PTC是Positive Temperature Coefficient 的縮寫,意思是正的溫度系數, 泛指正溫度系數很大的半導體材料或元器件。通常我們提到的PTC是指正溫度系數熱敏電阻,簡稱PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻是一種典型具有溫度敏感性的半導體電阻,超過一定的溫度(居里溫度)時,它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的增高。 陶瓷材料通常用作高電阻的優良絕緣體,而陶瓷PTC熱敏電阻是以鈦酸鋇為基,摻雜其它的多晶陶瓷材料制造的,具有較低的電阻及半導特性。通過有目的的摻雜一種化學價較高的材料作為晶體的點陣元來達到的: 在晶格中鋇離子或鈦酸鹽離子的一部分被較高價的離子所替代,因而得到了一定數量產生導電性的自由電子。對于PTC熱敏電阻效應,也就是電阻值階躍增高的原因,在于材料組織是由許多小的微晶構成的,在晶粒的界面上, 即所謂的晶粒邊界(晶界)上形成勢壘,阻礙電子越界進入到相鄰區域中去,因此而產生高的電阻,這種效應在溫度低時被抵消: 在晶界上高的介電常數和自發的極化強度在低溫時阻礙了勢壘的形成并使電子可以自由地流動。 而這種效應在高溫時,介電常數和極化強度大幅度地降低,導致勢壘及電阻大幅度地增高 ,呈現出強烈的PTC效應。 將能夠達到電氣性能和熱性能要求的混合物 (碳酸鋇和二氧化鈦以及其它的材料) 稱量、混合再濕法研磨, 脫水干燥后干壓成型制成圓片形、長方形、圓環形、蜂窩狀的毛坯。 這些壓制好的毛坯在較高的溫度下(1400℃左右)燒結成陶瓷,然后上電極使其表面金屬化,根據其電阻值分檔檢測。 按照成品的結構形式釬焊封裝或裝配外殼,之后進行最后的全面檢測。 PTC熱敏電阻與溫度的依賴關系(R-T特性) 電阻-溫度特性通常簡稱阻溫特性,指在規定的電壓下,PTC熱敏電阻零功率電阻與電阻體溫度之間的依賴關系。 lgR(Ω) Rmin : 最小電阻 Tmin : Rmin時的溫度 RTc : 2倍Rmin Tc : 居里溫度 RTc Rmin T25 Tmin Tc T(℃) 電壓和電流的關系(V-I特性) 電壓-電流特性簡稱伏安特性, 它展示了PTC熱敏電阻在加電氣負載達到熱平衡的情況下,電壓與電流的相互依賴關系。 I(A) Ik 在外加電壓Vk時的動作電流 Ir Vk VN Vmax VD V(v) PTC熱敏電阻的伏安特性大致可分為三個區域: 在0-Vk之間的區域稱為線性區,此間的電壓和電流的關系基本符合歐姆定律,不產生明顯的非線性變化, 也稱不動作區。在Vk-Vmax之間的區域稱為躍變區,此時由于PTC熱敏電阻的自熱升溫,電阻值產生躍變, 電流隨著電壓的上升而下降,所以此區也稱動作區。在VD以上的區域稱為擊穿區,此時電流隨著電壓的上升而上升,PTC熱敏電阻的阻值呈指數型下降,于是電壓越高,電流越大,PTC熱敏電阻的溫度越高,阻值反而越低, 很快就導致PTC熱敏電阻的熱擊穿。伏安特性是過載保護PTC熱敏電阻的重要參考特性。 電流和時間的關系(I-t特性) 電流-時間特性是指PTC熱敏電阻在施加電壓的過程中,電流隨時間變化的特性。 開始加電瞬間的電流稱為起始電流,達到熱平衡時的電流稱為殘余電流。 一定環境溫度下,給PTC熱敏電阻加一個起始電流(保證是動作電流), 通過PTC熱敏電阻的電流降低到起始電流的50%時經歷的時間就是動作時間。電流-時間特性是自動消磁PTC熱敏電阻、延時啟動PTC熱敏電阻、過載保護PTC熱敏電阻的重要參考特性。
