Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出電流等級高達10A、反向電壓達1000V，并采用P600圓向封裝的新款光伏太陽能電池板保護整流器---GPP100MS。
2012-10-09 13:47:42
1130 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 描述此參考設計可從標準 48V 電信輸入生成 12V/10A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉換器功率級。CSD18531Q5A 低柵極和低導通電阻用作自驅同步整流器，可提供高效設計。此設計布局在標準 1/8 引腳磚型上，提供使能、遙感和輸出過壓功能。
2018-11-21 15:02:18
`深圳市三佛科技有限公司 供應 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現貨熱銷HN15N10DA參數：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌
2021-05-08 15:39:38
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
描述PMP8973 參考設計可從 18V 至 60V 電信輸入生成 3.3V/15A 輸出。UCC2897A 控制有源鉗位正向轉換器功率級。CSD16415Q5 和 CSD18502Q5B 的低柵極
2018-08-22 06:07:27
`描述此參考設計可從標準 48V 電信輸入生成 12V/10A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉換器功率級。CSD18531Q5A 低柵極和低導通電阻用作自驅同步整流器，可提供高效設計。此設計布局在標準 1/8 引腳磚型上，提供使能、遙感和輸出過壓功能。`
2015-04-08 10:43:11
9. 整機效率：≥85%10. 工作因數：≥0.9511. 環境濕度：〈90%12. 負載穩定度：〈1% 13. 冷卻方式：強曱制風冷14. 異常信號報警(若有異常): 紅燈會亮。15.自動/手動切換正負極輸出功能。16．自動換向器冷卻方式為風冷，正向最大電流為500A，反向最大電流為250A。
2013-08-14 10:59:11
：R-6特性：軸向大電流整流二極管電性參數：10A1000V芯片材質：GPP正向電流(Io)：10A芯片個數：1正向電壓(VF)：1.0V浪涌電流Ifsm：600A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-55
2021-09-08 17:00:59
`肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基（Schottky）二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作
2019-04-01 11:59:16
各位大俠誰有關于肖特基整流器的資料共享下
2013-09-06 13:33:36
凌訊MBR系列肖特基勢壘整流器（標準肖特基）是基于硅肖特基二極管技術的最新器件。肖特基勢壘整流器是非常受設計人員歡迎的器件，因為其具有極快的開關速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩壓二極管、瞬態二極管之間的區別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬-半導體器件。肖特基整流管的結構
2021-11-15 06:47:36
`肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V
2020-10-28 09:13:12
，在電路中起到控制電流通過或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極管的正向電阻很小，反向電阻很大，開關速度很快?！ ?、肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用
2019-01-03 13:36:59
小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右?！ ∑涠嘤米鞲哳l、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種
2019-02-20 12:01:29
，反向恢復時間在10至40ns之間。因此，肖特基二極管是高頻和低壓電路中的理想器件。2.1 作為雙電源目前，在帶有主控制器的電子設計中，基本采用實時時鐘（RTC），并且RTC需要額外的紐扣電池來支持
2023-02-09 10:22:58
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
的突破。 SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬
2017-10-19 11:33:48
肖特基勢壘?！ ∪?、肖特基二極管的應用 肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流轉換器，以及作為續流二極管和極性保護二極管使用。此外，肖特基二極管還廣泛用于筆記本電腦的電源適配器、液晶電視和液晶顯示器電源、電動車電瓶充電器以及數字衛星接收機和機頂盒的電源等等。`
2018-12-27 13:54:36
是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。 肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣
2021-04-17 14:10:23
、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低
2015-11-26 15:59:32
正向平均電流15A情況下測試二極管正向導通的管壓降。測試連接結構如右圖所示，紅線和黑線連接好二極管后，按下測試按鈕，即可在顯示器上顯示二極管導通的正向壓降。 圖2.二極管正向壓降測試連接圖 測試數據
2015-08-14 09:53:53
較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、打電流整流（或續流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘
