中國上海，2022年6月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品
2022-06-07 13:49:20
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國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，其作為小型化尖端光繼電器領域的業界領先企業，現推出了光繼電器新家族（共五款），均采用業界最小型［1］封裝S-VSONR4（2.0mm×1.45mm）。新產品適用于自動測試設備、存儲測試器、SoC／LSI測試器和探針卡等。即日開始供貨。
2019-06-11 18:11:44734 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V
2020-12-26 10:31:421900 東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。
2021-11-30 15:24:191319 
---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上
2023-02-06 10:01:471034 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57664 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
是選擇小于1的電荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感應導通的其他因素包括低驅動漏極阻抗(同步MOSFET Q2的導通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導通方面具備同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術相結合實現了低的導通電阻。這有助于提升您應用中的產品性能。 2.小型封裝產品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機柵極驅動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉向助力系統（EPS
2023-02-28 14:11:51
了開關損耗，促進了白色家電和工業設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大（共發射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因為管壓降低了，相當于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關，同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發的低導通電阻芯片，在使封裝小型化的同時實現了與現有SOP8 Dual產品同樣低的導通電阻。ROHM將要逐步大量生產封裝
2018-08-24 16:56:26
從半導體封裝到通信接口、電池和顯示技術，無不受到便攜式和小型化醫療電子設備需求的影響。芯片級封裝、裸片和撓性/折疊印刷電路板已經極大地縮小了電子設備占用的總系統空間。將其同一些新的粘接和焊接流程技術
2019-05-17 07:00:02
的應用優勢優于 IGBT。考慮到所有開關損耗、導通電阻相關傳導損耗和內部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設計比基于 IGBT 的同類設計可節省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進為
2023-02-22 16:34:53
超薄片式厚膜電阻器具有許多碳電阻器特性;它們可以做得很小，而且大批量的成本非常低。同時厚膜電阻器具有高達10TW（太歐姆）的高電阻值、非常高的溫度性能和高電壓能力，并且本質上是無感的。它們適用于醫療
2024-03-15 07:17:56
描述該設計適用于小型蜂窩基站開發平臺。其提供兩條實際的接收路徑、兩條復雜的傳輸路徑和一條共享的實際反饋路徑。該設計具有小型蜂窩基站的尺寸，卻具有大型基站的性能。當前設計可處理高達 20MHz 的帶寬
2018-12-12 14:00:18
保護等，在復雜的應用條件下，保證電源的穩定性和可靠性。8335采用TSOT23-8小型無鉛封裝，外圍電路簡單，非常適用于PCB空間局限的產品。 特性：1、足3A持續負載能力2、6.5V-36V寬輸入
2019-07-09 08:59:57
適用于需要省空間且低噪特性的無線通信設備和PCIe板等。隨著設備高功能化，使電源部分小型化能有助于有效使用基板的空間。本產品已在WAKURA村田制作所開始量產，也可應對客戶的樣品要求。特點小型：產品及包括
2019-03-03 17:52:03
Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相反相成，后者是一款20V、單P溝道器件，VGS為±4.5V時RDS(on)為1.3Ω。 這兩款新MOSFET由于具有低導通阻抗、低閾值電壓及1.5V門極
2012-12-07 15:52:50
傳統的PIFA天線雖然將尺寸減小了一半，但相對快速小型化的移動通信產品而言還是尺寸過大。本文根據傳統印制倒F型天線的工作原理，設計了一種折疊PIFA天線，尺寸只有16 mm×4.5 mm，設計簡單、制造成本低、工作效率高，適用于藍牙系統。
2023-09-25 08:25:33
/5732.2017_2D00_06_2D00_06_5F00_180313.png]圖2：在大多數電動工具中，電子設備位于手柄中傳統意義上講，適用于驅動大功率電機的FET其封裝又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。TI的小型無引線封裝（SON）5mm
2018-06-27 09:58:14
ASEMI 快恢復二極管MURF2040CT適用于多大頻率的電器？
2017-04-25 13:10:52
` ECEC在原有貼片石英晶振生產工藝的基礎上推出了超小型化，超薄型貼片封裝的石英晶體諧振器，sx-3225，詳細尺寸為：3.2*2.5*0.7mm typ，頻率范圍從
