大家好，看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業的初學者，總體內容如下。
2022-11-25 09:20:30
1195 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
，商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經投入市場了。當然，理論上碳化硅材料和IGBT結構也是可以結合的，其電壓、電流也會上升一個等級。原作者：金譽半導體
2023-02-16 15:36:56
拓撲結構，其中
SiC MOSFET 用于高頻
開關，Si
IGBT 用于低頻
開關。隔離式
柵極驅動 器必須能夠
驅動不同要求的
開關，其中較多的是并聯且采用硅
IGBT/
SiC MOS 混合式多電平配置?？蛻?/div>
2018-10-30 11:48:08
通時產生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關速度與寄生電容下面通過與現有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關的全SiC功率模塊的開關
2018-11-30 11:31:17
和應用意法半導體 sub-1GHz射頻收發器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失意法半導體Bluetooth? Low Energy應用處理器模塊通過標準組織認證，加快智能物聯網硬件上市
2018-02-28 11:44:56
穩健、高成本效益的高壓發射脈沖發生器解決方案。STHV1600為高端超聲成像臺車系統和超便攜式超聲診斷設備廠商提供了一個有價值的脈沖發生器解決方案，同時加強了意法半導體現有的醫療和工業超聲設備用4通道
2018-08-13 14:18:07
中國，2018年8月27日——意法半導體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機驅動器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導通電阻RDS（ON）的功率開關管，有助于簡化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
的新STM32探索套件簡化移動網至云端連接，并提供免費試用的第三方服務意法半導體Bluetooth? Mesh網狀網軟件開發工具套件加快智能互聯照明及自動化產品的問世意法半導體 sub-1GHz射頻收發器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失
2018-03-12 17:17:45
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業峰會2023
2023-09-11 15:43:36
多款不同的STM32微控制器。意法半導體將在2018年底前推出其它STM32系列適用的軟件庫。用戶還可以選購安森美半導體的FUSB307B評估板ON-FUSB3-STM32，以簡化開發工作。該電路板具有
2018-07-13 13:20:19
）。 包含加州大學洛杉磯分校(UCLA)William Kaiser教授為大一計算機工程班的學生開發的教學課程，該在線課程資源為理解基于傳感器的物聯網(IoT)嵌入式系統的基本原理打下基礎。意法半導體
2018-02-09 14:08:48
傳感器的電源電壓和電流，進而簡化連網產品、智能傳感器、移動機器人或無人機控制器等注重功耗的項目開發。詳情請瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關新聞意法半導體STM32F4基本型產品線
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
意法半導體的AlgoBuilder 固件開發工具能將寫代碼工作從固件開發中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運行的函數庫模塊，在圖形用戶界面上創建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節省空間，簡化設計，精簡組裝意法半導體(ST)推出內置32位MCU的電機驅動器，簡化電池供電機器人和電器設備的電機控制系統意法半導體高集成度數字電源控制器簡化設計，助力應用達到最新能效安全標準`
2018-06-25 11:01:49
生態系統。今天，已有多條STM32產品線支持TouchGFX。意法半導體微控制器市場總監DanielColonna表示：“Draupner的TouchGFX軟件是一款非常先進和優化的微控制器圖形用戶界面
2018-07-13 15:52:39
驅動器，簡化電池供電機器人和電器設備的電機控制系統意法半導體（ST）的STM32電機控制Nucleo開發套件只需數秒鐘即可直接開啟運轉無刷直流電機
2018-03-22 14:30:41
半導體最初計劃在云中為每個STM10器件提供32塊電路板，后續還會有更多電路板（來源：意法半導體）優化代碼STM32Cube工具箱中的工具.AI包括圖形優化器，它可以轉換微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半導體發布了單通道、雙通道和四通道車規柵極驅動器，采用標準的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡化電路設計升級，增加更多驅動通道。新柵極驅動器適用于所有的汽車系統設備
2023-02-16 09:52:39
，用戶可以使用Mega兼容Shield擴展板在主板上插入所選電機驅動器、擠出機控制器和所需的任何其它功能。作為即插即用的擴展板，意法半導體的EVALSP820-XS可以驅動RAMPS打印機以前
2018-06-11 15:16:38
新聞創新的自適應脈寬調制器為固定通/斷時間可控的穩壓器提供恒定開關頻率意法半導體(ST)先進電機控制芯片讓自動化系統尺寸更小，運行更順暢、更安靜意法半導體高集成度數字電源控制器簡化設計，助力應用達到最新能效安全標準`
2018-06-04 10:37:44
，而提供恒流的驅動電路是由一個控制器芯片和若干個元器所組成。意法半導體新款控制器STLED25單片集成能夠驅動多達10支LED的控制電路，因此STLED25不僅能夠簡化手機設計，還可為其它功能釋放更多
2011-11-24 14:57:16
