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電子發燒友網>電源/新能源>電阻器的失效模式和失效機理

電阻器的失效模式和失效機理

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2023-02-20 15:37:48955

IGBT失效模式失效現象

今天梳理一下IGBT現象級的失效形式。 失效模式根據失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負載波動、驅動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319

引發TVS短路失效的內在質量因素和失效機理

介紹了TVS瞬態抑制二極管的組成結構,失效機理和質量因素,希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571

MOSFET的失效機理

MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理
2023-03-20 09:31:07638

壓接型與焊接式IGBT的失效模式失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041117

TVS二極管失效機理失效分析

常用電路保護器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞.這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483679

芯片小課堂 | 失效模式與FMEDA

失效模式與FMEDA-第88期-PART01失效模式首先,何謂失效?ISO26262中對“故障”、“錯誤”、“失效”的定義如下:故障(Fault):可引起要素或相關項失效的異常情況。錯誤(Error
2023-03-06 10:36:324330

集成電路封裝失效機理

集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關的,導致失效發生的電學、溫度、機械、氣候環境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26715

溫度-機械應力失效主要情形

集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關的,導致失效發生的電學、溫度、機械、氣候環境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。根據應力條件的不同,可將失效機理劃分為電應力失效機理、溫度-機械應力失效
2023-06-26 14:15:31603

半導體器件鍵合失效模式機理分析

本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當,以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數以及封裝環境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結,闡述了鍵合工藝不當及封裝不良,造成鍵合本質失效機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930

PCB熔錫不良現象背后的失效機理

PCB熔錫不良現象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01545

電阻失效發生的機理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發生機理為:外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層,在內部電場作用下,發生水解反應。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應,致使電阻膜腐蝕失效
2023-08-18 11:41:371102

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關元件,在電子設備中得到了廣泛的應用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析
2023-12-14 17:06:45266

IGBT的失效模式失效機理分析探討及功率模塊技術現狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721

電阻器失效模式有哪些

電阻器是一種常見的電子元件,用于限制電流的流動。在電路中,電阻器起著重要的作用,但在使用過程中可能會出現失效的情況。本文將介紹電阻器失效模式機理。 一、失效模式 開路失效電阻器的阻值變為無窮大
2024-01-18 17:08:30441

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