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電子發(fā)燒友網(wǎng)>MEMS/傳感技術(shù)>Vishay推出首款-30 Vp溝道場(chǎng)效應(yīng)管

Vishay推出首款-30 Vp溝道場(chǎng)效應(yīng)管

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2012-04-05 11:32:2816353

100V MOS 100V 3A/5A/8A 調(diào)光LED燈MOS香薰機(jī)MOS

型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V50ASOP-8封裝型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型
2020-09-25 15:55:42

100V10A 100V40A 100V8A 60V30A 60V50A 30V30A場(chǎng)效應(yīng)管 MOS TO-252封裝,內(nèi)阻低,結(jié)電容小

型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V12A SOP-8封裝內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝, 內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀`
2020-09-27 11:18:14

100V低壓MOS N溝道MOS 替代AO3400 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 高性價(jià)比

`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS廠家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 廠家直銷,質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu),超低內(nèi)阻,結(jié)電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14

100V耐壓mosN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V5A 5N10低開(kāi)啟高性能MOS

中低壓MOS廣泛應(yīng)用于:LED車燈電源,LED電源,POE交換機(jī),霧化器,香薰機(jī),加濕器,美容儀,驅(qū)動(dòng)電機(jī)、防盜器等領(lǐng)域 型號(hào)HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12

16P03 30V P溝道MOS -30V -16A DFN3*3-8場(chǎng)效應(yīng)管

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N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝,內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào):HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管絲印HC310 100V3A 3N10
2021-03-03 15:32:16

60V耐壓MOS TO-252封裝 n溝道 60v 50a 場(chǎng)效應(yīng)管 HC012N06L LED照明專用mos

型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝,內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào):HC037N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A SOP-8封裝內(nèi)阻
2020-12-01 16:18:08

30V 30A TO-252 MOSHC020N03L N溝道 MOS /場(chǎng)效應(yīng)管

】型號(hào):HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252內(nèi)阻20mR型號(hào):HC3600MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V8A SOT23-3內(nèi)阻22mR型號(hào):HC3400MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V5.8ASOT23-3內(nèi)阻
2020-11-11 17:32:09

30V/40V/60V/80V/100V 鋰電池 MOS 低內(nèi)阻、低開(kāi)啟電壓 小封裝 大電流

,價(jià)格合理,貨源穩(wěn)定,品質(zhì)保證!型號(hào):HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7A SOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號(hào):HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252封裝內(nèi)阻20mR型號(hào):HC3600M
2020-10-09 14:25:10

場(chǎng)效應(yīng)三極的型號(hào)命名方法

,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極。&lt;br/&gt;  第二種命名方法是CS
2009-04-25 15:42:55

場(chǎng)效應(yīng)三極的型號(hào)命名方法分享

N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極。  第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等
2021-05-13 06:13:46

場(chǎng)效應(yīng)管與BJT放大電路的比較

)。β 較大,放大能力強(qiáng)。按照結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型兩種類型,MOS屬于絕緣柵型。每一類型均有兩種溝道,N溝道和P溝道,兩者的主要區(qū)別在于電壓的極性和電流的方向不同。MOS又分
2011-07-12 20:09:38

場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?工作原理是什么?

場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?
2021-09-29 07:19:20

場(chǎng)效應(yīng)管好壞的判斷方法分享

,測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接
2021-05-24 08:07:24

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極。  第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A
2013-03-27 16:19:17

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說(shuō)明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑
2012-07-28 14:13:50

場(chǎng)效應(yīng)管概念

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件,它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小,其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài),輸入電阻很高,柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管,輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16

場(chǎng)效應(yīng)管的作用

場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14

場(chǎng)效應(yīng)管的作用及測(cè)試資料分享

小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。   制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31

場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)斷問(wèn)題

場(chǎng)效應(yīng)管si2301(p溝道)柵極D1接單片機(jī)引腳,電源接源極(s),輸出端漏極(d)接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是,單片機(jī)引腳低電平時(shí),輸出端(d)確實(shí)為高電壓,但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v,并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題?怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢?
2017-12-09 18:46:35

場(chǎng)效應(yīng)管的分類

的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。  按溝道半導(dǎo)體
2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)管的分類和區(qū)別

1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子,N溝道為電子,P溝道為空穴。 為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間
2024-01-30 11:51:42

場(chǎng)效應(yīng)管的功能和基本特性

。M0S按其工作狀態(tài)可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,每種類型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。下圖所示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的實(shí)物
2020-12-01 17:36:25

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試及測(cè)試方法

碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。  制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不
2009-04-25 15:43:42

場(chǎng)效應(yīng)管的特性參數(shù),怎么選用?有什么注意事項(xiàng)?