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
開關電路的結果，主要由大型工業電機的磁場造成。EMI可以輻射或傳導，并且可能耦合到附近的其他電路中。因此，EMI或RF抗擾度是衡量柵極驅動器抑制電磁干擾并保持穩健運行而無差錯的能力的指標。若具有高抗擾度
2021-07-09 07:00:00
同時施加一個信號，則兩個通道輸出的時間延遲是延遲匹配數值。延遲匹配數值越小，柵極驅動器可以實現的性能越好。延遲匹配有兩個主要好處：· 確保同時驅動的并聯MOSFET具有最小的導通延遲差。· 簡化了柵極
2019-04-15 06:20:07
短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性也是至關重要的。圖1：隔離式柵極驅動器ADuM4135的簡化原理圖電流驅動能力在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據
2021-11-11 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
DVRFD630-475，開發板是一種通用電路板，旨在簡化IXRFD630柵極驅動器的評估，并為電源電路開發提供構建模塊。 IXRFD630柵極驅動器出廠時已安裝在評估板上，并經過全面測試。電路板設計允許將驅動器和MOSFET連接到散熱器，這樣做可以將電路板組件用作接地參考的低側電源開關
2019-08-06 09:41:29
IPM需要在同一混合IC封裝中實現柵極驅動器、檢測邏輯和功率半導體。與單片IC明顯不同，混合IC將晶體管、單片IC、電阻器、電感器和電容器等單個元件封裝在一個封裝中。這些元件粘合到封裝內的基板或印刷電路
2023-02-24 15:29:54
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
到數十億美元?！毕嚓P新聞Argus網絡安全科技公司與意法半導體（ST）攜手合作，加強網聯汽車技術的數據安全和隱私保護意法半導體 sub-1GHz射頻收發器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失意法半導體Bluetooth? Low Energy應用處理器模塊通過標準組織認證，加快智能物聯網硬件上市
2018-02-12 15:11:38
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MP18851 是一款隔離式獨立雙通道柵極驅動器解決方案，它具有高達 4A 的拉灌峰值電流能力，專用于驅動具有短傳播延遲和脈寬失真的功率開關器件。通過利用MPS 專有的電容隔離技術，該驅動器能夠以
2022-09-30 13:47:21
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導體新型6kV電流隔離技術，以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
證明了技術如何真地改變并實現讓印度更快發展的環境。"意法半導體大中華、南亞、印度和韓國（亞太區）PDSA系統工程和戰略計劃業務開發應用總監Allan Lagasca補充道：“通過開發創新的微電子技術
2018-03-08 10:17:35
開發者在電腦上直接使用STM32和STM8設計資源意法半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節省空間，簡化設計，精簡組裝意法半導體推出封裝小、性能強的低壓差穩壓器創新產品`
2018-05-28 10:35:07
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性至關重要。
2020-10-29 08:23:33
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部位于日本京都市)開發出內置絕緣元件的柵極驅動器"BM6103FV-C"，最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變回路中IGBT
2019-04-29 21:09:14
ADuM3220設計用作隔離系統中的4A柵極驅動器，以實現同步DC-DC轉換。傳統解決方案使用2個隔離器和1個雙通道柵極驅動器。如圖1所示，一個雙通道柵極驅動器IC可以與兩個脈沖變壓器或兩個光耦合器
2018-10-15 09:46:28
程中導致開關電流升高?！ ”M管超結MOSFET開關管優化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但IGBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導通能耗?！ ≡诘凸β蕢嚎s機驅動電路內，意法半導體最新超結MOSFET
2018-11-20 10:52:44
，柵極電阻用于限制功率半導體的開關速度，換向時的dv/dt與負載電流密切相關。另一方面，使用電流源驅動器可以在整個負載范圍內實現恒定的dv/dt。ROHM 的新型隔離式柵極驅動器 BM60059FV-C
2023-02-21 16:36:47
TPS61163是什么？TPS61163有哪些功能？有哪些特性？如何去實現一種雙通道WLED驅動器TPS61163電路的設計？
2021-07-14 06:48:26
，我們想要先介紹安森美半導體的電機驅動器LV8548MC，它可以作為雙通道H橋直流電機驅動器或單通道步進驅動器，占用空間小，外部組件數量最少。它支持4V至16V的單電源供電，并兼容3.3V和5V控制輸入。LV8548MC采用高達1A直流驅動電流，支持正向/反向、制動、續流，并且具有RDSON
2019-06-27 10:48:50
作為應用全SiC模塊的應用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上，介紹使用專用柵極驅動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
同時運行特定組合。您可以選擇最適合電機特性的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，并調整DRV8714-Q1的寄存器以優化性能。圖1：由DRV8714-Q1汽車柵極驅動器驅動的三電機座椅驅動
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導體溝槽技術：長期方法? 意法半導體保持并鞏固了領先地位? 相比現有結構的重大工藝改良? 優化和完善的關鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