PTC熱敏電阻組織結構和功能原理
PTC熱敏電阻制造流程
稱量 >> 球磨 >> 預燒結 >> 造粒
>> 成型 >> 燒結 >> 上電極 >> 阻值分選
>> 釬焊 >> 封裝裝配 >> 打標志 >> 耐壓檢測
>> 阻值檢測 >> 最終檢測 >> 包裝 >> 入庫
零功率電阻,是指在某一溫度下測量PTC熱敏電阻值時,加在PTC熱敏電阻上的功耗極低,低到因其功耗引起的PTC熱敏電阻的阻值變化可以忽略不計。額定零功率電阻指環境溫度25℃條件下測得的零功率電阻值 。
表征阻溫特性好壞的重要參數是溫度系數α,反映的是阻溫特性曲線的陡峭程度。溫度系數α越大,PTC熱敏電阻對溫度變化的反應就越靈敏,即PTC效應越顯著,其相應的PTC熱敏電阻的性能也就越好,使用壽命就越長。PTC熱敏電阻的溫度系數定義為溫度變化導致的電阻的相對變化 。 α = (lgR2-lgR1)/(T2-T1) 一般情況下,T1取Tc+15℃、T2取Tc+25℃來計算溫度系數。
Ik
Ir 外加電壓Vmax時的殘余電流
Vmax 最大工作電壓
VN 額定電壓
VD 擊穿電壓
BaTiO3半導瓷PTC效應的基本原理
1.1.1 BaTiO3半導瓷的PTC效應
BaTiO3陶瓷是一種典型的鐵電材料。常溫下其電阻率大于1012Ω.cm,相對介電常數可高達104,是一種優良的陶瓷電容器材料。在這種陶瓷材料中引入微量稀土元素,如La、Nb...等,可使其電阻率下降到10Ω.cm以下,成為良好的半導體陶瓷材料。這種材料具有很大的正電阻溫度系數,在居里溫度以上幾十度的溫度范圍內,其電阻率可增大4~10個數量級,即產生所謂PTC效應。見圖1.1.1,具有該性質的材料通常稱為PTC材料。
圖1.1.1 BaTiO3半導瓷的電阻—溫度特性曲線
BaTiO3半導瓷的這種PTC效應,是一種晶界效應,即只有多晶BaTiO3陶瓷材料才具有這種特性,而且只有在施主摻雜的情況下,材料才呈現PTC效應。利用雙探針測微器可以直接觀察晶粒和晶界的電阻—溫度特性,從而證實了上述理論。見圖1.1.2
1-單個晶界;2-單個晶粒;3-PTC陶瓷
圖1.1.2 單個晶粒和晶界阻-溫特性
PTC效應與晶格結構、組分、雜質濃度和種類及制備工藝等因素有關,在材料制備過程中必須嚴格控制工藝條件,此外在元器件的使用過程中也須注意使用條件,以便達到物盡其用的目的。
1.1.2 PTC效應的原理
對于BaTiO3半導瓷的這種PTC效應,有多種理論模型予以解釋,較為成熟并為多數研究者承認的有海望Heywang提出的表面勢壘模型和丹尼爾斯Daniels等人提出的鋇缺位模型。
簡略的講,海望模型把產生PTC效應的原因歸結為在多晶BaTiO3半導體材料的晶粒邊界,存在一個由受主表面態引起的勢壘層,材料的電阻率是由晶粒體電阻和晶粒表面態勢壘兩部分組成,隨著溫度的上升, 材料的電阻率將出現幾個數量級的變化。
利用海望模型可以解釋許多與PTC效應有關的試驗現象,許多年來一直被認為是該領域內具有權威性的理論,但仍有許多實驗現象無法解釋。丹尼爾斯等人利用缺陷化學理論在研究了BaTiO3半導體缺陷模型的基礎上, 提出了晶界及表面鋇缺位高阻層模型。
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