簡(jiǎn)易信號(hào)發(fā)生器電路圖（七）

所示為簡(jiǎn)易脈沖信號(hào)發(fā)生器電路。該信號(hào)發(fā)生器主要采用兩塊TTL集成電路（74LS00和74LS221）產(chǎn)生τ=4μs的脈沖信號(hào)，所用元器件較少，便于調(diào)試和維修。

簡(jiǎn)易信號(hào)發(fā)生器電路圖（八）

低頻信號(hào)發(fā)生器包括音頻（200～20000赫）和視頻（1赫～10兆赫）范圍的正弦波發(fā)生器。主振級(jí)一般用RC式振蕩器，也可用差頻振蕩器。為便于測(cè)試系統(tǒng)的頻率特性，要求輸出幅頻特性平和波形失真小。

本電路具有良好的線性和精度，輸出為每秒1000個(gè)脈沖時(shí)，誤差只有1%。如果每秒10個(gè)脈沖，其誤差可以減少到0.001%。由于可控硅整流器SCR的陰極是連接到運(yùn)算放大器的相加點(diǎn)。所以應(yīng)采用負(fù)電壓控制。對(duì)于正輸入電壓可以倒相后輸入。

電路復(fù)位是由R-S觸發(fā)器和延時(shí)倒相器來完成。平時(shí)觸發(fā)器Q輸出端為低電平，故可控硅SCR截止，積分器的輸出通過二極管VD1加至三極管VT1的基極。當(dāng)積分器輸出達(dá)到大約1.4V的時(shí)候，晶體管導(dǎo)通，使觸發(fā)器置位。此時(shí)觸發(fā)器的Q輸出變成高電平，可控硅SCR導(dǎo)通，積分電容放電。Q輸出的高電平經(jīng) 1us延時(shí)和倒相后使觸發(fā)器復(fù)位，積分電容C放電到大約0.7V的時(shí)候，可控硅截止，于是第二個(gè)積分周期開始。