2011-07-14 14:38:34
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到
2018-12-05 10:00:15
不會影響其他參數的性能。例如，采用 LFPAK88銅夾片封裝的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 柵源電壓下具有 0.9 mΩ的最大導通電阻。且最大漏極電流額定值可達 410
2022-10-28 16:18:03
大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。 具有四個交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導體
2020-07-07 08:40:25
選。這些產品包括用于電信設備和服務器的高效交流/直流開關電源和直流/直流轉換器、D類放大器和電機控制驅動裝置等。器件概念1998年，采用600 V CoolMOS?技術的商用化產品被推出，適用于功率
2018-12-07 10:21:41
通電阻比普通產品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進一步降低各種設備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現設備的小型化， 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
兩方面的損耗少與效率改善密切相關。另外，損耗少的話，發熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進一步講，一般MOSFET的導通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
`SUN2310SGP溝道增強型功率場效應管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術。這種高密度的工藝特別適用于減小導通電阻。適用于低壓應用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
前 言 功率開關器件（如MOSFET， IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業、醫療、交通、消費等行業的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現更低的開關損耗和更低的導
2023-02-27 16:14:19
Taiyo Yuden (U.S.A.)公司推出NR3012系列小型線繞功率電感，適用于電池供電便攜式設備電源電路應用。 該電感高度為1.2mm，包括65種不同的型號，尺寸包括3×3mm和4
2018-11-19 17:13:23
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
與其他電子設備一樣，近年來對電機智能化、小型化、高效化的需求日益高漲。這是因為全球近50%的電力需求均使用電機驅動，滿足這些需求已成為當務之急。BD9227F根據MCU生成的PWM信號來線性控制輸出
2018-12-04 10:18:22
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
推出了適用于大容量鋰電池的快充芯片hl7026。該系列芯片可實現5v 3a的快速充電，能夠滿足用戶對大容量鋰電池上實現快速高效的充電需求。HL7026是5V輸入全集成的開關模式充電器，芯片內置了電壓
2020-08-19 15:44:42
分享幾個選擇小型化光纖連接器的訣竅
2021-05-21 06:58:03
的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導通電阻比高邊 MOSFET的低，這會導致焊盤區的大小不一致。事實上，低邊MOSFET的導通電阻是器件的關鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓
2013-12-23 11:55:35
包括最大額定值表、電氣特性表，性能曲線和封裝等信息，后面將更詳細地解說。數據表的第一頁用于提供MOSFET概覽，包括關鍵特性和目標應用。首頁還包含最大額定值表、熱特性、器件符號、引腳連接和導通電阻規格
2018-10-18 09:13:03
時，在P-和柵極相鄰的區域，形成垂直的溝道，電流從漏極流向源極時，同樣的，電流垂直流過硅片內部，可以看到，柵極的寬度遠小于垂直導電的平面結構，因此具有更小的單元的尺寸，導通電阻更小。常用的溝槽有U型
2016-10-10 10:58:30
如何在現實中實現可穿戴設備的小型化呢？芯片級尺寸封裝有什么好處？芯片級尺寸的MCU如何適應可穿戴設計中的尺寸限制？
2021-04-19 11:21:42
為持續應對便攜式產品業對分立元件封裝的進一步小型化的需求，安森美半導體（ON SEMICONDUCTOR）推出封裝僅為1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三種新型肖特基
2008-06-12 10:01:54
，如那些用于在移動設備中采用2.5 V或1.8 V低電壓工作的負載開關及接口的小信號MOSFET,必須追尋其它技術來減小封裝尺寸和每個裸片尺寸的導通電阻。事實上，每個裸片尺寸的導通電阻是主導用于負載
2018-09-29 16:50:56
發熱量。這可使冷卻器進一步簡化。例如，可實現散熱器的小型化、以自然空冷代替水冷和強制空冷。這些都有利于系統整體的小型化和降低成本。高速開關使工作頻率可以更高，有利于電感器和電容器等外圍元器件的小型化。這與正常
2018-12-04 10:14:32
FDC6324L是一款集成負載開關 是使用ON生產的半導體專有的高單元密度DMOS技術。這種非常高密度的工藝特別適合于將導通電阻降至最低，并提供優越的開關性能 這些設備特別適用于需要低導通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過 TO-220 封裝實現業界最低導通電阻，從而可在更大電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
多芯片驅動器加FET技術是如何解決小型化DC/DC應用設計問題的？
