片150mm晶圓的消耗量，這里還未統(tǒng)計(jì)其他手機(jī)制造商對(duì)功率器件、其他平臺(tái)對(duì)光電子應(yīng)用的需求量。碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫150mm晶圓的另一突出應(yīng)用領(lǐng)域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
2019-05-12 23:04:07
板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備半導(dǎo)體材料展區(qū)硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測(cè)材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等.一對(duì)一采購(gòu)對(duì)接會(huì)
2021-12-07 11:04:24
、Anadigics。GaAs是重要的化合物半導(dǎo)體材料。產(chǎn)業(yè)鏈上游為襯底制造，隨后是GaAs外延(使用MOCVD、MBE等外延技術(shù))。中游為晶圓加工和封測(cè)。下游為手機(jī)、基站等應(yīng)用。住友電工、Freiberger
2019-06-11 04:20:38
迎來(lái)廣泛應(yīng)用；SiC主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。超越摩爾：光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展摩爾定律放緩，集成電路發(fā)展分化。現(xiàn)在集成電路的發(fā)展
2019-05-06 10:04:10
。除了臺(tái)積電調(diào)漲價(jià)格，另一半導(dǎo)體巨頭三星也在近日表示，將調(diào)整其半導(dǎo)體晶圓的定價(jià)，以資助其在韓國(guó)平澤附近的S5晶圓廠的擴(kuò)張。這樣看，中芯國(guó)際漲價(jià)是不是也不遠(yuǎn)了？美信全線產(chǎn)品漲價(jià)6%芯片大廠Maxinm
2021-08-10 10:52:22
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。
2021-04-23 07:04:52
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問(wèn)題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問(wèn)題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
`本書主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述歸納總結(jié)。本手冊(cè)站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來(lái)分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-29 14:39:47
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358，歡迎加入！涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝及原料，有興趣的兄弟姐妹們加入了，500人的大家庭等著你...
2011-05-01 07:57:09
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
參考圖2-2。現(xiàn)今半導(dǎo)體業(yè)所使用之硅晶圓，大多以 {100} 硅晶圓為主。其可依導(dǎo)電雜質(zhì)之種類，再分為p型 (周期表III族) 與n型 (周期表V族)。由于硅晶外貌完全相同，晶圓制造廠因此在制作
2011-08-28 11:55:49
`半導(dǎo)體激光在晶圓固化領(lǐng)域的應(yīng)用1. 當(dāng)激光照射工件到上，能量集中，利用熱傳導(dǎo)固化，比用烤箱，烤爐等方式效率高。烤箱是把局部環(huán)境的空氣（或惰性氣體）加熱，再利用熱空氣傳導(dǎo)給工件來(lái)固化膠水。這種方式
2011-12-02 14:03:52
大增的刺激下，市場(chǎng)前景的預(yù)期下，三星和英特爾同樣瞄準(zhǔn)了未來(lái)的晶圓代工，并且都積極投入研發(fā)費(fèi)用及資本支出，由此對(duì)MAX2321EUP臺(tái)積電造成威脅。但據(jù)資料顯示，去年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)約年成長(zhǎng)5.1
2012-08-23 17:35:20
半導(dǎo)體廠產(chǎn)能利用率再拉高，去化不少硅晶圓存貨，加上庫(kù)存回補(bǔ)力道持續(xù)加強(qiáng)，業(yè)界指出，12吋硅晶圓第二季已供給吃緊，現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)走高且累計(jì)漲幅已達(dá)1～2成之間，合約價(jià)亦見(jiàn)止跌回升，8吋及6吋硅晶圓現(xiàn)貨價(jià)同步
2020-06-30 09:56:29
說(shuō)說(shuō)晶圓的主要原料。晶圓需要什么，需要硅。地球上第二豐富的元素是硅，而沙子、石頭里都含有硅（滿地都是硅，那為什么晶圓還缺呢！）。當(dāng)然這僅僅能說(shuō)沙子可以造晶圓，造CPU，芯片。如果真用沙子來(lái)做晶圓，提煉
2019-09-17 09:05:06
應(yīng)該花一點(diǎn)時(shí)間來(lái)讓大家了解一下半導(dǎo)體的2個(gè)基本生產(chǎn)參數(shù)—硅晶圓尺寸和蝕刻尺寸。 當(dāng)一個(gè)半導(dǎo)體制造者建造一個(gè)新芯片生產(chǎn)工廠時(shí)，你將通常看到它上在使用相關(guān)資料上使用這2個(gè)數(shù)字：硅晶圓尺寸和特性尺寸。硅晶
2011-12-01 16:16:40