2020-10-27 06:31:18
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件?！ ∫驗镹型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
）和0.81V（IF=1A），均低于普通二極管，可降低導通時的功率損耗。VR=100V 時，二者的最大反向電流均為0.4uA。 RB068MM100和RB168MM100肖特基勢壘二極管的主要應用：?整流器
2019-07-23 04:20:37
Ω。 5. 肖特基勢壘二極管的其他問題 肖特基勢壘二極管的主要用途是構成混頻器和檢波器使用場合不同對器件的要求也不同。下面簡要介紹工程設計中需要考慮的一些問 題?！ 輭靖叨葲Q定正向驅動電壓影響動態范圍
2021-01-19 17:26:57
的肖特基勢壘。Si-SBD的特性因勢壘金屬的種類而異。而且，其特性的不同，應用方向也不同。下表匯總了勢壘金屬的特征及其適合的應用。表中凡標有“×”的項目，請理解為：其與其他項目相比，特性較差、不適合。典型
2018-12-03 14:31:01
的肖特基勢壘。與一般的PN結二極管相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關速度快的特點。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設計錯誤則引起熱失控的缺點。廣泛用于電源部二次側整流。其特性根據使用的金屬不同而
2019-04-30 03:25:24
效率提高4%以上，因此越來越受到電源廠商的青睞。 SL1550參數描述型號：SL1550封裝：TO-277特性：超低壓降、低功耗電性參數：15A，50V芯片材質：金屬硅芯片正向電流(Io)：15A芯片
2021-11-27 15:41:39
。MBR20100FCT的選擇對于電源的整體效率和可靠性是一個非常關鍵的因素，它要求整流二極管在高速大電流的工作條件下應具有正向壓降VF小、反向和反向漏電IR小、恢復時間Trr短等特點。 對于低壓大電流高頻整流
2021-10-08 16:35:18
形成的勢壘層為基礎制成的二極管，也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導體結二極管。PS2045L主要特點是正向導通壓降小、反向恢復時間短、開關損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導體器件，缺點是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-65~+150℃引線數量：3 我們知道，對于肖特基二極管來說，一個非常重要的性能指標是正向壓降值（即VF值）。正是因為SBT40100VDC具有很低的正向壓
2021-11-10 16:22:35
二極管和小信號檢測二極管。 肖特基二極管是功率整流應用的最佳半導體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結器件不同。這些優勢有助于降低熱量水平，減少設計中包含的散熱器數量，并提高電子系
2021-10-18 16:45:00
,或可替代同步整流解決方案,它們在同類型封裝的肖特基二極管中具有最低的正向壓降。憑借高效的開關性能,肖特基勢壘整流器是平面肖特基器件的出色替代方案,還可匹配同步整流解決方案的效率及熱性能，減少熱量
2015-04-23 11:48:26
型號：MBR10100FCT封裝：TO-220特性：肖特基二極管電性參數：10A，100V芯片材質：SI正向電流(Io)：10A芯片個數：2正向電壓(VF)：0.8V芯片尺寸：86MIL浪涌電流Ifsm：150A漏電流(Ir)：0.05mA工作溫度：-65~+175℃恢復時間(Trr)：
2021-09-11 16:42:45
制成的二極管。也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬-半導體結二極管。MBR20200FCT主要特點是正向壓降小、反向恢復時間短、開關損耗低。MBR20200FCT是一種低功耗、超高速的半導體器件，缺點
2021-09-13 17:01:40
開關管保持單向導通特性。芯片支持的最大工作頻率為200Hz。相對于二極管，MOS 管整流器具有更小的導通壓降，因此可大大降低導通損耗減少發熱并顯著提高系統效率。OC1002 特別適合需要無極性輸入
2019-11-26 14:58:25
二極管PS1045L的額定電流，并等待穩定后的電壓值讀數，穩定后的讀數為額定電流的壓降。 PS1045L參數描述型號：PS1045L封裝：TO-277特性：超低VF值肖特基電性參數：10A，45V芯片
2021-11-11 16:33:34
(Trr)為5nS，其中有3條引線。 PS1545L參數描述型號：PS1545L封裝：TO-277特性：超低壓降、低功耗電性參數：15A，45V芯片材質：金屬硅芯片正向電流(Io)：15A芯片個數：1
2021-11-26 16:21:58
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
二極管，它是一種熱載流子二極管?！ ∈墙陙韱柺赖牡凸摹⒋箅娏?、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結勢壘，肖特基二極管的正向傳導閾值電壓和正向壓降均低于PN結勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。肖特基二極管規格書下載：
2022-01-18 10:35:14
的另外一個缺點就是較高的反向泄露電流—最高會達到大約1mA。用N溝道MOSFET替換高損耗二極管可以通過消除二極管整流器件正向壓降來大幅降低功率損耗。N溝道MOSFET具有小RDSON，并且它們相關的壓降
2018-09-03 15:32:01
我在一本開關電源學習書上看到，“選擇更大額定電流的整流管，可以獲得更低的正向壓降，從而降低整流管的功率損耗?！蔽业囊蓡柺?，額定功率和正向壓降有什么關系，即使有，那也是正向電流越大，正向壓降越大啊。我是初學者，望大佬指點一二，不勝感謝。武漢加油，中國加油！
2020-02-07 22:06:53
造成的死區電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。非同步的特點：在輸出電流變化的情況下，二極管壓降相對較恒定當續流二極管正向導通時，輸出電流...
