在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。

圖1：開關(guān)損耗

讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)MOSFET，呈線性增加。對(duì)降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講，該電流是負(fù)載電流，而漏源電壓（VDS）是輸入電壓（VIN）。因此，在第二個(gè)時(shí)段（t2），功率損耗可通過等式1表示：

MOSFET的輸入寄生電容沖完電后，負(fù)載電流流經(jīng)MOSFET，而VDS開始下降。這一時(shí)間也被稱為“米勒時(shí)刻”，因?yàn)檫@一時(shí)間主要是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時(shí)刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開始下降。在這段時(shí)間內(nèi)的功率損耗通過等式2表示：

在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果：

注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段（t3）短得多。因此，在這些等式中，你可以估算在t3時(shí)段中的損耗。在一個(gè)時(shí)段這些有限的過渡時(shí)間會(huì)出現(xiàn)兩次：MOSFET導(dǎo)通（為寄生電容充電）時(shí)出現(xiàn)一次，而當(dāng)它關(guān)閉（為寄生電容放電）時(shí)出現(xiàn)一次。因此，在這兩種情況下估算時(shí)間t3作為MOSFET的上升和下降時(shí)間，您可使用等式4估算開關(guān)損耗：

開關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關(guān)頻率較高時(shí)，總效率相對(duì)降低。在輕負(fù)載時(shí)，LM2673非同步降壓穩(wěn)壓器進(jìn)入非連續(xù)導(dǎo)通模式。在此模式下，該設(shè)備仍保持開關(guān)頻率。在每一個(gè)周期，功率仍在集成電路（IC）內(nèi)部消散。因此，即使導(dǎo)通損耗在輕負(fù)載時(shí)并非一個(gè)因素，但由于一直存在開關(guān)損耗，設(shè)備的效率會(huì)受到影響。并且由于傳遞到輸出的平均功率很低，因此該裝置的總效率也會(huì)較低。

SIMPLE SWITCHER?系列新型穩(wěn)壓器現(xiàn)配備脈沖頻率調(diào)制（PFM）技術(shù)，在負(fù)載降低時(shí)，其會(huì)降低開關(guān)頻率。這樣可以使穩(wěn)壓器保持高效率，直到負(fù)載降低極低的程度或無負(fù)載。

由于LM2673屬于非同步設(shè)備，它具有一個(gè)在MOSFET關(guān)斷時(shí)被正向偏置的箝位二極管。非零渡越時(shí)間的原則也同樣適用于該箝位二極管。但二極管的電壓擺動(dòng)剛從接地?cái)[向二極管的正向電壓降（VF），此時(shí)在二極管中的開關(guān)損耗可忽略不計(jì)。您也可以忽略電感磁心的開關(guān)損耗，因?yàn)槿鏛M2673的SIMPLE SWITCHER穩(wěn)壓器的開關(guān)頻率相對(duì)較低，僅為250 kHz。

我將討論MOSFET和直流/直流穩(wěn)壓器電路的無源部件的導(dǎo)通損耗，并列出一個(gè)等式來計(jì)算總損耗和產(chǎn)生的效率。