圖表明,電路的主極點是在輸出點,負載電容大,輸出電阻非常高,極點的位置在p1=1/(2πRoutCload)。主運放的第二個極點在點①處,電容是①點的寄生電容,Boot-ser的輸入電容,M1管的Miller電容CGD,和M2管子的源極輸入電容。位置為p2=gM2/(2πC1)。在頻率響應中,一階主極點引起的響應是指數逼近的響應,而其余的極點和零點則會引入非指數的響應,為了不過多地引入超調響應,或者是減慢響應速度,要求Booster除了要提高電壓增益外,還不能影響運放的頻率響應。
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圖表明,電路的主極點是在輸出點,負載電容大,輸出電阻非常高,極點的位置在p1=1/(2πRoutCload)。主運放的第二個極點在點①處,電容是①點的寄生電容,Boot-ser的輸入電容,M1管的Miller電容CGD,和M2管子的源極輸入電容。位置為p2=gM2/(2πC1)。在頻率響應中,一階主極點引起的響應是指數逼近的響應,而其余的極點和零點則會引入非指數的響應,為了不過多地引入超調響應,或者是減慢響應速度,要求Booster除了要提高電壓增益外,還不能影響運放的頻率響應。
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