零壓開關(ZVS)相移轉換器被廣泛用于滿足電源應用市場,比如電信電源、主機計算機-服務器以及高功率密度和高效率是必需的任何應用。為了達到這個目標,我們必須最大限度地減小功率損失和電抗值,這可以通過
2020-09-22 12:36:04934 MOSFET 功率開關是開關模式電源轉換器里最重要的元件,如果它被集成進 IC里,這種器件便可以被稱作轉換器;如果它被外置,能夠驅動它的器件便可以被稱作控制器,這樣的定義并無什么標準可言,但我自己
2020-12-24 16:43:472531 本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析,幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷的過程,然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線,來理解其開通關斷的過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:48549 Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關應用而言,MOSFET寄生二極管的恢復特性可能是個缺點。相反,由于IGBT組合
2018-08-27 20:50:45
選擇時起著作用。在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關應用而言,MOSFET寄生二極管的恢復特性可能是個
2021-06-16 09:21:55
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個基本條件:1
2018-07-13 09:48:50
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個基本條件
2018-11-21 15:52:43
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個基本條件:1
2018-07-18 10:09:10
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性在功率轉換中,MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間:Td(on)、上升時間:tr
2018-11-28 14:29:57
MOSFET可以得到充分利用。此外,碳化硅MOSFET也可應用更高的開關頻率,因而可以實現體積更小,更加緊湊的電源轉換器設計。 沒有免費的午餐 當然,世上是沒有免費午餐的,在內部體二極管和寄生參數方面
2023-03-14 14:05:02
特性優于PowerMESH IGBT。 另一方面,硬開關轉換器在開關導通和關斷過程中會發生功率損耗現象,因此,開關損耗也必須考慮在內。開關損耗的主要誘因是續流二極管的反向恢復電荷,在導通過
2018-11-20 10:52:44
不足的情形發生。此外,當轉換器的工作環境發生變化,如溫度、濕度、或零件老化等,都可能造成系統穩定度的改變,甚至導致電源系統不穩定。本文探討因應原設計參數改變而采用相位提升電路,以改善系統穩定度,并以立
2019-07-23 07:27:19
的過渡過程分段轉化成矩形和三角形面積,利用式(3)可以計算出這個損耗。 分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。 開通期間,過渡過程是由整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電(PoE)輸入整流器中,低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同,N
2021-04-09 09:20:10
開關過程中還會激起電路分布電感和寄生 電容的振蕩,帶來附加損耗,因此,硬開關DC/DC轉換器的開關頻率不能太高。軟開關DC/DC轉換器的開關管,在開通或關斷過程中,或是加于 其上的電壓為零,即零電壓開關
2018-12-25 22:32:59
在這里,以“開關穩壓器的特性和評估方法”為主題,說明開關式DC/DC轉換器最佳設計所須特性的理解及評估方法。使用開關穩壓器用的IC,對電路基板進行包括開關穩壓器在內的板載化已經不再罕見。開關穩壓器
2018-11-29 14:18:43
開關穩壓器有許多種類,分類方法也視其觀點而各有不同。在這里,根據輸入電源的區別、電路方式以及功能和工作的區別來分類。根據開關穩壓器的電路方式來分類DC/DC轉換器▼非絕緣型異步整流式同步整流式▼絕緣
2018-11-29 14:18:00
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。在
2021-10-28 06:56:14
/DC轉換器的設計案例。另外,功率開關使用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)MOSFET。與Si半導體相比,SiC是一種損耗低且具有優異的高溫工作特性的新一代半導體材料。提起SiC半導體
2018-11-27 17:03:34
。 FAN7631 可用于諧振轉換器拓撲,如串聯諧振、并聯諧振以及 LLC 諧振轉換器。特性:?占空比為 50% 的變頻控制,用于半橋式諧振轉換器拓撲?高效率及零電壓開關 (ZVS)?工作頻率高達
2021-09-17 01:03:04
