BiCMOS反相器

雙極型CMOS或BiCMOS的特點在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視。

　　上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。T₁和T₂構成推拉式輸出級。而M_p、M_N、M₁、M₂所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號v_I同時作用于M_P和M_N的柵極。當v_I為高電壓時M_N導通而M_P截止；而當v_I為低電壓時,情況則相反，M_p導通，M_N截止。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T₂放電。
　　上述電路中T₁和T₂的基區存儲電荷亦可通過M₁和M₂釋放，以加快
電路的開關速度。當v_I為高電壓時M₁導通，T₁基區的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T₁類似。同理 ，當v_I為低電壓時，電源電壓V_DD通過M_P以激勵M₂使M₂導通，顯然T₂基區的存儲電荷通過M₂而消散。可見，門電路的開關速度可得到改善。