N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 LT8672 是用于反向輸入保護的有源整流器控制器。該器件驅(qū)動一個外部 N 溝道 MOSFET 以取代一個功率肖特基二極管。
2017-10-16 15:46:368829 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
用P溝道MOSFET設(shè)計反向電壓保護電路
2022-04-29 17:42:3614394 
用N溝道MOSFET設(shè)計反向電壓保護電路
2022-04-29 17:59:3415878 
該電路實現(xiàn)過流、過壓保護的主要原理與 圖2 電路基本一致。不過當電路觸發(fā)過流、過壓保護功能時，僅是電流方向為D→S的MOSFET實現(xiàn)保護作用。對于另外一顆MOSFET，當電流較小、其體二極管還未正向?qū)〞r，電流會從其溝道流過；當其體二極管正向?qū)ê螅娏鲿瑫r從溝道、體二極管流過。
2023-11-07 14:42:49634 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31779 
電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01750 
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 3415 20V SOT-23 P溝道MOS 帶ESD保護 HN3415D，庫存現(xiàn)貨HN3415D采用先進的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V
2021-03-11 11:14:52
和工作原理 功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在
2019-06-14 00:37:57
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機控制器。這是一個典型的 MOSFET開關(guān)電路。由于電動機負載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
相反。由于其中存在可用的P型雜質(zhì)，因此該MOSFET中的通道是預(yù)先構(gòu)建的。一旦在柵極端施加負 (-) 電壓，N型中的少數(shù)電荷載流子(如電子)就會被吸引到P型溝道。在這種情況下，一旦漏極反向偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
IC圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控極性決定了MOSFET的圖形符號。不同之處在于體二極管和箭頭符號相對于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖注意體二極管和箭頭相對漏極
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強型功率MOSFET，它采用先進工藝，提供較低的導通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
通道MOSFET來在反向電壓情況出現(xiàn)時提供保護功能。然而，這樣的控制電路比較復雜，并且高電流p通道MOSFET也比較昂貴，并且會增加總體系統(tǒng)成本。P通道MOSFET常見的Rds(on) 會在低輸入電壓
2018-09-04 14:59:07
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
型號：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封裝: DFN3*3-8L溝道：P溝道種類：絕緣柵(MOSFET)G16P03 原裝，G16P03庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用
2020-11-05 16:48:43
MOSFET的浮柵驅(qū)動。高速度（HS）比較器保護公共總線通過關(guān)閉短路的電源將MOSFET置于300ns以下并保證低反向當前。一種外接電阻可編程HS檢測電平比較器允許用戶設(shè)置N溝道MOSFET
2020-09-28 16:35:05
Q2體二極管中的電流比正常工作狀況下大很多。導致了MOSFET Q2的P-N結(jié)上存儲更多電荷。 在t2~t3時段，MOSFET Q2施加門極信號，在t0~t1時段劇增的諧振電流流經(jīng)MOSFET Q2溝道
2019-09-17 09:05:04
。該控制器可保護電路免受可能過高，過低或過低的輸入電壓的影響。它通過控制兩個背對背連接的N溝道MOSFET的柵極來工作，以將輸出保持在安全范圍內(nèi)。 UV和OV設(shè)定點由UV和OV輸入上的電阻分壓器配置
2019-02-21 09:48:51
編輯-Z場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
N溝道MOSFET驅(qū)動電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時候，總會被問到一個問題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個問題，昨天針對這個問題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實為一只復合MOSFET，內(nèi)含一只P溝道和N溝道場效應(yīng)管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
一般說明PW2307采用先進的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至4.5V時工作。該裝置適用于電池保護或在其他交換應(yīng)用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（開）
2020-12-23 13:05:52
一般說明PW2309采用先進的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（開）
2020-12-10 15:57:49
一般說明PW2319采用先進的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（開）
2020-12-04 14:28:06
`一般說明PW2337采用先進的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（開）&
2020-12-10 16:01:03
`SUN2310SGP溝道增強型功率場效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
概述： UCC3957是德州儀器公司生產(chǎn)的一款采用BiCMOS工藝的3/4節(jié)鋰離子電池組充電器保護用控制集成電路。它與外部的P溝道MOSFET晶體管一起對電池組充電實現(xiàn)兩級過電流保護，如果達到第一
2021-05-18 07:43:37
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
高精度電壓MOSFET檢測電路和延遲電路。XB6042系列DFN1X1x0.37-4包裝，只有一個外部組件使其成為理想的電池組空間有限的解決方案。XB6042系列具有所有的保護功能電池應(yīng)用所需的功能包括過
2021-04-07 16:46:59
維持溫度穩(wěn)定性。（它有A版本1%或B版本0.5%精度可選擇），R1和R2選擇精度1%以上的電阻。該電路的真值表如下所示2.該過壓保護電路使用具有推挽輸出級的高電壓比較器來控制將電源連接到負載的P溝道
2019-07-10 09:12:53
特征充分增強N溝道功率mosfet8μA IQ待機電流電流為85μA IQ無外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護通過PTC熱敏電阻進行熱關(guān)機狀態(tài)輸出指示停機提供8針SOIC應(yīng)用筆
2020-09-08 17:28:16
在通孔板上建立電路數(shù)小時后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當
2018-08-23 10:30:01
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
DC2418A-B，演示電路旨在演示具有雙向斷路器的LTC4368-2 100V欠壓（UV），過壓（OV）和反向保護控制器的性能。 LTC4368-2可保護電路免受雙向過流和輸入電壓的影響，輸入電壓
2019-02-19 07:01:31
變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。二、功率MOSFET的反向導通等效電路（1）1）等效電路（門極不加控制）：2）說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-08-29 18:34:54