和低壓功率MOSFET與 IGBT ? 定制的電源模塊? 二極管和晶閘管 ? 保護器件和濾波器? AC-DC轉換器和控制器 ? DC/DC轉換器 ? 線性電壓穩壓器 ? 模擬集成電路 ? 電池管理IC ? 數字控制器? STM32微控制器 ? MOSFET和IGBT柵極驅動器 非常好的資料
2023-09-07 07:36:32
個優勢?！ ≡O備屬性及其柵極驅動 現在我們已經詳細闡述了SiC材料的特性，并了解到它在高能量應用中的參數優于Si，現在是時候仔細研究器件和應用了。如上所述，意法半導體是SiC市場的佼佼者之一，讓我們
2023-02-24 15:03:59
驅動程序的參考實例和一個簡化應用集成的類似于BSD（Berkeley套接字）的標準C API，以及 一個用于簡化蜂窩擴展板無縫控制的簡單API。此外，意法半導體還與領先的物聯網解決方案提供商安排讓用戶在
2018-07-09 10:17:50
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
開關電路的結果，主要由大型工業電機的磁場造成。EMI可以輻射或傳導，并且可能耦合到附近的其他電路中。因此，EMI或RF抗擾度是衡量柵極驅動器抑制電磁干擾并保持穩健運行而無差錯的能力的指標。若具有高抗擾度
2018-11-01 11:35:35
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅動光電耦合器，可改善隔離電源并簡化柵極驅動設計。ACPL-302J具有用于DC-DC轉換器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT診斷，保護和故障報告功能
2018-08-18 12:05:14
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導體推業界領先的高壓柵極驅動器IC
2016-06-22 18:22:01
單路雙通道電源控制開關電路圖
2009-05-19 10:06:51
9
雙通道開關電路圖
2009-04-13 09:04:482217 
雙通道音頻開關電路圖
2009-07-03 14:30:05915 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 UCC2752x 系列產品是雙通道、高速、低側柵極驅動器，此器件能夠高效地驅動MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關。
2016-07-22 15:38:230 意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM柵極驅動器是意法半導體的 STGAP2系列電隔離驅動器的第二款產品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個電隔離輸出通道，可以驅動單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:313905 ADuM322x是針對同步DC/DC轉換器而設計的雙通道柵極驅動器。該系列器件在一個SM中同時集成iCoupler?數字隔離技術和4A峰值電流柵極驅動器。
2019-07-19 06:09:003737 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
ADUM3221：隔離的4 A雙通道柵極驅動器
2021-03-21 06:22:182 意法半導體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優化的單通道柵極驅動器，采用節省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:141783 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統，因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45547 不好常常導致器件損壞。本文重點提到基本半導體單通道隔離柵極驅動器BTD5350應用于工業空調，共模抑制比CMTI可達150KV/μS，BTD5350應用框圖如下：相較于東芝TLP350，基本半導體BTD535
2022-09-14 11:04:19909 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅動IC1ED3142MU12F來驅動IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
列文章的第二部分 SiC柵極驅動電路的關鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
在電力電子領域，為了最大限度地降低開關損耗，通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設計更高性能的開關驅動系統 。 目前，寬帶隙半導體
2023-11-17 18:45:01326 
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
金屬-氧化物-半導體（MOS）結構作為開關的電路。當柵極（G）接高電平時，源極（S）和漏極（D）之間的導電通道被打開，電流可以通過；當柵極接低電平時，導電通道被關閉，電流無法通過。因此，通過控制柵極的電平，可以實現MOS開關的開關功能。
2023-12-19 11:27:34571 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器，該系列驅動器基于電容隔離技術，集成了多種保護功能，專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出，標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 電子發燒友網站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅動器UCC5350-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:17:510 
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