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測試時需要使用一臺晶體管圖示儀，電路如圖所示。TOPSwitch-GX的D、C、S極分別接圖示儀的C、B、E孔。由圖示儀提供的漏-源電壓UDS應低于700V，以免損壞器件。當C端加上如圖所示的波形時，可將內(nèi)部MOSFET關斷。關斷時的漏電流IDSS小于或等于250UA，這可通過串入電路中的微安表測得，亦可由數(shù)字萬用表的直流200UA（或2MA）擋來代替微安表。
測試漏-源擊穿電壓和關斷時的漏電流
- 測試漏-源(5905)
- 擊穿電壓(8824)
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2020-07-23 07:23:18
MOS管的每一個參數(shù)含義，這篇給你講全了！
的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常
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UIS測試了解一下？
面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關斷過程中，如果電壓過沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，但是——當電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET的擊穿電壓后，將導致雪崩
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中文圖解功率MOS管的參數(shù)，詳細實用資料！
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從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十四）
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AT680A 是采用高性能微處理器控制的超級電容漏電流測試儀。數(shù)控測試電壓：1.000V~10.000V，最大充電電流2A，4量程測試，使漏電流準確度提高到1%，它可以測試0.001μA~200mA
2020-12-28 09:51:221328
1328IGBT關斷時的電流和電壓
, 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關速度快的特點。很多情況，由
于對IGBT關斷機理認識不清, 對關斷時間隨電壓和電流的變化規(guī)律認識不清, 導致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、
死區(qū)時間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導致IGBT因使用不當, 燒毀。今天我們就IGBT關斷時的
2023-02-22 14:57:54
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3耐壓和漏電流測試區(qū)別
在安規(guī)測試中，有耐壓測試和漏電流測試兩項，發(fā)現(xiàn)兩者的測試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒有小于要求值，兩者原理看似一致，為何要分耐壓測試和漏電流測試？
2023-06-05 09:09:081913
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電源模塊漏電流怎么測試？萬用表如何測泄漏電流？
漏電流測試是電源模塊安規(guī)測試項目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標準，防止漏電流過大造成設備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測量電源模塊的漏電流。
2023-11-06 15:44:521068
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附錄一芯片量產(chǎn)測試常用“黑話”
），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高；
2023-11-23 17:38:321124
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耐壓測試中漏電流的計算方法
發(fā)生的電荷流動現(xiàn)象。在耐壓測試中，漏電流是指設備在額定電壓下，由于絕緣材料存在缺陷而導致的電流泄漏。漏電流的大小直接影響到耐壓測試的安全性和準確性。 二、漏電流的計算方法 AC 測試之漏電流理論計算： 計算公式：I =2π f V*Cy
2024-01-11 14:38:491355
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緣材料熱態(tài)擊穿電壓測試儀
正常工作的電壓加在被測設備的絕緣體上，持續(xù)一段規(guī)定的時間，加在上面的電壓就只會產(chǎn)生很小的漏電流，則絕緣性較好。程控電源模塊、信號采集調(diào)理模塊和計算機控制系統(tǒng)三個模塊組成測試系統(tǒng)，帶報警和時間控制功能。 KDZD5550系列智能絕緣材料熱態(tài)擊穿電壓測
2024-02-28 11:53:2564
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工商網(wǎng)監(jiān)
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