電路應運而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負載波動范圍內調節輸出,而開關頻率波動卻較小。在整個工作范圍內,能夠獲得零電壓開關(ZVS)半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
在整個負載范圍(包括輕載)下都是以ZVS (zero voltage switching, 零電壓開關)條件工作,從而實現高效率;
2020-03-27 09:02:00
近來,]2. LLC 電路的特點LLC]1. LLC 轉換器可以在寬負載范圍內實現零電壓開關。2.]3. 采用頻率控制,上下管的占空比都為50%.4.]5. 無需輸出電感,可以進一步降低系統成本
2020-07-14 07:00:00
?內部自舉二極管?欠壓鎖定?支持Intel?電源狀態4?熱警告輸出?熱關機應用:筆記本電腦、臺式電腦和Ultrabook服務器和工作站臺式機和一體機DC-DC轉換器,大電流DC-DC負載轉換器小型電壓調節器模塊
2021-07-14 19:55:16
OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
、售前服務及服務,給用戶提供最優質最具競爭力的產品以及最人性化最貼心的服務。一、概述OC5860 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內
2020-05-11 11:42:56
溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關,特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電(PoE)輸入整流器中,低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道
2018-03-03 13:58:23
用于電壓轉換的每個開關模式穩壓器都會引起干擾。在電壓轉換器的輸入端和輸出端,有一部分是通過線傳輸的,但也有一部分是輻射的。這些干擾主要是由快速開關的邊緣引起的。
2019-08-02 07:14:00
降壓型轉換器工作時的電流路徑開關節點的振鈴輸入電容器和二極管的配置散熱孔的配置電感的配置輸出電容器的配置反饋路徑的布線接地評估篇開關穩壓器的特性和評估方法開關穩壓器的特性和評估方法的概述開關穩壓器
2018-11-27 16:40:24
的選定輸入電容器的選定總結DC/DC轉換器的基板布局DC/DC轉換器的PCB板布局概述降壓型轉換器工作時的電流路徑開關節點的振鈴輸入電容器和二極管的配置散熱孔的配置電感的配置輸出電容器的配置反饋路徑
2018-11-27 16:38:39
作用導致反向工作時的壓降降低呢?AO4459的一些特性如下:圖2:AO4459的二極管特性圖3:AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性,表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
場效應晶體管。拓撲如圖2所示采用諧振技術,利用變壓器的磁化電感(LM)和漏電感(LK)的諧振加上小的輸出電容(CO)來實現零電壓開關(ZVS),限制關閉電流,消除體二極管導通。圖2:高頻總線轉換器在高頻
2019-04-04 06:20:39
范圍內實現零電壓開關。2. 能夠在輸入電壓和負載大范圍變化的情況下調節輸出,同時開關頻率變化相對很小。3. 諧振變換器采用頻率控制,上下管的占空比各近似為50%.電路工作沒有偶次諧波分量,有好的EMI特性
2019-08-08 04:30:00
異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅動器更高的輸出電流,特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能,通過配置一
2019-09-25 13:58:43
,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關應用而言,MOSFET寄生二極管的恢復特性可能是個缺點。相反,由于IGBT組合封裝內的二極管與特定應用匹配,極佳
2019-03-06 06:30:00
電路。在使用 MOSFET 設計開關電源時, 大部分人都會考慮 MOSFET 的導通電阻、 最大電壓、 最大電流。 但很多時候也僅僅考慮了這些因素, 這樣的電路也許可以正常工作, 但并不是一個好
2022-01-03 06:34:38
是ALTAIR05T-800,它是ALTAIR系列的第一個(全主傳感開關穩壓器)。該IC在同一封裝中集成了高性能,低電壓PWM控制器芯片和800V,雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振(QR)電流模式控制器IC,專為QR ZVS(零電壓開關)反激式轉換器而設計
2020-08-12 08:43:59
針對降壓模式轉換器級(400V至12V)的理想拓撲為相移全橋 (PSFB)。這個拓撲可以在隔離變壓器的初級側上實現4個電子開關的零電壓切換 (ZVS),以及次級側的二極管整流器(或MOSFET開關
2018-09-04 14:39:40
DC-DC 非隔離式穩壓式Vicor 的降壓和降壓升壓 DC-DC 轉換器系列采用零電壓開關 (ZVS) 拓撲結構,既實現了高工作頻率,同時又將開關損耗降至最低,并最大程度地提高了能效。 憑借高開關
2018-08-21 10:43:35
