美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關斷波形圖(650V/10A產品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
電源系統應用實現小型與更低損耗的關鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET-溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC(碳化硅)?何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD-特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管(以下SiC SBD)的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓,并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
。 ST的1200V碳化硅(SiC)JBS(結型勢壘肖特基)二極管系列可滿足設計人員對面向性能應用的卓越效率、輕巧、小尺寸和改善的熱特性的需求。 ST的1200VSiC二極管具有出色的正向電壓(低
2020-06-30 16:26:30
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產業界以第一代標準肖特基結構做成的肖特基二極管(SBD)漏電流大,反向耐壓低,產品競爭力差,商業應用價值低。為了提升產品競爭力,碳化硅肖特基二極管的結構也從標準
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
肖特基勢壘二極管SBD(Schottky Barrier Diode,簡稱肖特基二極管)是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅0.4V
2020-10-28 09:13:12
,這個接觸面稱為“金屬半導體結”,其全名應為肖特基勢壘二極管,簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅(Si)半導體材料制作的。20世紀90年代以來,出現了用砷化鎵(GaAs)制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管原理; 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
,簡稱:SR,比如:SR107,SR10100CT……肖特基:Schottky勢壘:BarrierSB:即為肖特基勢壘二極管肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),國內廠家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44
,大多數硅用于高達250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許,成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V,反向電壓(VR)也均為
2019-07-23 04:20:37
接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。 因此, SBD 也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。 利用金屬與半導體接觸形成肖特基勢壘構成的微波二極管稱為肖特基勢壘二極管
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管,將說明肖特基勢壘二極管(以下簡稱為SBD)的相關特征和應用。Si-SBD的特征 如前文所述,Si-SBD并非PN結,而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合(肖特基接合)所產生
2018-12-03 14:31:01
不同,ROHM利用多種金屬,推出如下產品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類,可制造低VF型、低IR型產品。關于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性,低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大,但是在超過200V的工作電壓場合,普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管,近年來開發出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
,有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV,極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構,電流通過電子與空穴(孔)流動。SiC-SBD
2018-11-29 14:33:47
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的需求,在中國構建了與羅姆日本同樣的集開發、生產、銷售于一體的一條龍體制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20,兩者二極管的反向電壓都為20V,正向
2019-04-17 23:45:03
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容,并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
:Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF:Gen1》 Gen2 》 Gen3 產品優點 綜上所述,基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優點: 更低VF:第三代二極管具有更低VF,同時
2023-02-28 17:13:35
金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘以實現整流。與普通PN結二極管相比,它的反向恢復慣量非常低。因此,肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。碳化硅(SiC)是一種高性能半導體材料,因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
步減少,反向恢復時間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢壘二極管的簡稱,它的構造原理與普通PN結二極管有著很大區別:其內部是由陽極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
不同,ROHM利用多種金屬,推出如下產品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類,可制造低VF型、低IR型產品。關于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
羅姆(ROHM)是全球著名半導體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管,型號分別為RBR1MM60A,RBR2MM60A,RBR2MM60B,RBR2MM60C,RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
肖特基勢壘二極管。五者的VRM(峰值反向電壓)均為35V,反向電壓(VR)均為30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
和贊許,成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基勢壘二極管
2019-04-18 00:16:53
CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:10:17
C3D03060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:16:00
C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準,同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準,同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36
)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。
2020-10-29 15:24:342317 )今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:351686
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