近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

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期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，西安電子科技大學微電子學院博士研究生王逸飛帶來“基于氧化鎵材料性能調控及高性能日盲紫外光電探測器的研究”的主題報告，超寬禁帶半導體氧化鎵因其高擊穿場強、穩定性好和具有天然的日盲帶隙等特點近年來受到廣泛關注，然而在實際應用中仍面臨一些問題，例如有效的p型氧化鎵半導體獲得以及基于氧化鎵的日盲紫外光電探測器對紫外光的響應不足。

報告分享了氧化鎵材料性能調控和氧化鎵日盲探測器方面的研究進展。報告指出，缺電子元素與N元素共摻雜方法將受主能級位置有效降低，實現了p型氧化鎵；過渡金屬摻雜調控氧化鎵，揭示過渡金屬元素摻雜氧化鎵形成能和引入缺陷能級規律的同時，還首次發現IB和IIB族金屬將會引入AX中心，是阻礙p型氧化鎵的獲得的新原因；低維氧化鎵材料的性質，包括電學性質、光學性質、力學性質和熱學性質等，并對其進行單軸應變、外加電場以及雜質原子鈍化等方法調控，為未來高性能低維氧化鎵基器件的制備提供理論指導；

首次提出采用有機聚合物調控氧化鎵光電探測器，其響應度增加36 %，提升了對日盲紫外光的響應特性；探究不同In組分摻雜的影響，實現高遷移率（μsat= 3.63 cm2/V·s）、低亞閾值擺幅（SS= 1.38 V/decade）的氧化鎵薄膜晶體管，進一步獲得對日盲紫外光高響應特性的光電探測器；構建In2O3/IGO異質結晶體管，獲得更高載流子遷移率（μsat= 10.22 cm2/V·s）的異質結晶體管，為未來光電探測應用提供器件基礎；氧化鎵與不同二維材料體系的界面特性，豐富氧化鎵界面理論的同時為制備高性能氧化鎵/二維材料基光電探測器提供理論指導。

審核編輯：劉清