為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
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在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。與此同時，對于高功率射頻應(yīng)用，氮化鎵的用例已經(jīng)擴(kuò)展到分立晶體管以外。 隨著氮化鎵向
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
，并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日，聯(lián)想官方在電商平臺發(fā)起氮化鎵快充價格戰(zhàn)，YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
。且在關(guān)斷的同時可保持閘極電位為零，避免開關(guān)誤導(dǎo)通也可降低dead-time造成的損失。並且使訊號隔離達(dá)到安全的絕緣標(biāo)準(zhǔn)。因此要想提高功率密度，使用氮化鎵元件是必須的，只要轉(zhuǎn)換器件的效率提升，所產(chǎn)生
2019-09-19 09:05:03
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
眾所周知。但是氮化鎵的歷史成本結(jié)構(gòu)決定了它成本不菲，這減慢了其成為主流應(yīng)用的速度。然而，這種情況將不再持續(xù)，客戶對氮化鎵的看法和期望正不斷調(diào)整演變。考慮到固有的功率密度優(yōu)勢和向 8 英尺基底擴(kuò)展的可能性
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
和擴(kuò)展到4G LTE基站以及大規(guī)模MIMO 5G天線領(lǐng)域，其中天線配置的絕對密度對功率和熱性能具有極高的價值，特別是在較高頻率下。經(jīng)過適當(dāng)開發(fā)，硅基氮化鎵的功率效率優(yōu)勢將對無線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商的基站運(yùn)營費(fèi)用
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱電導(dǎo)率。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與砷化鎵晶體管相比。 該IM FET提供金屬/陶瓷法蘭提供最佳電氣
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢（包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小）使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段
2017-08-30 10:51:37
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現(xiàn)場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
功率模塊（APM）、加熱和冷卻單元等。表1：突破性半導(dǎo)體材料的最佳應(yīng)用氮化鎵的魅力在于其固有的超越硅的幾個屬性。氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗；更快的速度，類似RF的開關(guān)速度；增加的功率密度；更好的熱預(yù)算
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別，使得功率半導(dǎo)體廠商與研究開發(fā)廠商之間產(chǎn)生了一種“無聲的默契”。但是，以上所說的改變是非常有可能的。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷（錯位）密度
2023-02-23 15:46:22
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
/tool/cn/PMP10531這個系統(tǒng)的主要規(guī)格如下表所示。相比于IGBT系統(tǒng)，它的體積小、效率好、頻率高非常適合多軸機(jī)器人的伺服電機(jī)驅(qū)動。表2. GaN伺服驅(qū)動器的規(guī)格參考文獻(xiàn)[1] 用氮化鎵重新考慮
2019-03-14 06:45:08
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢，因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
DN1041- 低功耗運(yùn)算放大器：重新考慮低功率濾波器，耳機(jī)驅(qū)動器
2019-05-05 12:06:18
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
分享了這些GaN資格協(xié)議，并將負(fù)責(zé)其GaN資格認(rèn)證委員會。GaN的未來發(fā)展在一些功率密度為優(yōu)先特性的關(guān)鍵行業(yè)，GaN已經(jīng)開始替代硅材料。“目前德州儀器已經(jīng)完成了GaN的封裝和測試，對于功率密度為優(yōu)先考慮
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)？這個問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以，下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續(xù)時間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
怎么測量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
功率密度計(jì)算解決方案實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn)，而且在實(shí)驗(yàn)室測試和大批量客戶應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個
2023-06-25 14:17:47
到整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
、設(shè)計(jì)和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計(jì)近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
MOSFET。這些器件一開始的數(shù)據(jù)就令人印象深刻，雖然這些數(shù)據(jù)與氮化鎵的數(shù)據(jù)不是一個級別。它們的統(tǒng)一電流增益頻率為3千兆赫，最大振蕩頻率為13千兆赫；800兆赫時，輸出功率密度為每毫米230毫瓦
2023-02-27 15:46:36
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
DisplayPort發(fā)展的重新考慮
高清多媒體接口(HDMI)和DisplayPort之爭很快就偃旗息鼓了，HDMI迅速且無可爭議地變成下一代音頻/視頻連接接口的首選協(xié)議，
2009-05-14 12:34:43778 
電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級別。
2017-06-08 15:57:001494 
TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 獲阿里巴巴投資的中國第二大面部識別公司曠視科技原本計(jì)劃在年內(nèi)上市，但因中美緊張加劇等原因而重新考慮。
2019-06-10 14:36:023952 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15579 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
有效
2022-01-14 17:10:261733 創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目的地方。
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮
2021-12-09 11:08:161428 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46487 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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