2021-04-21 06:50:18
效應和電壓振鈴的Q2封裝。同步MOSFET Q2的導通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導通方面具備同等的重要性。實際上，近幾年來，MOSFET供應商對各種封裝進行了大幅改進，使通態電阻變得
2011-08-18 14:08:45
12V電源浪涌的要求是什么？求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案
2022-01-14 07:35:40
求一個適用于高頻開關電路的mosfet，極間電容要小一點，越小越好
2019-08-19 13:47:23
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
是TrenchFET（如圖1所示）。圖1 MOSFET結構比較 TrenchFET技術的廣泛使用是由于它替代平面技術的特定管芯尺寸下具有極低的導通電阻,唯一的不足就是寄生電容通常會有所增加。面積比較大的溝道墻
2012-12-06 14:32:55
近年來各種電子產品向小型化和微型化發展，并以大爆炸的形式進入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個產品的一大部分，電源變壓器、電源控制IC、MOS管、整流二極管、電解電容及瓷片電容等元器件
2018-10-10 16:49:11
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
(Typ.)500mA-40℃～85℃應用示例該產品效率高、體積小，適用于可穿戴式設備、移動設備、電池驅動的IoT設備（傳感器節點等）、小型工業設備（報警器、警報設備、電子貨架標簽等）。同樣也適用于能量收集
2018-12-05 10:03:29
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
以檢查性能圖，并嘗試確定哪些零件更能承受低V GS。最大值最好通過選擇具有適當閾值特性和低導通電阻的MOSFET來嘗試優化性能，但是確保不要破壞或嚴重削弱該器件也很重要，這就是“極限”所在玩。最大漏極
2019-10-25 09:40:30
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
*3.2*1.0。不管是多么超薄的手機，都可以使用。這款一體成型電感不僅僅適用于手機，如今的攝像設備更是向小型化發展，一體成型電感更是適用于這些設備中。谷景電子專注于設計、研發、銷售高品質貼片繞線電感，工字電感，環型電感以及相關安規器件電感，并提供完善的技術服務與專業的解決方案。`
2020-06-19 11:26:30
防止兩個MOSFET管直通，通常串接一個0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特 點是結構簡單。 功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏極-源極間導通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、
2010-01-26 16:25:041154 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 TE Connectivity （TE）公司宣布推出了適用于各種移動和其它小封裝設備的3.5毫米壓接式A/V接口。
2011-06-07 08:40:40540 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:30963 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 東京—東芝公司今天宣布推出“TC78H610FNG”。“TC78H610FNG”是東芝公司H橋［1］驅動器芯片（IC）系列的最新產品，適用于低電壓有刷直流電機，如用于電池驅動設備、相機設備和家用電氣設備的電機，量產出貨即日啟動。
2014-08-08 13:34:061396 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01308 東芝公司（Toshiba）推出一款適用于移動設備的小型1.0 x 1.0mm無引線式封裝單閘邏輯集成電路（IC）。新產品TC7SZ32MX將于即日起出貨。除現有的小型1.0 x 1.0mm引線
2018-11-13 11:53:38756 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 特瑞仕半導體株式會社（日本東京都中央區 董事總經理：芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616）開發了2種MOSFET新產品--XP22x系列（20V耐壓） 此次發售的產品是具有低導通電阻和高速開關
2020-09-03 10:28:201711 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，
2023-02-04 18:31:452676 ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
” 。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路 [1] 等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 TPH3R10AQM具有業界領先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
本公司將硬盤驅動器主軸電機研發過程中積累下來的FDB（液壓軸承）技術應用于風扇電機，致力于研發更加小型化、超薄化的風扇電機。
2022-10-05 13:29:07781 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32732 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10460
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