絕緣柵場效應晶體管“放電式”長延時電路圖
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場效應晶體管的基礎知識
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應,即在柵極和源極之間施加一個控制電壓,使得溝道區域的載流子發生漂移,從而改變電流的導通狀態。
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絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認識其原理及其應用
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場效應晶體管的工作原理和結構
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場效應晶體管的作用
場效應晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點,這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
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場效應晶體管的分類
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應),使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
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場效應晶體管工作原理
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場效應管的分類
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場效應晶體管放大電路詳解
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場效應晶體管的簡單介紹
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