本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 本文將介紹一種門極驅動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結果包括了可調整過流和短路檢測以及軟關斷和有源鉗位（可在關斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:578316 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
2016-12-15 16:00:3417030 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002390 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能讓系統效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而在驅動電壓上產生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 
的技術、項目經驗積累，著筆SiC相關設計的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進一步的交流。 作為系列文章的第四篇，本文主要針對SiC MOSFET 短路Desat 保護設計做一些探討。 1.???? 什么是Desat Desat保護是功率MOSFET和IGBT保護中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:002091 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應用實例所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會嚴重影響全局開關損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當電源開關關閉時，驅動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現感應導通的現象。圖3
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關管以提高開關頻率，縮小設備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅動，望批準！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：電池充放電檢測設備試用計劃：申請理由：現有的充放電設備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項目：電池充放電檢測設備計劃：了解并測試demo的驅動，現有產品的的驅動是否適用于
2020-04-24 18:09:35
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅動板Sic Mosfet驅動電路要求1. 對于驅動電路來講，最重要的參數是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
。設計挑戰然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰。在諸多挑戰中，工程師必須確保：以最優方式驅動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
，而且結構簡單 。可顯著減少SiC MOSFET選型和柵極驅動電路調整等 設計和評估工時 。 內置各種保護功能 ，基本上只需根據要設計的電源規格設置外置元器件的常數即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
。準諧振控制軟開關的低EMI工作，突發模式下的輕負載時低消耗電流工作，具備各種保護功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅動而優化的柵極箝位電路。另外，是工業設備用的產品，因此支持長期供應
2018-12-04 10:11:25
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉換器用的準諧振控制器，是全球首款*專為驅動SiC-MOSFET而優化的IC。（*截至2015/3/25的數據）您可能已經注意到，開關要使用SiC-MOSFET時，需要為將
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅動器的功
2012-03-05 15:56:44
134 分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實
2012-03-14 14:23:48221 功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
功率MOSFET驅動和保護電路，以及其的相關應用。
2016-04-26 16:01:467 SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性，在驅動設計中考慮短路保護功能，提高系統可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
如何驅動碳化硅MOSFET以優化高功率系統的性能和可靠性
2018-08-20 01:10:008382 近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅動核和其他SCALE-iDriver門極驅動器IC還支持不同SiC架構中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
2020-08-13 15:31:282476 查看SiC-MOSFET-柵極驅動光耦合器的參考設計。 http://www.nxhydt.com/soft/有成千上萬的參考設計，可幫助您使項目栩栩如生。
2021-01-14 10:15:0221 今天我們繼續講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機制 在雙極性運行（PN結，比如MOSFET的體二極管，在導電時）條件下，任何類型的SiC器件都可能出現雙極退化效應
2021-02-08 09:36:008422 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
速度較慢，開關損耗較大。SiC MOSFET的高耐壓、高開關速度能有效提升電機驅動器的功率和效率，但更高的開關速度和更大的功率對驅動器的快速響應能力和故障快速保護能力提出了更高的要求。此外，舵機控制器
2022-04-29 16:34:103559 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖，并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32:481030 
SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
驅動器和 SiC MOSFET 打開電源開關的大門
2023-01-03 09:45:06433 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032100 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102935 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發揮其高頻特性，實現電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優勢。
2023-05-26 09:52:33462 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-25 14:35:02377 
則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
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