變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-09-05 07:00:00
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驅(qū)動。對于一個橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅(qū)動，驅(qū)動電路設(shè)計簡單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路，驅(qū)動電路
2016-12-07 11:36:11
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
≥5V時，N導電溝道暢通(它相當于一個極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負)。而當電 池裝反時，場效應(yīng)管(MOSFET)不通，電路得以保護。2．觸摸調(diào)光電路一種簡單的觸摸調(diào)光電路如圖10
2011-12-19 16:52:35
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動、變壓器驅(qū)動或自舉驅(qū)動，驅(qū)動電路復雜；P溝道可以直接驅(qū)動
2019-04-04 06:30:00
惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOSFET在這種工作狀態(tài)的特點，以及如何選取功率MOSFET型號和設(shè)計合適的驅(qū)動電路。 電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用特點 電動自行車的磷酸鐵鋰電池保護板的放電電路的簡化模型如圖1
2018-09-30 16:14:38
的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源
2021-12-28 09:37:46
，電路中的可用電壓為電源電壓減去二極管壓降。在工業(yè)和汽車應(yīng)用中，大多數(shù)前端接口要求反向極性保護，而這一保護功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵，p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)用…
2022-11-17 07:18:32
LTC4365 將迅速把負載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車欠壓、過壓及電源反向保護電路雙路 N 溝道 MOSFET 負責在 VIN 上隔離正電壓和負電壓。在標準運作期間，LTC4365 為外部
2018-10-29 16:59:59
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優(yōu)勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計問題？
2016-08-28 18:29:46
窗口之外，則 LTC4365 將迅速把負載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車欠壓、過壓及電源反向保護電路 雙路 N 溝道 MOSFET 負責在 VIN 上隔離正電壓和負電壓。在標準運作期間
2022-05-09 14:49:27
LTC4365 將迅速把負載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車欠壓、過壓及電源反向保護電路雙路 N 溝道 MOSFET 負責在 VIN 上隔離正電壓和負電壓。在標準運作期間，LTC4365 為外部
2019-03-24 11:17:53
的性能。該控制器可保護電路免受可能過高，過低或過低的輸入電壓的影響。它通過控制兩個背對背連接的N溝道MOSFET的柵極來工作，以將輸出保持在安全范圍內(nèi)。 UV和OV設(shè)定點由UV和OV輸入上的電阻分壓器配置
2019-02-19 09:30:42
是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為
2021-12-22 07:00:00
是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為
2021-12-02 09:18:17
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當柵源電壓增加更多時，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
K9是單片機控制信號，OUT_12V_1是時鐘（脈沖）信號，IN1B會有幾種輸出狀態(tài)呢？光耦LTV-357T-D接P溝道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
*附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護設(shè)計。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導通，經(jīng)過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
鋰離子/聚合物電池保護集成電路XB7608AJ系列產(chǎn)品是鋰離子/聚合物電池保護的高集成度解決方案。XB7608AJ包含了先進的powe MOSFET、高精度的電壓檢測電路和延時電路，XB7608AJ被放入
2021-04-15 21:12:45
時，形成兩個反向偏置的PN結(jié)：P和垂直導電N+、P+和外延epi層N-。柵極下面的的P區(qū)不能形成反型層產(chǎn)生導電溝道，P和垂直導電N+形成PN結(jié)反向偏置，PN結(jié)耗盡層增大，并建立橫向水平電場；同時，P+和外延
2018-10-17 16:43:26
承受80V的瞬態(tài)或DC過壓。LTC4361具有由/ON引腳控制的軟停機功能，并為可選的外部P溝道MOSFET提供柵極驅(qū)動輸出，以實現(xiàn)電壓反向保護。
2021-04-19 07:32:06
。逆向電池保護電路也節(jié)省了電子電路的任何回流從電池。反向電池保護電路可以建立使用二極管，MOSFET 或 BJT。在本教程中，逆向電池保護電路從這些組成部分將設(shè)計和測試的功率效率與不同的負載。實驗中不
2022-03-23 10:26:13
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強型MOSFET
N溝道增強型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強型
2009-09-16 09:38:1810460 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-03-05 15:56:44134 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。 P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 
MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444 
150V 快速高壓側(cè)受保護的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 為反向極性保護設(shè)計一個電路
2022-11-03 08:04:401 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 在工業(yè)和汽車應(yīng)用中，大多數(shù)前端接口要求反向極性保護，而這一保護功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵，p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)用。然而，p通道MOSFET的Rds
2023-04-15 10:50:461357 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005290 
在這個設(shè)計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
在H橋電路中實現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數(shù)才能實現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
有四個主要元件可滿足電池反向保護，分別是恢復整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 
電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435
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