場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用?場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)?
2021-04-20 06:49:52

場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與鑒別

有大俠知道場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與鑒別,報(bào)下,方法
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場(chǎng)效應(yīng)管的選型及應(yīng)用概覽

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場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少

`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少?`
2019-08-22 15:55:28

場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(電子為載流子),P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(空穴為載流子)。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有四種類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03

G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷G16P03 參數(shù):-30V-16ADFN3*3-8LP溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
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2011-06-08 10:43:25

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管資料大全

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2020-06-20 10:11:31

SL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS

`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25

SL3403 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的功率MOSSOT23封裝

SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-22 10:57:12

SL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS

SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS【100V MOS N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-22 11:03:37

SL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS

SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-24 10:37:08

SL3406 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V4A的功率MOS

SL3406 30V4A 50毫歐 SOT23-3LSL3406 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V4A的功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:39:23

SL3414 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管20V6A的功率MOS

SL3414 20V6A 20毫歐SOT23-3LSL3414 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管20V6A的功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:40:54

SL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS

SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10

SL3422 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管55V2.1A功率MOS

SL3422 55V2.1A 90毫歐SOT23-3LSL3422 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管55V2.1A功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力
2020-07-01 16:55:47

SL3423 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管20-3A功率MOS

SL3423 -20-3A 44毫歐SOT23-3LSL3423 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管20-3A功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-07-01 16:57:06

SL403場(chǎng)效應(yīng)管 -30V-70A N溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代QOD403

AO系列MOS。SL403場(chǎng)效應(yīng)管 -30V-70A N溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代QOD403【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必
2020-06-11 16:41:28

SL407 場(chǎng)效應(yīng)管 -60V-15A P溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代AOD407

。SL407 場(chǎng)效應(yīng)管 -60V-15A P溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代AOD407SL882220V7A17毫歐 TSSOP-8封裝優(yōu)勢(shì)替代AO8822SL4407-30A-13A11毫歐 SOP-8封裝 優(yōu)勢(shì)
2020-06-11 16:43:16

SL409場(chǎng)效應(yīng)管 -60-26A P溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代AOD409

AO系列MOS。SL409場(chǎng)效應(yīng)管 -60-26AP溝道功率MOS優(yōu)勢(shì)替代AOD409【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必
2020-06-11 16:44:37

SL4184 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管40V60A功率MOS

SL4184 40V60A 9毫歐TO-252SL4184 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管40V60A功率MOS深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-07-01 16:58:17

SL484場(chǎng)效應(yīng)管 30V41A N溝道功率MOS完美替代AOD484

AO系列MOS。L484場(chǎng)效應(yīng)管 30V41A N溝道功率MOS完美替代AOD484【 中低壓MOS替代AO系列】SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道優(yōu)勢(shì)替代
2020-06-12 10:43:52

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么?

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱Vmos或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W
2021-05-13 06:40:51

[求助]N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管作為開(kāi)關(guān)的問(wèn)題

&nbsp;Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管&nbsp;該電路實(shí)際動(dòng)作:當(dāng)接通220V交流電,開(kāi)關(guān)S為斷開(kāi)時(shí),Q1導(dǎo)通,燈亮;當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí),Q1截止,燈滅。問(wèn)題:即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04

三極/場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明

=0.01A=10mA,R1=(Uin-0.7V)/Ib=4.3V/10mA=430Ω,因此限流電阻R1必須選擇430Ω左右。2、場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制元件,場(chǎng)效應(yīng)管也分N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-01-15 15:33:15

三極/場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明

的基本原理及實(shí)例說(shuō)明  場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制元件,場(chǎng)效應(yīng)管也分N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)極,分別為:柵極G、漏極D和源極S。    場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)工作區(qū)間:可變電阻區(qū)、飽和區(qū)(恒流區(qū)
2021-03-15 15:12:32

三極場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么,三極會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極問(wèn)題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44

下圖電路場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎?

