,隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開始下降,跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開始那么貴呢,難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來(lái)的高附加值? ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從
2022-07-12 08:27:008641 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522186 具體有哪些變化?DDR5與DDR4差別很大,實(shí)際上更像LPDDR4,DDR5帶來(lái)9個(gè)變化。
2021-05-19 09:56:404227 傳統(tǒng)上,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)技術(shù)依賴于時(shí)序測(cè)量,例如建立和保持時(shí)間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高,信號(hào)完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對(duì)于DDR5,定時(shí)測(cè)量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號(hào)的眼圖模板測(cè)量所取
2022-12-07 14:34:271944 2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過(guò)渡。
2024-03-17 09:50:37433 隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能
2020-02-16 07:34:001451 到16Gbps。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,也就是減少功耗。此外,芯級(jí)ECC、更好的設(shè)計(jì)伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能、產(chǎn)能、工藝水準(zhǔn)等。 按照J(rèn)EDEC的說(shuō)法,DDR5內(nèi)存的引腳帶寬
2020-07-16 10:00:056976 快速存取數(shù)量龐大的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),意味著復(fù)雜的設(shè)計(jì)正在挑戰(zhàn)信號(hào)完整性極限,要求性能更高的測(cè)量技術(shù)來(lái)完成一致性測(cè)試、調(diào)試和驗(yàn)證。
2020-07-21 11:01:40691 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前,嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 DDR5量產(chǎn);目前嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠完成量產(chǎn)下線。 ? 嘉合勁威表示,如今DDR正在向更快、更高效的新一
2021-04-27 09:00:0013496 近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:004031 佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)4800Mbps,突發(fā)長(zhǎng)度和預(yù)取長(zhǎng)度擴(kuò)展到16位,使得存儲(chǔ)器單一讀寫指令可存取的數(shù)據(jù)量是DDR4的兩倍;此外,DDR5每個(gè)模塊均擁有兩個(gè)獨(dú)立的32位I/O子通道
2022-12-21 15:48:041049 ,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD),并向各大DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)制造商提供
2023-02-22 11:45:48680 DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)?
2021-06-18 08:19:59
國(guó)產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)?DDR5尚未真正普及的原因是什么?
2021-06-18 09:49:06
高速先生成員--姜杰
大家都在關(guān)注DDR5跑的有多快,高速先生卻在關(guān)心它為什么能夠跑的穩(wěn)……
內(nèi)存的穩(wěn)定性,離不開RAS功能。提起RAS,熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號(hào)(Row
2023-06-28 09:09:11
技術(shù)的瓶頸,可能需要很長(zhǎng)的時(shí)間才能出來(lái)。就當(dāng)我們都對(duì)DDR5不報(bào)希望的時(shí)候,結(jié)果它就悄悄的來(lái)了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說(shuō)JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn),而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
,DDR5 CAC信號(hào)的ODT閃亮登場(chǎng)!我猜最激動(dòng)還是Layout攻城獅:DDR5的CAC信號(hào)有了ODT功能,PCB布線約束可以放寬松了嗎?畢竟,哪里信號(hào)質(zhì)量差就可以端接哪里,So easy。帶著這個(gè)
2022-12-28 14:47:13
和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD),并向各大DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)制造商提供樣品。相比第一代
2023-02-22 10:50:46
在DDR5內(nèi)存剛成為主流不久,如今三星又已經(jīng)率先開始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā),并預(yù)計(jì)在2024年之前完成設(shè)計(jì)。據(jù)悉,在近日召開的研討會(huì)上,三星負(fù)責(zé)測(cè)試和系統(tǒng)封裝(TSP)的副總裁透露,隨著未來(lái)
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
作者:一博科技高速先生自媒體成員 黃剛上篇文章我們介紹了DDR5的一些總體特點(diǎn),也到了很多網(wǎng)友的關(guān)注,文章獲得了很多的點(diǎn)擊和閱讀量。因此高速先生也應(yīng)廣大網(wǎng)友的要求,在本期增加關(guān)于DDR5的仿真技術(shù)
2021-08-19 17:33:47
DDR5 RAM具有哪些新功能?
