，是完全導通，還是沒有完全導
2016-11-08 17:14:57
集中度，決定了閾值電壓VTH的大小。在很多電力電子和電源系統(tǒng)中，使用得最多的是通用驅動的功率MOSFET，也就是使用12V或15V的柵極驅動電壓。這種類型功率MOSFET的VGS的額定值為±30V
2016-11-14 14:09:26
索尼公司近日在日本發(fā)布了一枚新型CMOS傳感器，該傳感器最大的特點是采用了類似富士Super CCD一樣的像素排列方式，每個感光元件都是以45度角安置的。 這種設計的主要目的是提高點位面積
2018-11-20 17:00:12
AD7674芯片使用外部基準電壓，在ADC工作的時候基準電壓對地值會被拉低，ADC不工作的時候恢復正常。ADC摘掉基準電壓也恢復正常。基準電壓芯片位REF02，推測它的帶載能力不夠，在后面加了電壓跟隨電路。加入電壓跟隨電路后，基準電壓正常工作，跟隨電路輸出電壓會被拉低。請問如何解決？
2018-07-24 10:40:58
式是二進制補碼，對吧？轉化為實際十進制值的時候，按照手冊上圖中的公式是不是有錯誤啊？我的想法是：輸出十進制數值=（AD7606的輸出碼）/65536*基準電壓我的這個式子對么？但是這個基準電壓到底帶入什么值？2.5還是4.5？？？？求工程師解答啊。感謝！！！
2018-08-16 07:05:38
為什么要設計一種新型電壓基準電路？怎樣去設計一種新型電壓基準電路？
2021-04-22 06:37:20
摘要：隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按比例不斷縮小，對芯片面積的挑戰(zhàn)越來越嚴重，雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個非常嚴重的問題。鑒于此，本文提出了一款高精度的基準電壓源
2018-11-30 16:38:24
摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準源以及它們的關鍵
2009-04-27 11:12:06
42 高級基準電壓Vbandgap IC設計:在本文中，主要討論在CMOS 技術中基準產生的設計著重于公認的“帶隙”技術，即是與電壓，溫度變化無關的基準電壓。[關鍵詞]電壓基準，電流基
2009-11-01 14:35:4434 選擇最佳的電壓基準源摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了
2009-12-07 14:32:2345 一種抵消曲率系數的高精度低溫漂CMOS帶隙基準的設計:傳統(tǒng)的帶隙基準使用PTAT電壓對三極管Vbe的溫度系數進行線性補償來得到與溫度無關的基準電壓，但由于忽略了Vbe的曲率系數
2009-12-21 10:15:4620 選擇最佳的電壓基準源供稿：美信摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討
2010-01-08 23:02:3077 電壓基準是模擬集成電路的重要單元模塊，本文在0.35um BiCMOS 工藝下設計了一個帶隙基準電壓源。仿真結果表明，該基準源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V，在-45℃～105℃范圍
2010-01-11 11:42:0531 本文提出了一種結構簡單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結果表明，基準輸出電壓在溫度為-40～+80℃時，溫度系數為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 采用二級溫度補償對傳統(tǒng)電流模式結構的帶隙基準電壓電路進行改進，基于chartered 0.35um cmos工藝，使用cadence spectre進行仿真，結果表明工作電壓為2v時，電路可以輸出100mv—1.8v的寬范
2010-02-23 11:39:5428 電壓基準及時間基準基礎知識
所有模數轉換器和數模轉換器都需要一個基準信號,通常為電壓基準.