2021-12-30 06:31:52
諸如開關電源研發等場合，它將是必不可少的測量儀器。 二、技術參數 1.脈沖電流幅度：0A、0.5A、1A、2A、5A、10A 。2.脈沖寬度：100us3.開路輸出電壓：32V4.正向壓降測量范圍
2015-03-11 13:48:07
具有高的電流密度和低的正向壓降。這樣可以最大限度地減少整流電路中的能量損耗。肖特基二極管散熱較少，因此需要較小的熱沉。這就降低了整流電路的整體成本和尺寸。太陽能電池: 肖特基二極管有助于太陽能電池的反向
2022-03-19 22:39:23
阻用作同步整流器，可提供高效設計。此設計布局在八分之一磚型占用空間并可實現高達 94% 的效率。它僅使用表面安裝組件，包括陶瓷輸出電容器。主要特色 36V 至 75VDC 輸入，5V/15A 輸出效率高
2018-11-21 14:57:50
金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的肖特基勢壘二極管，簡稱肖特基二極管shoky。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導體器件。而低正向/低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導體器件
2017-08-10 09:23:06
`【MOS管原廠】HC36012參數：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應管品牌：惠海型號：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
外部開關管時，可取代反激轉換器中的肖特基二極管。MP6908A 可將外部同步整流器（SR） MOSFET 的導通壓降調節至大約 40mV，一旦電壓變為負，則開關管關斷。.MP6908A 可以在具有潛在低
2021-03-18 14:08:20
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導體接面做為肖特基勢壘，而發生整流的效果，和普通二極管中由半導體-接面產生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
` 低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導體器件，可以理解成升級版性能更優，壓降更低，效率更高的肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管SBT20V100也稱為金屬半導體結二極管
2018-10-17 15:20:19
肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20具有低壓降VF，其正向壓降最小只有0.35V，低壓降可減小功率損耗，減少發熱，提高產品的壽命，具有高可靠性優勢。表面貼裝肖特基勢壘
2019-04-17 23:45:03
阻用作同步整流器，可提供高效設計。此設計布局在八分之一磚型占用空間并可實現高達 94% 的效率。它僅使用表面安裝組件，包括陶瓷輸出電容器。特性36V 至 75VDC 輸入，5V/15A 輸出效率高
2022-09-20 07:45:51
消除二極管整流器件正向壓降來大幅降低功率損耗。N溝道MOSFET具有小RDSON，并且它們相關的壓降也是最小的。表1中是一個5A (I_rms = 3.5A) 二極管整流器與一個10
2018-05-30 10:01:53
? 高效率（使用 PoE 電源時為 93%，使用適配器電源時為 92%）? 5V (10A) 輸出? 具有同步整流器的隔離式正向? 使用與 UCC2897A 相結合的 TPS2379 實施高效的有源正向轉換器? 可實現外部熱插拔 FET 以提高效率
2018-08-16 07:47:30
耗散，因此降低了熱和電傳導損耗。它的高結溫能力提高了高環境溫度下或無法獲得充分冷卻的應用中的可靠性。肖特基二極管的應用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流轉換器
2020-08-28 17:12:29
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。 肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬
2018-10-26 14:36:32
領域。肖特基二極管肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-10-19 11:44:47
壘電壓而造成的死區電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流
2020-12-08 15:32:00
加上反向偏壓，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。由于肖特基二極管僅靠一種載流子(電子)導電，其反向恢復時間縮短到10ns以內，正向導通壓降僅為0．4V左右，整流電流卻可達幾百至幾千安培，這些優良特性
2021-05-14 08:11:44
`【MOS管原廠】HC36012參數：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應管品牌：惠海型號：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 15:37:14
電路應用中必然會存在發熱的現象。工作溫度逐漸升高,那么這會影響到肖特基二極管正向壓降的變化嗎？答案是會的。如下圖ASEMI肖特基MBR60100PT，60A100V規格書所示：通過曲線圖我們可以看到
2018-12-25 14:04:16
一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導體器件，其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒)。正向導通壓降僅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導體器件，其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