2021-06-21 06:21:20
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 您可能剛把計(jì)算機(jī)升級(jí)到DDR4的內(nèi)存,也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過(guò)不管怎樣,DDR5內(nèi)存要來(lái)了。 2017年3月,JEDEC協(xié)會(huì)宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前,DDR5
2017-11-15 16:36:0340421 10月18日消息 根據(jù)AnandTech的報(bào)道,今年早些時(shí)候,Cadence和美光進(jìn)行了業(yè)界首次公開演示下一代DDR5內(nèi)存。
2018-10-19 16:48:297009 新思科技(Synopsys,Inc.納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)近日宣布為DDR5/4非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM-P),推出業(yè)內(nèi)首個(gè)驗(yàn)證IP (VIP)。NVDIMM-P是新一代存儲(chǔ)
2019-05-17 09:43:483182 日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082998 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382778 DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410080 根據(jù)消息報(bào)道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:133787 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 根據(jù)消息報(bào)道,他們?cè)贑ES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹,DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個(gè)引腳,但是引腳布局和設(shè)計(jì)與DDR4有所不同,兩者互不兼容。
2020-01-14 15:42:525019 隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求。
2020-02-22 09:40:47760 驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng),服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:008968 據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。
2020-03-28 10:41:293981 原以為在肺炎病毒無(wú)情來(lái)襲的2月將是平平無(wú)奇的日常,但是隨著配備LPDDR5的到來(lái),DDR5的話題再次走進(jìn)大眾的視野范圍當(dāng)中。對(duì)于目前的情況來(lái)說(shuō),我們到底應(yīng)該做一個(gè)等等黨等DDR5,還是選擇果斷剁手DDR4呢?
2020-03-30 09:25:3710006 今年,小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716370 才能將當(dāng)前的PC和服務(wù)器設(shè)計(jì)為與DDR5兼容。 同時(shí),為了幫助減緩需求曲線以提高數(shù)據(jù)速率,DDR4進(jìn)行了升級(jí),具有更高的密度,更快的速度和更快的響應(yīng)速度。以下是DDR4的一些最新進(jìn)展,以保持其3A游戲中的份額。 美光為游戲做好準(zhǔn)備 美光的全球計(jì)算機(jī)內(nèi)存和存儲(chǔ)消費(fèi)品牌
2020-09-23 16:37:533106 近幾個(gè)月來(lái),有關(guān)下一代DDR內(nèi)存的討論一直沸沸揚(yáng)揚(yáng),因?yàn)橹圃焐虃円恢痹谡故靖鞣N各樣的測(cè)試模塊,為推出完整的產(chǎn)品做準(zhǔn)備。計(jì)劃使用DDR5的平臺(tái)也在迅速興起,在消費(fèi)者中廣泛使用之前,預(yù)計(jì)將在企業(yè)端首次
2020-10-23 15:11:012699 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái),特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要
2021-02-27 12:13:5418073 2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度,兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075502 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前,嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:581800 ,2021 年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面,新一代的內(nèi)存 DDR5,一個(gè) DIMM,兩個(gè)通道,將具備更快的速度,有望達(dá)到 4.8Gbps 的速度,比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:361735 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了,算算迭代的速度,DDR5也該來(lái)了,而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了,算算迭代的速度,DDR5也該來(lái)了,而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份,JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:393946 繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓(TeamGroup)現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924 繼十銓(TEAMGROUP)之后,威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。 按照威剛的說(shuō)法,其正與微星、技嘉兩大主板廠商聯(lián)合調(diào)試,確保上市時(shí)的兼容和性能表現(xiàn)。包括還有超頻潛力挖掘,以滿足部分游戲
2021-01-06 16:40:434429 繼十銓(TEAMGROUP)之后,威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552025 CES 2021期間,存儲(chǔ)大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存,不過(guò)不是實(shí)物,只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:332353 出DDR5 SO-SIMM內(nèi)存,希望率先與Intel、AMD的新平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證合作。 規(guī)格方面,首批DDR5 SO-SIMM內(nèi)存單條16GB容量,頻率4800MHz,電壓低至1.1V,也就是說(shuō),新一代
2021-01-26 16:43:212616 最快在2021年9月份,隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái),DDR5內(nèi)存也要商用了,今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了,DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰,但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:393279 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203263 回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14
2021-05-01 09:31:002057 的DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品?這個(gè)問(wèn)題我們要分兩個(gè)部分去討論,一是DDR5內(nèi)存模組的高標(biāo)準(zhǔn)性,二是DDR5內(nèi)存模組對(duì)研發(fā)實(shí)力的高要求性。下面我們將這兩點(diǎn)展開來(lái)講,看看究竟為什么第一個(gè)“吃螃蟹”的人會(huì)是江波龍。首先
