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電子發燒友網>電源/新能源>Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)

Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)

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1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
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肖特基級管有什么作用?

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2019-10-22 09:12:18

肖特基二極管PTR10L120CT的特點

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肖特基二極管與開關二極管的不同之處

,這個接觸面稱為“金屬半導體結”,其全名應為肖特基勢壘二極管,簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是硅(Si)半導體材料制作的。20世紀90年以來,出現了砷化鎵(GaAs)制作SBD
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肖特基二極管的主要用途和原理

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肖特基二極管的命名是怎樣的?

,簡稱:SR,比如:SR107,SR10100CT……肖特基:Schottky:BarrierSB:即為肖特基勢壘二極管肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),國內廠家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44

肖特基二極管的目前趨勢

,大多數硅用于高達250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠低于電壓約為1V
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肖特基二極管能替代二極管使用是么?

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2021-01-19 17:26:57

肖特基勢壘二極管的特征

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2022-05-29 10:28:06

C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:32:40

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27

C4D02120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12

C4D02120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57

C4D05120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42

C4D30120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準,同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09

C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40

C4D40120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準,同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19

C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36

美國微芯科技宣布推出最新碳化硅肖特基勢壘二極管

)今日宣布推出最新通過認證的7001200V碳化硅SiC肖特基勢壘二極管SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。
2020-10-29 15:24:342317

Microchip推出7001200V碳化硅肖特基勢壘二極管

)今日宣布推出最新通過認證的7001200V碳化硅SiC肖特基勢壘二極管SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:351686

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