基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:37
1195 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關，需要能夠應對不斷發展的市場的新型驅動和轉換解決方案。由于其優異的熱特性，SiC器件在各種應用中代表了優選的解決方案，例如汽車領域的功率驅動電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-04-22 06:20:22
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
。SiC半導體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現量產。此時，第二代
2018-11-29 14:39:47
半導體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
請問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個型號，謝謝
2022-05-16 23:20:58
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-4 14:34 編輯
任命Jean-Marc Chery為意法半導體管理委員會唯一成員，出任總裁兼首席執行官中國，2018年6月4日
2018-06-04 14:28:11
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
：STM）公布截至2018年6月30日的第二季度財報（按照美國通用會計準則制定）。2018年第二季度凈營收和毛利率均高于公司上個季度財報業務展望的中位數。意法半導體第二季度財報凈營收為22.7億美元，毛利率
2018-07-26 17:11:14
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網絡軟件，適用于各種產品，按照物聯網應用開發人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業峰會2023
2023-09-11 15:43:36
鼓勵其他大學的教授改編補充這套課程。 這套由8個自定進度的教程組成的入門課程圍繞意法半導體的SensorTile設計。SensorTile是一個獨一無二的具有物聯網功能的實時嵌入式系統，集成在一個只有
2018-02-09 14:08:48
還有豐富的功能，能夠評測最新一代高分辨率工業級MEMS傳感器，例如，意法半導體最近推出具16位加速度計輸出和 12位溫度輸出的IIS3DHHC 三軸低噪加速度計。在開啟項目前，用戶先將目標傳感器模塊插入
2018-05-22 11:20:41
中國，2018年4月10日 ——意法半導體的STLQ020低壓差（LDO）穩壓器可以緩解在靜態電流、輸出功率、動態響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題，為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
二極管(SPAD)光接受器，讓意法半導體的FlightSense傳感器具有無論比的測距速度和可靠性。此外，940nm非可見光發射器消除了發射閃爍光的問題，可隱藏在保護窗口后面，不影響測距性能
2018-03-20 10:40:56
意法半導體已將其 STM32Cube.AI 機器學習開發環境放入云中，并配有可云訪問的意法半導體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
微機電系統(MEMS)感測器制造技術邁入新里程碑。意法半導體(ST)宣布成功結合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
`中國，5月28日—— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發布 了2018 年可持續發展
2018-05-29 10:32:58
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發布一款創新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產品可簡化手機與其它便攜電子產品的電路設計，為
2011-11-24 14:57:16
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯
近日，Intel在超級計算機大會上正式展示出其第二代高性能計算產品Knights Landing Xeon Phi，強大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金會今天發布第二代樹莓派—— Raspberry Pi ，樹莓派2外形看起來跟樹莓派B+一樣一樣的，配置主要就是升級了CPU (900M4核ARM v7)和內存(1G
2015-02-02 21:56:26
μA，故該芯片對低功耗電池供電系統非常有吸引力。其中還嵌入了多項安全特性以保護代碼，并有一個硬件加速器用于加密功能。 使用場景的選擇 第二代可穿戴設備有很多用途。傳感器可以集成到智能手表中，但包括
2018-09-21 11:46:21
AN15261基于CYWUSB6934將無線USB LS設計移植到無線USB LP。第二代無線電具有第一代無線電中不存在的其他強大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發射功率，專用的發送和接收緩沖器以及自動CRC
2019-07-19 09:05:47
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
GHz IEEE 802.15.4/RF4CE/ZigBee（具有范圍擴展器）的第二代片上系統解決方案4 層設計天線分集工作電壓為 2.2V 至 3.6VPCB 天線
2018-12-13 11:42:00
智能電表芯片單片集成開發智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數據分析功能。意法半導體亞太區功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
``首先感謝羅姆公司提供的開發板試用機會，本人作為高校學生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發展。SiC作為第三代半導體為功率電子的發展提供了很大的潛力，現在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
第二代導航衛星系統與第一代導航衛星系統在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛星單程測距信號自己定位，系統的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優勢？
2021-06-26 06:14:32
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
了厚實的研發設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產品。MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產品
2022-11-11 11:50:23
包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮
2018-12-04 10:26:52
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態損耗低，尤其是在低電流時更為顯著;關斷能耗低，但導通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復速度與所用技術工藝有關。 3 意法半導體的電機控制功率開關技術 為
2018-11-20 10:52:44
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
據開芯院首席科學家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動工程優化，同年9月研制完畢，計劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
我想用第二代電流傳輸器或者OTA做濾波器用，它們兩個怎么將原理圖封裝為電路符號，用什么軟件？
2018-07-04 09:25:02
`驅動之家[原創] 作者：永輝 編輯：永輝 2011-01-10 11:32:46 31266 人閱讀來自蘋果皮520官方論壇的消息，在蘋果皮520上市之后發現很多不足之后，蘋果皮520第二代產品
2011-02-23 10:39:26
，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學、機械方面都非常穩定的化合物半導體，對于功率元器件來說的重要參數都非常優異。作為元件，具有優于Si
2017-07-22 14:12:43
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復特性在內，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
設計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
大家好，首次發帖。本人為意法半導體工程師，因為下面一個molding工程師要辭職，繼續補充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導體溝槽技術：長期方法? 意法半導體保持并鞏固了領先地位? 相比現有結構的重大工藝改良? 優化和完善的關鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
評估，以改善動態特性和可靠性，并開發有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
專利和商標局注冊。相關新聞意法半導體的新STM32探索套件簡化移動網至云端連接，并提供免費試用的第三方服務意法半導體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產品“吃得少，干得多”意法半導體
2018-07-09 10:17:50
特別給力但足夠用了。節選自：次世代安卓旗艦 谷歌Nexus 7二代評測 作者：付濤整體性能 第2段相關產品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回歸常規評測的套路，我們使用安兔兔系統評測
2013-08-12 17:22:08
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
第二代半導體材料的代表，GaAs和傳統Si相比，有直接帶隙、光電特性優越的特點，是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認為是計算機CPU芯片的理想材料，上世紀末一些公司曾有深入的研究并取得
2017-02-22 14:59:09
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團今日宣布推出15款第二代新型多相數字控制器和6款SPS，可支持10A至1000A以上的負載電流，適用于先進的CPU、FPGA、GPU和面向物聯網基礎設施系統
2020-11-26 06:17:51
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
羅姆日前發布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 CREE第二代SiCMOSFET驅動電路原理圖及PCB板設計電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖PCB layout第一層layout第二層layout（負電層）第三層
2021-11-08 14:51:01
43 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:391450 了堅實基礎，同時也標志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進新的階段。 產品特性 瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，
2023-08-21 09:42:121285 
材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14316 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網電壓經由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢速充電。基本半導體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
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