本設(shè)計采用兩個光耦給成：E1 為過電壓保護電路，E2 組成電壓反饋電路，R14、R15 組成采樣電阻。關(guān)于各電阻器阻值的確定如下。本電路反饋來自13.8V+,R14 采樣電壓來自13.8V 電感后側(cè)， 而R12 上端接在電感器前面。R14 的確定：要確定R14 首先要確定R15.R15 的值不是任意取的， 要考慮兩個因素：(1)TL431 參考輸入端的電流，一般此電流為2uA 左右，為了避免此端電流影響分壓比和避免噪音的影響，一般取流過電阻R15 的電流為參考段的100 倍以上，所以此電阻要小于2.5V/200uA=12.5K.(2)待機功耗的要求，如有此要求，在滿足小于12.5K 的情況下盡量取大值。在這取R15 為可調(diào)的5K 變阻器，再根據(jù)分壓定律算出R14 取18K.

　　TL431 要求有1mA 的工作電流， 也就是在R11 的電流接近于零時，也要保證TL431 有1mA 的電流，所以R12<=1.2V/1mA=1.2K 即可。

　　除此以外也是功耗方面的考慮。R11 的取值要保證FSDM 控制端取得所需要的電流，用H11817A 時，其CTR=2-4,取低限2,要求流過光二極管能承受最大電流=6/2=3mA, 所以R11<=(14.4-2.5-1.2)/3=3.56K,光二極管能承受的最大電流在50mA 左右，TL431 為100mA, 所以我們?nèi)×鬟^R11 的最大電流為50mA,R11>(14.4-2.5-1.2)/50=214 歐姆。

　　同時滿足以上兩個條件，在這里我們?nèi)?K.

　　R13、C26 形成一個在原點的極點，用于提升低頻增益，來壓制低頻(100Hz)紋波和提高輸出調(diào)整率，即靜態(tài)誤差， R13、C26 形成一個零點，來提升相位，要放在帶寬頻率的前面來增加相位裕度，具體位置要看其余功率部分在設(shè)計帶寬處的相位是多少， R13、C26 的頻率越低，其提升的相位越高，當(dāng)然最大只有90 度，但其頻率很低時低頻增益也會減低，一般放在帶寬的1/5 初，約提升相位78 度。

　　2.4 高頻變壓器設(shè)計

　　高頻變壓器作為開關(guān)電源的心臟，它的設(shè)計尤為重要，它將占用整個設(shè)計的大部分時間，設(shè)計過程請參閱文獻1 中反激式開關(guān)電源磁性元件的設(shè)計。由于篇幅的限制，在這只提供本設(shè)計的變壓器，參數(shù)如下：

　　(1)磁芯骨架：立式EC2828,12 腳(腳距5mm,排距25mm)。

　　(2)磁芯材料：EC2828, 盱胎歐歌，AL=2710nH/N2(± 25%)。

　　(3)變壓器初級電感量(變壓器1 腳和2 腳之間)：LNp=0.5~1.0mH.

　　(4)絕緣要求： Np、Nf 對Ns1 和Ns2 耐壓3kVAC 60S 、1mA 漏電流。

　　(5)繞制順序及規(guī)格為：首先繞原編二分之一(φ0.3*2)、5V2(φ1)、12V(φ0.3)、5V1(φ0.3)、原編另外二分之一(φ0.3*2)、反饋繞組(φ0.3)。G隙寬：中心磁柱間距：0.373452mm.

　　注意事項：每個繞組均勻繞在骨架中間，每繞完一個繞組包2mm厚的絕緣膠帶。

　　3.樣板試驗測量結(jié)果

　　3.1 各電壓紋波測量結(jié)果

　　開關(guān)電源紋波的測量基本要求為： 使用示波器AC 耦合，20MHZ帶寬限制， 拔掉控頭的地線， 以測到準確的波形， 在本電源板中，對5V2+的要求比較嚴格，要嚴格控制它的紋波，以下測得當(dāng)加2.5 歐姆電阻(80%負載)時測得紋波為空載的兩倍，如下圖3 所示。

　　

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　　圖3 5V2+80%負載時波形圖。

　　3.2 電磁兼容實驗

　　當(dāng)檢測紋波通過時考慮到現(xiàn)場環(huán)境問題，還得分別做電磁兼容實驗和環(huán)境實驗，電磁兼容實驗包括：浪涌、快速脈沖群和靜電抗擾。在本次測試中開關(guān)電源主板裝入某一終端進行測試。差模打±2000V,共模打±4000V.具體方法參照國家電磁兼容性相關(guān)標準。

　　4.結(jié)論

　　反激式開關(guān)電源比起線性電源和其他類型的開關(guān)電源，具有紋波大的特點。但通過輔助電路可以減少它的輸出紋波。以FSDM0565R 為核心設(shè)計的多輸入多輸出反激式開關(guān)電源，不但有體積小、效率高、性能穩(wěn)定的特點， 而且在電磁兼容和高溫測試中都表現(xiàn)出了很好的性能，取得了很好的性能，但本次設(shè)計和測試到投入生產(chǎn)經(jīng)過了兩個月的時間，所以本人也在做一個開關(guān)電源的仿真，通過仿真和模塊化可以大大減少研發(fā)周期和成本。