可控硅電機(jī)調(diào)速電路

該電路如圖所示。前級控制電路的電源供給電壓從穩(wěn)壓管DZ兩端取得，R12為啟動(dòng)電阻。VT必須選擇BVceo大于400V的中功率管。穩(wěn)壓管DZ的額定電流必須大于電風(fēng)扇堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流（一般電風(fēng)扇的堵轉(zhuǎn)電流約300mA），其穩(wěn)定電壓為5V。

流過三極管的基極電流為Ib，集電極電流為IC，則：

設(shè)可控硅VS的觸發(fā)電流為Igt當(dāng)Ic=Igt的時(shí)刻，可控硅導(dǎo)通。由（1）式指出。如果βIb大于或者等于可控硅VS的觸發(fā)電流Igt，則在正弦電壓的約0V處，可控硅即被觸發(fā)，控制角為O，電風(fēng)扇總是全速運(yùn)轉(zhuǎn)，不能調(diào)速（見下圖）。因此。R7~R10阻值選擇顯得非常重要。

此RB為CC4518輸出端只有一個(gè)高電平時(shí)的取值。因?yàn)镃C4518屬于BCD同步加計(jì)數(shù)器，其輸出端Q3、Q2、Q1、Q0有時(shí)會(huì)同時(shí)出現(xiàn)多個(gè)為高電平的狀態(tài)，使R7~R10多個(gè)并聯(lián)后再加到VT的基極，這也必須引起我們的注意。

由于可控硅的觸發(fā)電流Igt以及三極管VT的β、rce的離散性很大，使Rb的取值十分困難，必須測量出上述參數(shù)的實(shí)際值，再計(jì)算出Rb，然后在試驗(yàn)中微調(diào)。

遺憾的是該電路的控制角調(diào)節(jié)范圍小于90°，速度調(diào)節(jié)范圍小。