2010-06-11 15:01:3139 本文提出了一種結構簡單高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結果表明，基準輸出電壓在溫度為-40～+80℃時，溫度系數為45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 在對傳統(tǒng)典型CMOS帶隙電壓基準源電路分析基礎上提出了一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準源。電路運用帶隙溫度補償技術,采用共源共柵電流鏡,兩級運放輸出用于自身偏置電路
2010-08-03 10:51:340 基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件，運用CMOS電流模基準對CATA和PTAT電流求和的思想，提出一種具有低溫漂系數、高電源抑制比（PSRR）的CMOS電壓基準源，該電路可同時提供多個輸出基準電
2010-12-30 10:25:5326 結合工作在亞閾值區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)的MOS管，提出一種純MOS結構的基準電壓源，其結構能有效補償MOS管的載流子遷移率和亞閾值斜率的溫度系數。基于SMIC0.13μm的CMOS工藝的仿真結
2011-01-04 16:17:3127 選擇最佳的電壓基準源
摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出
2009-01-23 22:03:121804 
精密基準方波基準電壓源電路圖
2009-04-15 09:00:271216 
摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準源以及它們的關鍵
2009-04-29 11:30:23595 
摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準源以及它們的關鍵
2009-05-03 14:42:34474 
摘要：電壓基準源簡單、穩(wěn)定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準源以及它們的關鍵
2009-05-06 09:29:30535 
引言
模擬電路中廣泛地包含電壓基準(reference voltage)和電流基準(current reference)。在數/模轉換器、模/數轉換器等電路中，基準電壓的精度直接決定著這些電路的
2010-09-30 10:11:553772 
低電壓高精度CMOS基準電流源設計
2011-01-24 15:10:1795 基準電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個非常重要的構成單元。結合近年來的設計經驗,首先給出了帶隙基準源曲率產生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-05-25 14:52:4434 基準電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對其進行分析和研究具有重要意義。本文通過Hspice對四種MOS管基準電壓源電路進行仿真，給出了電路圖、電路參數和仿真結果。
2011-08-11 10:24:171551 
基準電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個非常重要的構成單元。結合近年來的設計經驗,首先給出了帶隙基準源曲率產生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-09-27 14:30:5258 在傳統(tǒng)帶隙基準電壓源電路結構的基礎上，通過在運放中引入增益提高級，實現了一種用于音頻-A/D轉換器的CMOS帶隙電壓基準源。在一階溫度補償下實現了較高的電源抑制比（PSRR）和較
2012-10-10 14:49:5043 在數／模混合集成電路設計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于SMIC0.35 m的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給
2013-01-22 14:52:1252 根據汽車發(fā)動機控制芯片的工作環(huán)境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應用在發(fā)動機控制芯片中的帶隙基準電壓源電路。該電路采用0.18 m CMOS工藝，采用電流型帶隙基準電壓源結構
2013-09-26 17:06:1233 。本電路采用TSMC 0.18 μm混合信號CMOS工藝，仿真結果顯示，輸出基準電壓為1.213 V，靜態(tài)電流為538 nA，在-55～125 ℃溫度范圍內，溫度系數僅為10.58 ppm/℃，低頻時的電源抑
2015-12-08 11:40:2517 一種低溫度系數的全CMOS基準電流源_羅彥彬
2017-01-08 10:18:574 低溫漂系數共源共柵CMOS帶隙基準電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:075 一種低功耗差動CMOS帶隙基準源
2017-01-14 12:38:406 CMOS基準電流源