場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎?用的是P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管BSS84,電路如下,經(jīng)常GS間損壞,損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問(wèn)題嗎?是什么原因。
2019-10-18 22:00:33

低壓貼片MOS30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V12A SOP-8封裝內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝, 內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容
2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V12A SOP-8封裝內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝, 內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀
2020-10-14 15:18:58

功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

是正電壓或負(fù)電壓),改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量,從而改變ID的大小。VP為ID=0時(shí)的-VGS,稱為夾斷電 壓。除了上述采用P型硅作襯底形成N型導(dǎo)電溝道的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)外,也可用N型硅作襯底
2011-12-19 16:52:35

加濕器100V耐壓MOSTO-252 100V低結(jié)電容5A

55V12ASOP-8封裝 內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝,內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型
2020-09-23 09:42:17

原廠供應(yīng)60V100V150VMOS加濕器香薰機(jī)MOS

等型號(hào):HC012N06LS N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V12ASOP-8封裝內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝, 內(nèi)阻30mR,可用于加濕器
2020-10-16 17:22:55

國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 中低壓MOS廠家 開(kāi)關(guān)設(shè)備專用 低內(nèi)阻 結(jié)電容小 歡迎咨詢

深圳市森利威爾電子有限公司曾先生***QQ2355368875【中低壓MOS廠家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 廠家直銷大量現(xiàn)貨 量大價(jià)好 歡迎選購(gòu),低內(nèi)阻,結(jié)電容小,溝槽,性能好
2020-05-19 15:10:27

如何辯別場(chǎng)效應(yīng)管與三極

代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極。第二種命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15

惠海HC160N10LS香薰機(jī)MOS,100V5A 貼片MOS 原廠直銷

內(nèi)阻13mR型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝,內(nèi)阻30mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào):HC037N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2020-03-16 15:21:09

惠海直銷30V 60V 100V mosSOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos【低開(kāi)啟低結(jié)電容】

、控制器等型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V50ASOP-8封裝型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型
2020-11-02 15:36:23

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)及工作原理

)。這種結(jié)構(gòu)的管子稱為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,它在電路中用圖1(b)所示的符號(hào)表示,柵極上的箭頭表示柵-源極間的P+N結(jié)正向偏置時(shí),柵極電流的方向(由P區(qū)指向N區(qū))。N溝道JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖圖2如果在
2011-12-19 16:41:25

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的分類

1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。 為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是,利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏極電流ID。若UGS=0時(shí),源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS,UGS=0 時(shí),漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS
2019-09-30 09:02:16

這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管電路這樣接行不行?

如圖:這個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,這樣接行不行?
2023-11-26 22:22:46

聞名遐邇的ASEMI場(chǎng)效應(yīng)管15N120是什么工作原理

,PNP型也稱為P溝道型。從圖中可以看出,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極與N型半導(dǎo)體相連,P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極與P型半導(dǎo)體相連。我們知道一般的三極是通過(guò)輸入電流來(lái)控制輸出電流的。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管
2021-12-02 16:30:54

霧化器控制板低內(nèi)阻100V17A貼片MOS 低開(kāi)啟電壓,溫升低

等型號(hào):HC012N06LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 55V50ASOP-8封裝型號(hào):HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V30A(30N06)TO-252封裝,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型
2020-11-13 16:59:07

3DJ系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

3DJ系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 3DJ 系列場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見(jiàn)表16-1 。
2009-08-22 16:00:484462

CS系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

CS系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 CS系列結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見(jiàn)表16-2 。
2009-08-22 16:01:141026

P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。

P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:05:095134

N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)

N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其符號(hào)如圖4-1所示。其中圖4-1a為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖。
2009-09-16 09:31:249506

什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)

什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 為了適合大功率運(yùn)行,于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,即VMOS管。 VMOS管或功率
2010-03-05 15:42:384395

采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路

采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí),在驅(qū)動(dòng)控制IC的控制下,使V4、V1同時(shí)導(dǎo)通,V2、V3同時(shí)導(dǎo)通,且V4、V1導(dǎo)通時(shí),V2、V3截止,也就是說(shuō),V4、V1與V2、V3是交替導(dǎo)通
2012-04-05 11:34:2512338

場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)管驅(qū)動(dòng)電路

驅(qū)動(dòng)電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對(duì)小功率場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場(chǎng)效應(yīng)
2012-04-17 15:43:0419410

全部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的推挽功效

全部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的推挽功效說(shuō)明。
2021-04-10 09:52:3212

由RC電路和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路講解

下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 11:06:402145

一個(gè)由RC電路和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路分析

下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:131018

場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道

場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:176886

場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞

,因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和檢測(cè),以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的類型 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel FET)。這兩種類型的場(chǎng)效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理,但具有不同的尺寸和性能特征,
2023-09-02 11:31:243314

SVF4N65F TO-220F N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

SVF4N65FTO-220FN溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-11-16 15:11:271

MFB5N10 100V 7A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管

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2022-09-14 00:09:561

QH5N20K 200V 5A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管

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2022-09-14 00:12:172

QH9N20K 200V 9A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管

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2022-09-14 00:16:071

QH10N10 100V 7A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管

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2022-09-14 00:19:023

QH02N20E 200V 2A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管

QH02N20E200V2AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:44:250

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