宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器
2022-05-17 17:51:11
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。 全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商
2022-06-01 10:22:412953 
總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:002409 在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41546 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應(yīng)晶體管的K值得問題：在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31
`一、場效應(yīng)晶體管特點(diǎn)場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
應(yīng)用，大家都眾說紛紜，誰也無法準(zhǔn)確全面的講出，想了解的看完下文，相信你會有所體會。 1、場效應(yīng)晶體管低壓應(yīng)用：當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
`場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過高而形成的擊穿因素。場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時應(yīng)留意以下幾點(diǎn)：1、場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機(jī)驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
場效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場效應(yīng)晶體管系列的單管、對管及組件等，型號達(dá)數(shù)萬種之多。每種型號的場效應(yīng)晶體管都示出其主要
2021-05-11 06:19:48
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS場效應(yīng)IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS場效應(yīng)晶體管型號 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率 管子
2021-05-12 07:02:49
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展，我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形，你可能不知道，在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中，有一種電子元件，深受電子工程師的青睞，那就是場效應(yīng)晶體管，我們常接觸到晶體三級管，對它
2019-03-26 11:53:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
在隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）具有低傳導(dǎo)損耗、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動功率及低電感等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度、在高頻時更大電流及高效以及在諧振設(shè)計(jì)的占空比更高，從而
2019-04-04 06:20:39
`在電子元件行業(yè)，晶體三極管與場效應(yīng)晶體管都是備受推崇的兩種電子元件，尤其在開關(guān)電源方面?zhèn)涫茈娮庸こ處煹那嗖A，可是對于剛?cè)腴T的采購，究竟該如何去選晶體三極管與場效應(yīng)晶體管，晶體三極管簡稱三極管
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中，以場效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
`隨著便攜式電子產(chǎn)品的興盛，人們的生活發(fā)生看翻天覆地的變化，然而這一切都與電子元器件行業(yè)的兩位領(lǐng)軍人物有著不可分割的關(guān)系，那就是三極管與場效應(yīng)晶體管，他們深受電子行業(yè)的鐘愛，三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-09-01 08:00:00
，拐角處的電場總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場效應(yīng)晶體管演進(jìn) 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過去的17年中，CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)時，工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
的特性：Vgs大于某一值管子就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V就可以了。P場效應(yīng)晶體管的特性：Vgs小于某一值管子就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
的RX100擋可以預(yù)算場效應(yīng)晶體管的減少才干，詳細(xì)測試如下：紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，這樣相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5伏的電源電壓，這時表針指示出的是D-S極間的電阻值.然后用手指捏住柵極G，將人體
2019-03-21 16:48:50
。LMG3410和LMG3411
系列產(chǎn)品的額定電壓為600
V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
`一、場效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不光是開關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 場效應(yīng)晶體管放大電路的動態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:50915
結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733 
場效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 
功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:109126 
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:156578 場效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 
場效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖
2009-06-08 14:53:551064 
MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應(yīng)
2009-09-05 15:17:18839 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:47835 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133672 絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531496 
場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:574970 
場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611673 美國國家半導(dǎo)體公司今天宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器
2011-06-23 09:34:581650 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:101681 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品
2011-08-19 08:51:181085 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4424659 
隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4527183 
隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:525086 功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319864 
MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297965 
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 
EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:002893 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:188778 
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET（砷化鎵場效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041372 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374166 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44354 
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54832 已全部加載完成
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