美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。 因此，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。 例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
-SBD兩者間權(quán)衡時，要想選出最適當(dāng)?shù)亩O管，需要理解兩者的特性。另外，毋庸置言，在探討事項(xiàng)中“損耗降低”是最重要的課題。前篇的trr對應(yīng)開關(guān)損耗，本篇的VF對應(yīng)傳導(dǎo)損耗。關(guān)于Si-FRD和SiC
2018-11-30 11:52:08
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對
2018-11-29 14:35:50
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中 SiC MOSFET 用于高頻開關(guān)，Si IGBT 用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動 器必須能夠驅(qū)動不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多電平配置。客戶
2018-10-30 11:48:08
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
STMicroelectronics的快速碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管的開關(guān)使設(shè)計人員可以達(dá)到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
的高耐壓和低阻值，但其開關(guān)性能劣于多數(shù)載流子。Si-PND中提高了開關(guān)速度的產(chǎn)品是FRD，然而開關(guān)時的恢復(fù)特性依然劣于SBD。右圖表示Si-SBD、Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐壓覆蓋范圍
2018-12-03 15:12:02
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
校正，新能源電網(wǎng)，新能源汽車，軌道交通等不同領(lǐng)域！附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號選型表：
2021-11-09 16:36:57
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
概述：STR6656是日本三肯公司生產(chǎn)的用于彩電開關(guān)電源厚膜塊，它為單列5腳封裝。工作電壓650V，工作電流25A，功率150W。為離線準(zhǔn)諧振開關(guān)穩(wěn)壓電源控制電路。有過流、過壓及欠壓保護(hù)等電路
2021-05-19 06:45:56
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
和低壓開關(guān)特性等性能。 如圖1所示，為單管測試電路，其中，測試負(fù)載為200W242歐姆純電阻。圖1 單管測試電路首先考察Vgs在500k頻率下的開通延遲時間為938.4ns，關(guān)斷延遲時間為
2020-05-21 15:24:22
有羅姆，英飛凌，Cree，意法半導(dǎo)體等，因?yàn)榱_姆在官網(wǎng)提供比較易得的SiC參數(shù)性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能參數(shù)，下載模型在軟件做一些簡單的仿真。這次提供的試用開發(fā)板和對應(yīng)插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
編輯-Z使用MOS管40N120設(shè)計開關(guān)電源或電機(jī)驅(qū)動電路時，一般需要考慮40N120導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的導(dǎo)通特性？40N120開關(guān)損失怎么看
2021-12-29 16:53:46
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低。 05 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
。最大直流母線電壓為 425V，電池為 450V。考慮到電壓降額可靠性要求，在 OBC 應(yīng)用中首選 650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW的輸出功率，采用TO-247封裝
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型號的IGBT，耐壓650V，在實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)時，開關(guān)電壓上升時有十分明顯的震蕩，分析過電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題，用仿真軟件仿真過能得到結(jié)果，但是實(shí)物實(shí)驗(yàn)時就會出現(xiàn)圖中的問題。求助！！！
2017-01-12 11:00:12
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
批量生產(chǎn)時LED燈具參數(shù)的一致性。■SIC9654具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù)、采樣電阻開短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等。●特性：■內(nèi)部集成650V功率管■±3%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。 在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。這對于優(yōu)化CLLC轉(zhuǎn)換器的效率非常重要，尤其是在高頻下。直流母線最大電壓為425V，電池為450V。考慮到降額可靠性要求，在OBC應(yīng)用中最好使用650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
: 電動汽車工作原理示意圖圖2是眾人所熟悉之矽和寬帶隙材料（SiC，GaN）的比較圖。在開關(guān)頻率還不是重點(diǎn)的汽車應(yīng)用中，卓越的驅(qū)動性能和寬廣的工作溫度范圍，讓SiC成為電動汽車設(shè)計者的首選功率元件。圖
2019-06-27 04:20:26
母線電路需設(shè)計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
月版）中詳細(xì)介紹。二極管的擊穿電壓為650 V，1200 V和1700 V，在標(biāo)準(zhǔn)封裝和裸片中的額定電流為5A-100A。裸露裸片和TO-247的MOSFET分別為45 mOhm，80 mOhm
2019-10-25 10:01:08
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征 ■ 低RDS(on) ■ 低柵極電荷（ (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13
svf7n65f場效應(yīng)管7a 650v mos管特點(diǎn)■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關(guān)速度快■ 提升了dv/dt能力驪
2022-03-30 15:41:09
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關(guān)速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 SiCBMFET開關(guān)特性的仿真研究_張林
2017-01-07 21:45:571 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:507770 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202346 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34688 保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40558 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概
2023-01-04 10:02:071113 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:03991 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
開關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
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