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　　條件：Vin=25~125V，Vout=12.5，Iout=32

　　一、為什么選用反激拓?fù)?

　　許多書籍都有提到，反激拓?fù)溥m用于150W以下功率，但是具體的原因卻很少分析，我嘗試做些解釋。從三個(gè)方面分析：開關(guān)管、磁性器件、電容。

　　初級開關(guān)管(MOSFET)。假設(shè)輸入電壓恒定為60V，情況同上。從兩個(gè)方面考慮反激、正激、半橋：選用mosfet的最大耐壓和流過mosfet的最大電流有效值。

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　　可見在理想狀態(tài)下，三種拓?fù)涞牟顒e并沒有體現(xiàn)在初級mosfet的導(dǎo)通損耗上(注意半橋使用了兩個(gè)功率mosfet)，開關(guān)管的另一個(gè)損耗是開關(guān)損耗，公式的推導(dǎo)見EXEL文件。假設(shè)開通關(guān)斷有相同損耗，電感量無窮大，則計(jì)算公式如下：

　　反激：

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　　正激：

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　　半橋：

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　　從公式可以看出，在只針對一個(gè)輸入電壓點(diǎn)優(yōu)化的情況下，反激的開關(guān)損耗最大，正激和半橋沒有區(qū)別，這是限制反激大功率運(yùn)用的一個(gè)原因。

　　次級mosfet

　　次級mosfet都是零電壓開通關(guān)斷，不存在開關(guān)損耗

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　　次級mosfet的導(dǎo)通損耗同樣限制了反激在大功率場合的運(yùn)用，mosfet體內(nèi)二極管的反向恢復(fù)同樣產(chǎn)生損耗，值得注意的是這個(gè)損耗源于次級，發(fā)生在初級mosfet，計(jì)算公式如下

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　　考慮到半橋的占空比D可以是0.9，所以以上三個(gè)公式基本上沒有區(qū)別。

　　3、磁性器件。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結(jié)合，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面

　　4、電容。同樣關(guān)心電容的電流應(yīng)力和電壓。電壓應(yīng)力沒什么區(qū)別。

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　　輸入電容電流應(yīng)力基本沒有區(qū)別，輸出電容上反激的電流應(yīng)力很糟糕，但需要注意的是，輸出電容的電流應(yīng)力與輸出電流成正比，與輸出功率并沒有直接關(guān)系，正激和半橋的輸出電容電流應(yīng)力為0是因?yàn)殡姼屑僭O(shè)為無窮大，實(shí)際值與△I有關(guān)。

　　5、總結(jié)：通過以上分析，反激不適合大功率引用原因如下：

　　初級mosfet開關(guān)損耗

　　次級mosfet導(dǎo)通損耗

　　變壓器漏感導(dǎo)致的損耗

　　輸出電容電流應(yīng)力

　　上面的計(jì)算基于輸入電壓恒定為60V，但實(shí)際情況是25~125V。這個(gè)情況下，反激拓?fù)滹@示出它的優(yōu)勢，可能更恰當(dāng)?shù)恼f應(yīng)該是正激、半橋變得更加難以設(shè)計(jì)，其原因在于占空比變化過大，導(dǎo)致次級開關(guān)管電壓應(yīng)力大，同時(shí)初級mosfet的開關(guān)損耗可能超過反激

　　因?yàn)楣β蕿?00W，我考慮三個(gè)方案：全橋，雙相交錯(cuò)有源嵌位正激或反激。全橋初級需要四個(gè)mosfet，且驅(qū)動(dòng)要浮驅(qū)，比較難找到合適的驅(qū)動(dòng)芯片;雙相交錯(cuò)有源嵌位正激需要兩個(gè)N管，兩個(gè)P管，同樣有驅(qū)動(dòng)芯片難找的問題;同時(shí)因?yàn)橐郧皼]有做過反激，對反激比較感興趣，在一個(gè)以前的同事建議下選擇雙相交錯(cuò)反激。后來事實(shí)證明我當(dāng)時(shí)錯(cuò)誤估計(jì)了漏感的影響，導(dǎo)致了使用復(fù)雜的吸收電路。