隨著數據中心持續為網絡搜索、視頻通話和信息存儲等服務提供支持，處理能力需要變得更快、更強大，電力需求也隨之增長。

在不增加體積或影響系統效率的情況下，如何為服務器提供更多電力？

臺達電子選擇了德州儀器作為合作伙伴，通過應用 TI 的氮化鎵 (GaN) 技術并與 TI 電源領域專家合作，實現了數據中心在功率密度上的突破。

相比使用傳統架構的服務器電源供應器 (PSU)，臺達研發的服務器電源供應器可提供單級高達 99.2% 的效率，功率密度提升 80%，效率提升 1%。

能源政策機構 Energy Innovation 數據顯示，效率每提升 1%，相當于每個數據中心節省了 1 兆瓦（或 800 戶家庭用電）的總所有成本。

氮化鎵：推動電源管理變革

氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，非常適合用于高性能電源開關。

任何設備在開啟和關閉時都會消耗一定的電量，與 MOSFET、IGBT 等技術相比，氮化鎵的開關功耗更低、開關速度更快，可以幫助電源產品實現更高的功率密度和效率。

此外，氮化鎵能夠比純硅解決方案更有效地進行電量處理，將功率轉換器的功率損耗降低 80%，并更大限度地減少對冷卻器件的需求。通過將更多電量存儲在更小空間內，氮化鎵可以幫助工程師設計更小更輕的系統。

臺達電子定制設計業務部研發經理 Kai Dong 表示：“氮化鎵的應用融合了臺達電子在高效電力電子裝置領域的核心專業知識，以更大限度地提高功率密度，同時不會降低效率性能。歸根結底，氮化鎵技術打開了通往新產品世界的大門，而這在此之前是不可能的。”

TI氮化鎵技術優勢

TI 在高度整合的氮化鎵技術領域擁有長達十年的投資。隨著市場需求的增加，以及小型化系統、海量化數據趨勢的不斷發展，我們的長期投資和靈活的制造策略，將讓我們成為先進的氮化鎵供應商。

在性能上，我們的氮化鎵場效應管 (FET) 集成了快速開關驅動器，以及內部保護和溫度傳感功能，能夠更好地在有限的電路板空間內實現高性能，且開關速度比分立式氮化鎵場效應管更快；我們的氮化鎵器件具有更快的開關速度，可以實現超過 500kHz 的開關頻率，從而將磁性元件尺寸縮減高達 60%、提升性能并降低系統成本。

此外，我們的氮化鎵器件采用專有的硅基氮化鎵工藝，經過超過 4000 萬小時的可靠性測試及超過 5GWh 的電源轉換測試，為工程師提供嚴謹的可靠性數據，協助他們用用氮化鎵打造更小、更輕且效率更高的電源系統。

臺達電源及系統事業群總經理 Ares Chen 表示：“氮化鎵已跨越過去，被視為未來技術的門檻，并且現在已成為電源供應系統設計中即時可行的選擇。通過與 TI 等先進企業合作，我們得以持續提升產品的能源效率，并為我們熟悉的電源設計與架構帶來革命性的變革。”

審核編輯：劉清