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　　解決方案：

　　溫升公式：Tj = Tc + P × Rth(jc)

　　根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時間

　　工作溫度越高短路保護時間就應該越短

　　1 短路模型及分析

　　短路模型如圖1所示，其中僅畫出了功率輸出級的A、B兩相(共三相)。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機線圈，Rs為電流檢測電阻。

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　　當控制器工作時，如電機短路，則會形成如圖1中所示的流經Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達幾百安培，MOSFET的瞬態溫升很大，這種情況下應及時保護，否則會使MOSFET結點溫度過高而使MOSFET損壞。短路時Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當脈沖45us關斷后，Vds回升，由于溫度過高，僅經過10us的時間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時峰值電流達500A，這是由于短路時MOSFET直接將電源正負極短路，回路阻抗是導線，PCB走線及MOSFET的Rds(on)之和，其數值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。

　　2 計算合理的保護時間

　　在實際應用中，不同設計的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時的電源電壓不同，導致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設計者應跟據自己的實際電路和使用條件設計合理的保護時間。

　　短路保護時間計算步驟：

　　2.1 計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態溫升

　　因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設計應是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態溫升。MOSFET的結點溫度可由下式計算：

　　Tj = Tc + P × Rth(jc)

　　其中：

　　Tc：MOSFET表面溫度

　　Tj：MOSFET結點溫度

　　Rth(jc)：結點至表面的熱阻，可從元器件Date sheet中查得。

　　理論上MOSFET的結點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising = Tjmax - Tj = 175-109 = 66℃。

　　2.2 根據瞬態溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻

　　由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：

　　P = Vds × I = 25 × 400 = 10000W

　　脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數據，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數據。

　　對于MOSFET溫升計算有如下公式：

　　Trising = P × Zθjc × Rθjc

　　其中：

　　Rθjc------結點至表面的熱阻，可從元器件Date sheet中查得。

　　Zθjc------熱阻系數

　　Zθjc = Trising ÷( P × Rθjc)

　　Zθjc = 66 ÷ (10000 × 0.45)= 0.015

　　2.3 根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時間

　　由圖3最下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說，要想獲得0.015的熱阻系數，其脈沖寬度不能大于20us。

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　　3 設計短路保護應注意的幾個問題

　　由于不同控制器的PCB布線參數不一樣，導致相線短路時回路阻抗不等，短路電流也因此不同。所以，不同設計的控制器應根據實際情況設計確當的短路保護時間。

　　由于應用中使用的電源電壓有可能不同，也會導致短路電流的不同，同樣也會影響到保護時間。

　　注意控制器實際工作時的可能最高溫度，工作溫度越高，短路保護時間就應該越短。

　　本文討論的短路保護時間是指MOSFET能承受的最長短路時間。在設計短路保護電路時，應考慮硬件及軟件的響應時間，以及電流保護的峰值，這些參數都會影響到最終的保護時間。因此，硬件電路設計和軟件的編寫致關重要。

　　本文討論的短路保護時間是單次短路保護時間，短路后短時間內不能再次短路。如果設計成周期性短路保護，則短路保護時間應更短。

　　4 結論

　　短路保護在瞬間大電流時能對MOSFET提供可靠的快速保護，大大增加了控制的可靠性，減少了控制器的損壞率。