為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風向標

存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風向標。

縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出；1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。

在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如1995年DRAM在windo95的推動下創(chuàng)下年銷售額達400億美元的歷史紀錄，而開始由６英寸轉(zhuǎn)向8英寸生產(chǎn)線，2007年DRAM開始退出８英寸，而轉(zhuǎn)向12英寸。

業(yè)界認為奇夢達的退出，并未表示此波存儲器的兼并結(jié)束，因為目前全球存儲器的廠家仍舊太多，如三星、海力士、美光、爾必達及***地區(qū)有多家。由于存儲器產(chǎn)業(yè)的特點，需要高投入及大量生產(chǎn)。目前凡新建的廠都是超級大廠（superfab），12英寸的月產(chǎn)能在15萬片左右，所以全球有2-3家存儲器廠已足矣，所以認為此波兼并尚未完全徹底。

業(yè)界要探討為什么存儲器有如此大的威力能夠左右整個工業(yè)的起伏？

全球DRAM市場自1996年崩盤之后到2001年間，全球半導(dǎo)體設(shè)備投資的主角是以Intel為代表的邏輯芯片商。

但是2002年后處理器芯片開始進入90納米，英特爾轉(zhuǎn)變以往提高主頻的策略，而轉(zhuǎn)向降低功耗與提高功能。而在此時，基于市場需求上升，全球存儲器的投資比重卻日益增大。如2005年全球存儲器投資增加40％；06年增加15％；07年增加30％及08年下跌20％。全球存儲器的資本支出占銷售額比重，2007年達73％，2008年即便下降也達到44％。

以下兩張表分別表示存儲器投資占半導(dǎo)體總投資的百分比及存儲器投資占其銷售額之比，可見存儲器在全球半導(dǎo)體業(yè)中的權(quán)重比例占第一，所以稱其為產(chǎn)業(yè)風向標是合乎情理。

另外，據(jù)SEMI統(tǒng)計，預(yù)計2008年全球硅片產(chǎn)能與07年相比增加11％，其中存儲器的產(chǎn)能增加41％，而07年存儲器產(chǎn)能增加38％。2008年全球前5大建廠投資計劃，無一例外都是存儲器，分別為東芝/新帝、三星、海力士、力晶與瑞晶。

另外，從跟蹤摩爾定律角度，NAND閃存走在最前列，已達4x-3xnm，其次是DRAM達5x-6xnm。由此，也推動許多半導(dǎo)體設(shè)備如光刻機、腐蝕機等專為存儲器業(yè)而定制。

Novellus的Rick Hill說得正確，在1980年代，全球2/3的芯片廠做MPU，邏輯電路，1/3芯片廠做存儲器；如今反了過來，全球2/3芯片產(chǎn)能在做存儲器。

所以，無論從技術(shù)的先進性，或者投資及產(chǎn)能的擴充，全球都依賴存儲器業(yè)，因此存儲器成為全球半導(dǎo)體業(yè)的主角地位以及能夠左右半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)顯而易見。

在金融危機后，全球經(jīng)濟在各國政府共同努力下已逐漸走出低谷，半導(dǎo)體業(yè)也一樣，預(yù)計2010年有10%以上的增長。其中存儲器的表現(xiàn)也印證此點，如存儲器價格在09年的Q1到Q4期間上升65%，導(dǎo)致大部分存儲器廠開始獲利。業(yè)界預(yù)計，2010年全球存儲器的供貨仍偏緊，所以價格繼續(xù)上升是趨勢，由此全球存儲器DRAM的銷售額可能有10%的增長及NAND閃存銷售額會有25%的增長。