和重量減少了 50%,LLC 轉換器(400 V / 16 A 輸出)的峰值效率接近 98.5%。由于 ZVS 產生的串擾要小得多,因此 SiC MOSFET 即使在沒有負偏置驅動電壓的情況下也可以可靠
2023-02-27 14:02:43
,用于控制 開關式DCDC轉換器。還有一種電路是使用齊納二極管或三端穩壓器從某一高壓中產生所需電壓(同步降壓)。但是如果需要幾安培的大電流量,則需要一個開關穩壓器來進行降壓。開關穩壓器IC比預想中更易
2022-07-27 11:20:39
。能夠實現更高功率密度的轉換器拓撲事實證明,得益于零電壓開關(ZVS)和無緩沖損耗,諸如有源鉗位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC轉換器等半橋(HB)拓撲,即使在很高開關頻率下也能實現高能效
2022-04-12 11:07:51
。能夠實現更高功率密度的轉換器拓撲事實證明,得益于零電壓開關(ZVS)和無緩沖損耗,諸如有源鉗位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC轉換器等半橋(HB)拓撲,即使在很高開關頻率下也能實現高能效
2022-06-14 10:14:18
自己做一個DA轉換器 選擇模擬開關時沒找到集成類的模擬開關有沒有推薦的 型號? (二選一DA 轉換我用的是倒T型電阻網絡的原理)
2018-12-08 16:17:16
OC5862歐創芯0.8A,60V 降壓型轉換器Q Q 289 271 5427OC5862 是一款內置功率 MOSFET 的單片降壓型開關模式轉換器。OC5862 在 5.5-60V 寬輸入電源
2020-05-08 21:47:07
在功率MOSFET的數據表中,列出了開通延時、開通上升時間,關斷延時和關斷下降時間,作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流,在交流的過程中,發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關
2016-12-16 16:53:16
二極管,多數情況下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路(2)(1):等效電路(門極加控制)(2):說明功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通,也可用一電阻等效,該電阻與溫度
2018-10-25 16:11:27
異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅動器更高的輸出電流,特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能,通過配置一
2019-03-30 09:36:59
反激式轉換器工作原理圖1為一個最簡單的反激式轉換器拓撲結構,并且包含以下寄生元件:如初級漏電感、MOSFET的寄生電容和次級二極管的結電容。 圖1包含寄生元件的反激式轉換器拓撲圖該拓撲源自一個升降
2018-10-10 20:44:59
降壓轉換器結合起來,與傳統降壓轉換器替代方案相比,最高可使DC-DC轉換器解決方案的尺寸減小50%。這一性能提升得益于其能夠在不影響效率的前提下將開關頻率提高至3倍。換句話說,在相同頻率下工作
2018-10-23 11:46:22
。隨著這種拓撲結構在應用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導通問題變得越來越重要。在4開關降壓-升壓轉換器中,dv/dt電感導通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
降壓轉換器結合起來,與傳統降壓轉換器替代方案相比,最高可使轉換器解決方案的尺寸減小50%。這一性能提升得益于其能夠在不影響效率的前提下將開關頻率提高至3倍。換句話說,在相同頻率下工作
2018-12-03 10:58:08
開關電源采用了全橋變換器結構,使用MOSFET作為開關管來使用,參數為1000V/24A.采用移相ZVZCSPWM控制,即超前臂開關管實現ZVS、滯后臂開關管實現ZCS.電路結構簡圖如圖1,VT1
2018-09-30 16:18:15
設計注意事項一個針對降壓模式轉換器級(400V至12V)的理想拓撲為相移全橋 (PSFB)。這個拓撲可以在隔離變壓器的初級側上實現4個電子開關的零電壓切換 (ZVS),以及次級側的二極管整流器(或
2022-11-17 07:37:35
。 LLC 轉換器和二極管類型 LLC是一種常用拓撲,可為初級側橋晶體管提供零電壓開關,如圖1所示。它允許使用高開關頻率,同時保持出色的效率水平,因為初級MOSFET中的開關損耗最小。在次級側,輸出
2023-02-21 16:27:41
MOSFET的開關特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
在啟動期間,由于反向恢復dv/dt,零電壓開關運行可能會丟失并且MOSFET可能發生故障。 在啟動之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導致Q2體二極管進一步導通并且在Q1導通前不會完全恢復
2019-01-15 17:31:58
。 2. LLC 電路的特點 LLC 拓撲的以下特點使其廣泛的應用于各種開關電源之中: 1. LLC 轉換器可以在寬負載范圍內實現零電壓開關。 2. 能夠在輸入電壓和負載大范圍變化的情況下調節輸出
