電力電子應用會議（APEC） - 407展臺 -北卡羅納州 – 2015年3月17日-推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN），和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關系，把基于氮化鎵（GaN）的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N （TPH3202PS）和NTP8G206N （TPH3206PS） 600 V GaN共源共柵（cascade）晶體管和使用這些器件的240 W參考設計。

　　安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“GaN晶體管為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢，基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿，并加速市場的廣泛采納。”

　　兩款新品NTP8G202N （TPH3202PS） 和 NTP8G206N （TPH3206PS），導通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ，采用優(yōu)化的TO-220封裝，易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600 V產(chǎn)品均已使用JEDEC標準認證并在量產(chǎn)。

　　NCP1397GANGEVB （TDPS250E2D2）評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現(xiàn)和評估他們的電源設計中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+ 千赫茲（kHz）運行時實現(xiàn)，而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容（EMC）性能。完整的文檔請從安森美半導體網(wǎng)站獲取。

　　蒞臨安森美半導體在2015 APEC的 407展臺（Transphorm – 1317展臺）觀看關于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機驅動器的演示。

　　關于Transphorm

　　Transphorm正在重新定義電源轉換，提供具成本競爭力、易于嵌入的電源轉換模塊，降低代價高昂的電能損失超過50%，簡化用于太陽能面板及電動汽車的電機驅動器、電源和變頻器的設計及生產(chǎn)。從材料技術及器件制造到電路設計及模塊封裝，Transphorm均設計及提供符合全球客戶需求的電源轉換器件及模塊。Transphorm創(chuàng)建了一個電氣系統(tǒng)制造商生態(tài)系統(tǒng)，加速專用電源模塊的采用，為優(yōu)化能效的下一代電氣系統(tǒng)開辟道路。

　　關于安森美半導體

　　安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的業(yè)務網(wǎng)絡。