的肖特基勢壘。與一般的PN結二極管相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關速度快的特點。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設計錯誤則引起熱失控的缺點。廣泛用于電源部二次側整流。其特性根據使用的金屬不同而
2019-04-11 02:37:28
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小，有利提升產品效率。 硅快速恢復二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
,RB098BM-30的最大反向電流分別為5μA、0.3mA、3μA、0.2mA和1.5μA） RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30肖特基勢壘二極管的主要應用：?整流器及開關電源
2019-03-21 06:20:10
和RBR3MM60B中功率肖特基勢壘二極管的特點：?高可靠性?小尺寸（SOD-123FL）?具有極低的正向壓降VF，可降低電路中所需電壓的條件，有利于電路設計，同時可降低導通時的功率損耗。RBR1MM60A
2019-07-15 04:20:07
參數的直接考慮 - 正向和反向：選擇反向電壓電平高于開關節點預期的最高電壓電平的肖特基整流器;峰值正向電流能力高于最低工作周期的峰值電流;最低的反向漏電流（盡管除非在非常輕的負載下工作，否則這種損耗
2018-10-16 11:41:07
20mA，對應的導通壓降從3.5V增加到3.55V，則可計算得到ESR為50mV/10mA=5。 在圖2-6中，穩壓二極管被當作理想器件。實際上，穩壓二極管也有ESR，其值比LED的還要大。在LED驅動
2014-08-18 14:22:40
和0.37V） RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30肖特基勢壘二極管的主要應用：? 小型整流器
2019-04-18 00:16:53
PTR10100CTB肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。銀聯寶科技這款二極管結合常規平面肖特基的低正向損耗、低反向漏電、高涌浪能力、高耐熱
2017-05-13 11:01:25
? 高效率（使用 PoE 電源時為 93%，使用適配器電源時為 92%）? 5V (10A) 輸出? 具有同步整流器的隔離式正向? 使用與 UCC2897A 相結合的 TPS2379 實施高效的有源正向轉換器? 可實現外部熱插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41
SS34: 3.0 A 肖特基勢壘整流器肖特基二極管 其主要特點是低反向電流和正向電壓，是一種低功耗、超高速半導體器件，該 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。該芯片焊接支腳
2022-04-21 15:09:07
Vishay推出Super 12高性能產品之一——MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基勢壘整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度，在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降，典型厚度為0.68mm。
2010-07-08 15:04:05
16 小尺寸100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS Trench
2010-01-21 12:43:02971 80V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封
2010-02-09 09:26:151699 Vishay 宣布對其使用Trench MOS勢壘肖特基技術的TMBS?整流器產品組合進行大幅擴充。Vishay今天共發布采用4種封裝類型、電流等級從10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V器件，擴大其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。器件適合商業應用，具有極低的正向壓降，采用表面貼裝TO-252（DPAK）封裝。
2013-08-02 09:14:031302 其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器產品。器件具有10A至60A的電流等級和極低的正向壓降，針對商業應用。這些器件采用低外形SMPD封裝，封裝的占位與D2PAK（TO-263）一致，且典型高度更薄，只有1.7mm。
2013-09-09 16:51:491050 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出7個新的45V和50V器件，擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。該器件具有0.95mm薄外形、采用
2014-02-19 13:59:551060 Vishay FRED Pt 600V 整流器 15 A 至 75 A 器件 提高車載充電器 AC/DC 和 DC/DC 轉換器效率 適用于電動汽車/混合動力汽車 顯著降低反向恢復損耗 Vishay
2021-11-05 15:35:361798 
45 V、15 A 低 VF 肖特基勢壘整流器-PMEG045V150EPE
2023-02-09 18:54:560 50V、15A 低 VF Trench MEGA 肖特基勢壘整流器-PMEG050T150EPD
2023-03-01 18:44:390 45 V、15 A 低 VF Trench MEGA 肖特基勢壘整流器-PMEG45T15EPD
2023-03-02 23:07:570 45 V、15 A 低 VF Trench MEGA 肖特基勢壘整流器-PMEG045T150EPD
2023-03-02 23:12:430
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