2018-12-03 11:00:50
含量等。但這種轉換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結構,且變壓器需要磁芯復位,使這種轉換器的最大占空比限制在約50%。此外,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)開關的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多
2021-12-13 10:00:51
輸出LLC轉換器,以進行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優勢,因為它具有完全諧振行為,允許在整個范圍內進行軟開關導通,這本質上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
一步提高可靠性。但高開關頻率會降低系統的工作效率,因此,設計時必須在開關頻率和工作效率之間作一些折衷處理。本文主要針對降壓型DC/DC轉換器在汽車電子系統中的應用,探討包括上述問題在內的一些
2008-09-19 14:37:22
接近ZCS關斷; (2) 當工作在諧振點左面時,變換器工作在低于諧振頻率的升壓狀態,輸出二極管實現零電流ZCS關斷,開關管關斷瞬間主要存在勵磁電流的較小關斷損耗。該工作模式主要缺陷原邊勵磁電流有效值
2016-08-25 14:39:53
盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用,但是許多電子工程師對于MOSFET開關過程仍然有一些疑惑,本文先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷
2016-11-29 14:36:06
的占空比,并且初級側諧振電路和FET上的均方根(RMS)電流較低,這意味著更高的效率和以更高的開關頻率工作轉換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現ZVS,在FET的體二極管始終有一個電流導通的時間段內
2020-08-02 10:32:31
無需任何外部支持電路的情況下實現高性能峰值電流模式控制,這在基于微控制器的設計中是獨具特色的功能。此設計能夠在寬負載范圍內實現高效率,其峰值效率大于 95%,同時還在整個負載范圍內支持 ZVS 開關
2022-09-19 07:42:55
在考慮轉換器的整體效率時,了解所有主要損耗機制非常重要,包括由二極管動態特性引起的損耗機制。研究表明,砷化鎵二極管中的低正向壓降、低電容和低/穩定 Trr的組合為軟開關應用(如相移全橋)提供了出色
2023-02-22 17:13:39
需要花時間了解它們的特性,以充分利用這一變化,同時還要了解它們的不同限制和故障模式。CoolSiC? 器件中體二極管的正向電壓是硅 MOSFET 的四倍。因此,LLC轉換器在輕負載下的效率可能會
2023-02-23 17:11:32
設計一個簡易的AD轉換器的采樣保持電路,要求采樣方波的上升沿采樣,高電平保持,低電平時歸零。該如何設計模擬開關呢?
2023-10-25 12:07:38
約略說明一下反激式轉換器的工作。電路使用PWM控制的反激式轉換器,連續模式工作。首先,MOSFET為ON時,與變壓器為反向極性,電流經過變壓器初級繞組,蓄積電能。此時,二極管為OFF。其次
2018-11-27 17:00:29
重講述二極管的開關過程(也叫二極管的動態特性)及其帶來的影響。■ 任何開關器件的狀態切換并不是一蹴而就的,在這切換的期間發生了什么是工程師值得注意的地方。因為結電容的存在,二極管在零偏置、正向
2019-12-10 17:44:54
環路控制是開關電源設計的一個重要部分。文章前兩部分分別討論了以固定開關頻率運行的轉換器類型、獲取功率級動態響應以及選擇交越頻率和相位裕度。本篇將主要探討開關電源相關設計示例。IV設計示例:穩定交流
2021-04-11 07:00:00
請求各位大佬解釋下ZCS和ZVS軟開關的工作原理。為什么ZCS的話電流會變零為什么ZVS的話電壓會變零要是能附上電路圖解釋的話就最好不過了十分感謝
2021-06-04 13:08:08
設計工程師的追捧。但是… 這種拓撲卻對功率器件提出了新的要求。 2. LLC 電路的特點 LLC 拓撲的以下特點使其廣泛的應用于各種開關電源之中: LLC 轉換器可以在寬負載范圍內實現零電壓開關
2018-10-22 15:23:49
通后,再開通,才能現零電壓軟開關ZVS工作,這也是所有零電壓ZVS軟開關工作的特性。(3)由于變壓器的匝比關系,以及次級繞組電感較小,實現主功率MOSFET管零電壓軟開關ZVS工作的輸出反灌電流的大小
2021-05-21 06:00:00
。隨著這種拓撲結構在應用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導通問題變得越來越重要。在4開關降壓-升壓轉換器中,dv/dt電感導通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
有助于將晶體管保持在安全工作區域。圖3比較了恒流和折返限流兩種方案的VOUT與IOUT響應曲線。與恒流限流相反,輸出電流(IOUT)的減小降低了功耗,從而降低了開關轉換器的熱應力。圖3. 恒流和折返兩種
2018-10-23 11:46:36
本章特別對降壓型DC/DC轉換器的重要零件加以說明其電感和電容器的選定方法如何對性能或特性產生極大影響。為了深入理解,有必要知道降壓型DC/DC轉換器的基本工作和工作電流的流動,因此最初先重溫似地從