2017-01-22 20:29:2131 首先，考慮您的應用是否需要一個并聯電壓基準或一個串聯電壓基準。您不必立即選定一個拓撲結構，但它有助于了解每一應用的最佳用例。若您不熟悉并聯電壓基準和串聯電壓基準之間的差異，就此話題我寫了
2018-07-10 09:26:003061 一種新型的高電源抑制比基準電流源電路的設計
2017-05-03 15:02:368 帶隙是導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差。也稱能隙。帶隙越大，電子由價帶被激發(fā)到導帶越難，本征載流子濃度就越低，電導率也就越低帶隙主要作為帶隙基準的簡稱，帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種
2017-11-24 15:45:2022131 
本文為大家介紹一個cmos無運放帶隙基準源電路。
2018-01-11 16:52:5014756 
基準電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。本文介紹了基準電壓定義、基準電壓用途以及常見基準電壓芯片。
2018-01-29 09:14:1837136 
本文介紹了基準電壓芯片的作用，詳細介紹了電壓基準芯片的分類與電壓基準芯片參數解析，最后介紹了TL431-2.5v基準電壓芯片幾種基本用法。
2018-01-29 09:25:53109489 
本文介紹了基準電壓計算方式、基準電壓與系統(tǒng)的相關性與2.5v基準電壓芯片及5v基準電壓芯片型號大全，最后介紹了5V與10v的基準電壓源電路圖。
2018-01-29 10:03:5135484 
本文主要詳解單電壓基準與雙電壓基準區(qū)別，分別從三個拓撲結構，性能方面的不同以及占用的空間和成本方面來詳細的解說。
2018-04-16 10:57:3018373 
基準電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實際上就是0點電壓。其表示符號為V（0），該值出廠時標定，由于傳感器的溫度系數S相同，則只要知道基準電壓值V（0），即可求知任何溫度點上的傳感器電壓值，而不必對傳感器進行分度。
2018-04-16 11:12:1133867 本文將簡要介紹電壓基準的結構和特性，并描述如何選擇電壓基準。舉例來說，它將引入ADI公司ADR43x系列的電壓基準，以說明設計人員可利用的各種特性，增強功能和特性，以充分利用現代電壓基準。在此過程中
2019-09-29 14:46:199117 
的新型絕對溫度互補（ctat）電壓發(fā)生器和一種基于子vth mosfet的vgs疊加的改進的絕對溫度比例（ptat）電壓發(fā)生器。由于ctat電路實現負tc的減小絕對值，ptat電路在不消耗較大芯片面積的情況下實現了降低功耗。該子bgr電路采用標準的0.18μm cmos工藝實現。測試結果表明，在功耗僅為8
2019-09-30 08:00:002 電壓基準
2021-04-12 21:20:385 電壓基準
2021-06-16 10:56:2425 基準電壓簡介 基準電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實際上就是0點電壓。其表示符號為V（0），該值出廠時標定，由于傳感器的溫度系數
2021-11-07 18:21:037 QA 問：ADC和DAC的基準類型 所有模數轉換器（ADC）和數模轉換器（DAC）都需要具備基準電壓（通常是一個電壓）。該基準電壓源是ADC和DAC系統(tǒng)中的必要模塊。有些轉換器需要內部基準，而有
2021-12-10 09:41:274431 還有什么比基準電壓源（簡單、恒定的基準電壓）更基本的呢？與所有設計主題一樣，需要權衡取舍。本文討論不同類型的基準電壓源、其關鍵規(guī)格以及設計權衡，包括精度、溫度獨立性、電流驅動能力、功耗、穩(wěn)定性、噪聲和成本。
2023-02-27 14:37:20790 
還有什么比基準電壓源（簡單、恒定的基準電壓）更基本的呢？與所有設計主題一樣，需要權衡取舍。本文討論不同類型的基準電壓源、其關鍵規(guī)格以及設計權衡，包括精度、溫度獨立性、電流驅動能力、功耗、穩(wěn)定性、噪聲和成本。
2023-03-15 11:29:43935 
在圖 1 所示的原理圖中，TLV431 可調分流基準配置為開環(huán)操作，這意味著輸出未連接到反饋引腳。 相反，信號VX通過電阻分壓器驅動反饋引腳。 電阻分壓器的設置使得當VX處于閾值電壓VTH時，反饋引腳上的值等于內部基準電壓。
2023-04-11 09:17:281518 
并 聯電壓基準 高精度微功耗 在 新 能源汽車與光伏等應用場景中需要收集聲、光、溫度等模擬環(huán)境數據，后通過模數轉換器將其轉換成數字信號再進行處理。在此過程中，不受輸入電壓或環(huán)境溫度等條件影響的高性能
2023-08-01 12:15:02753 高、速度快等優(yōu)點，在眾多電子設備中應用廣泛。其中，基準電壓就是一個比較重要的參數，而基準電壓的溫度系數是指在不同溫度下電路帶來的基準電壓變化情況。 通常來說，CMOS電路中使用的帶隙基準技術，具有多晶硅、硅谷能帶、亞穩(wěn)態(tài)等技術，但是這些技術都存在著一定的溫度漂移問題。而在實際
2023-10-23 10:29:11318
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