2021-05-08 14:03:23455 。 ? (金泰克速虎T4 DDR5發(fā)售海報(bào)) ? 就在當(dāng)下不少模組廠商紛紛為DDR5內(nèi)存產(chǎn)品上市宣傳造勢(shì)時(shí),今天(10月25日),金泰克正式對(duì)外發(fā)售速虎T4 DDR5內(nèi)存,更高的配置、更快的速度、更加省電的功耗,相信值得你擁有。 ? 速虎T4鎧甲 高顏值快散熱 ???? 其實(shí)從“速虎T4 DDR5內(nèi)存”的產(chǎn)
2021-10-25 18:36:432494 近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142114 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 行業(yè)客戶以及廣大用戶對(duì)產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品,并率先進(jìn)行實(shí)際測(cè)試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:392769 2021年10月9日北京訊,全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布,即將推出的DDR5內(nèi)存已通過(guò)英特爾平臺(tái)認(rèn)證,這是一個(gè)重要的里程碑,因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過(guò)英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:471607 主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:2519 即4800MHz;集成PMIC電源管理芯片,電壓降至1.1V,功耗更低;加入On-dieEcc糾錯(cuò)功能,運(yùn)行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外,老牌存儲(chǔ)廠商朗科也在積極布局這一領(lǐng)域,繼絕影RGB DDR5之后,朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存,和絕影系列一樣,越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:38955 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存能夠?yàn)槿斯ぶ悄?AI)、高性能計(jì)算(HPC)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供 DDR4 技術(shù)所不具備的更高 CPU 計(jì)算能力與內(nèi)存帶寬,從而最大限度地提升這些應(yīng)用的性能。
2022-07-07 14:45:572298 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過(guò)于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:503918 從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求,DDR5之類的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲(chǔ)、傳送和處理這些數(shù)據(jù),推動(dòng)著高速信令的極限,也給內(nèi)存帶來(lái)了前所未有的測(cè)試挑戰(zhàn)。
2022-08-01 17:48:10883 成本 ? 中國(guó)北京,2022年8月18日 ——作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全, Rambus Inc. (納斯達(dá)克股票代碼: RMBS )今日宣布,擴(kuò)大其DDR5內(nèi)存
2022-08-18 17:35:56463 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布,擴(kuò)大其DDR5內(nèi)存接口芯片組合,推出Rambus串行檢測(cè)集線器(SPD
2022-08-18 19:49:49438 該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:481025 “溫度傳感器(TS)則負(fù)責(zé)在DIMM的不同位置提供高精度的溫度信息。”John Eble解釋說(shuō),他進(jìn)一步指出,這兩款芯片都是Rambus行業(yè)領(lǐng)先的DDR5 RCD的補(bǔ)充,以提供最先進(jìn)的帶寬和容量。
2022-09-30 12:59:341524 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。 相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì) ,給用戶帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-22 10:51:52822 對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì),給用戶帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-24 16:17:531614 系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番,為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5 將帶來(lái)更高的帶寬,有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力,從而緩解
2023-01-17 09:20:021876 股票代碼:MU)近日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番,為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5 將帶來(lái)更高的帶寬,有助于充分
2023-01-18 15:26:53511 DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 DDR5 具有更高的速度和更小的占用空間。由于電壓要求從1.2V降低到1.1V,它還有望提高電源效率。電壓要求的降低給DIMM供應(yīng)商帶來(lái)了額外的抗噪性復(fù)雜性。它將需要額外的功能,例如決策反饋均衡
2023-05-25 18:08:55545 高性能和數(shù)據(jù)吞吐效率。DFI 也隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,下一代 DFI 5.0 在這里確保使用 DDR5/LPDDR5 的系統(tǒng)具有更高的性能。在這篇博客中,我們將討論 DFI 5.0 規(guī)范的新功能。
2023-05-26 11:13:401827 隨著制程工藝的進(jìn)步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機(jī),但是設(shè)備實(shí)在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512817 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42751 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí),主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底,他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨,主要來(lái)自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過(guò)ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來(lái)看,ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217 隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬,讓用戶在使用臺(tái)電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49413 DDR5加速更高速、更高效、更智能的數(shù)字化未來(lái)
2023-12-07 15:07:34185 在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測(cè),這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景,并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先,讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061166 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052868
評(píng)論
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