2018-12-05 10:06:24
轉換器,是在DC/DC轉換器中也使用的稱呼。只是雖然說法較多,但以往的標準型降壓轉換器為二極管整流式(非同步式)的,因此存在習慣性地將二極管整流式的降壓轉換器稱為“降壓轉換器”的傾向。先不說稱呼了,降壓
2018-11-30 11:39:11
轉換器的電路結構。其中Vin是輸入電壓;S1是上開關管,用功率MOSFET實現,控制電路決定其導通和關斷;S2是下開關管,一般用MOSFET或肖特基二極管實現;L,C為濾波元件;R是負載電阻
2020-12-09 15:28:06
=Ur為常數,在圖(b)中,給定電壓ur為一個階躍函數。 圖 單周期控制的Buck開關轉換器的工作波形 主開關管V導通時,積分器的輸出A上升;當其峰值等于Ur時,V關斷,與此同時V1閉合;積分器
2010-03-26 09:54:42
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節省印刷電路板(PCB)空間,越來越多的高輸入電壓DC/DC轉換器在更高的開關頻率下工作。然而,隨著輸出電壓降至5V和更低,設計更快的開關高輸入電壓降壓DC/DC轉換器
2019-07-16 23:54:06
的占空比,并且初級側諧振電路和FET上的均方根(RMS)電流較低,這意味著更高的效率和以更高的開關頻率工作轉換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現ZVS,在FET的體二極管始終有一個電流導通的時間段內
2022-05-11 10:17:28
的占空比,并且初級側諧振電路和FET上的均方根(RMS)電流較低,這意味著更高的效率和以更高的開關頻率工作轉換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現ZVS,在FET的體二極管始終有一個電流導通的時間段內
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關全橋轉換器設計降低元器件電壓應力
很多電源管理應用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關)技術實現無損轉換的優勢。為了實現 ZVT(零電壓轉換),漏-源電
2009-11-03 09:03:33787 為了使MOSFET整個開關周期都工作于ZVS,必須利用外部的條件和電路特性,實現其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管,由于其寄生的二極管或并聯的肖特基二極管先導通,然后續流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 將雙開關正向主電源轉換器及反激式待機電源轉換器與高壓功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:0820 近幾年來,開關電源市場對高能效、大功率系統的需求不斷提高,在此拉動下,設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲,能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關(ZV
2017-12-10 11:36:550 近幾年來,開關電源市場對高能效、大功率系統的需求不斷提高,在此拉動下,設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲,能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關(ZVS)轉換器內的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性:在功率轉換中,MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:242518 在下面的表格中,匯總了當著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側MOSFET時,LLC轉換器的優缺點。LLC轉換器通過部分諧振方式實現ZVS工作,部分諧振方式是使用激勵電流對MOSFET的輸出電容Coss進行充電和放電。這樣可以減少開關損耗,從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。
2023-02-13 09:30:12661 在上一篇的圖2的區域(2)中,MOSFET導通時是ZVS工作,因此LLC轉換器通常在這個區域使用。圖3為區域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形(ID_Q1、ID_Q2)表明在導通時是ZVS工作。
2023-02-13 09:30:13706 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗:見文識意,開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 電子發燒友網站提供《FS2461開關模式轉換器MOSFET英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:19:151 功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407
評論
查看更多