(Intel)、AMD 等知名的科技公司。由于硅是半導(dǎo)體的主要原料，當(dāng)?shù)乇阌辛斯韫?Silicon Valley)的稱號(hào)。晶圓和芯片是如何制造的？1.從沙子里提煉出純硅2.將硅制成硅晶棒（過(guò)程稱為“長(zhǎng)晶
2022-09-06 16:54:23
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
` 硅是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過(guò)照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
的芯片。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費(fèi)會(huì)由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)。推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積。（5）晶圓的晶面（Wafer Crystal
2020-02-18 13:21:38
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
Higham表示：“一旦高功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場(chǎng)將會(huì)迎來(lái)大量機(jī)會(huì)。在商用微波爐、汽車照明和點(diǎn)火、等離子照明燈等設(shè)備市場(chǎng)，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達(dá)
2018-02-12 15:11:38
感動(dòng)上游晶圓代工業(yè)者再次友情贊助，LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格的調(diào)漲動(dòng)作已是勢(shì)在必行，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商指出，第4季價(jià)格漲幅應(yīng)會(huì)在10%以上，而且，這已是公司先吸收不少晶圓生產(chǎn)成本的結(jié)果，后續(xù)不排除MOSFET芯片價(jià)格還會(huì)持續(xù)上升。
2020-10-15 16:30:57
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來(lái)分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
、酸處理和廢物處理問(wèn)題等。雖然已經(jīng)發(fā)表了令人鼓舞的結(jié)果并且也可以使用商業(yè)工具，但目前在半導(dǎo)體行業(yè)中濕臭氧清潔技術(shù)的實(shí)施仍然有限。因此，本文的目的是作為系統(tǒng)審查 DI-O3 水應(yīng)用及其在晶圓中的優(yōu)勢(shì)的工具
2021-07-06 09:36:27
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
更大直徑的晶圓，一些公司仍在使用較小直徑的晶圓。半導(dǎo)體硅制備半導(dǎo)體器件和電路在半導(dǎo)體材料晶圓的表層形成，半導(dǎo)體材料通常是硅。這些晶圓的雜質(zhì)含量必須非常低，必須摻雜到指定的電阻率水平，必須是制定
2018-07-04 16:46:41
預(yù)告明年的存儲(chǔ)器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價(jià)格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
、3-三極管 第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
和數(shù)模混合集成電路供應(yīng)商。經(jīng)過(guò)一系列的產(chǎn)業(yè)并購(gòu)和持續(xù)的研發(fā)投入，公司集成電路產(chǎn)品業(yè)務(wù)的核心競(jìng)爭(zhēng)力不斷得到加強(qiáng)。公司致力于打造華大半導(dǎo)體旗下功率器件和模擬電路業(yè)務(wù)平臺(tái)，并行發(fā)展工控市場(chǎng)及海量市場(chǎng)業(yè)務(wù)
2023-06-09 14:52:24
滿足市場(chǎng)需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實(shí)現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來(lái)越成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說(shuō)寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
，目前半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)正向晶圓級(jí)封裝方向發(fā)展。它是一種常用的提高硅片集成度的方法，具有降低測(cè)試和封裝成本，降低引線電感，提高電容特性，改良散熱通道，降低貼裝高度等優(yōu)點(diǎn)。借用下面這個(gè)例子來(lái)理解晶圓級(jí)封裝
2011-12-01 13:58:36
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪問(wèn)了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開設(shè)了一個(gè)新建的8英寸功率
2018-10-25 08:57:58
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
出現(xiàn)MOSFET等功率半導(dǎo)體供貨緊張的重要原因之一。臺(tái)媒透露，金氧半場(chǎng)效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導(dǎo)體下半年恐再現(xiàn)缺貨潮，IDM廠及IC設(shè)計(jì)廠均大動(dòng)作爭(zhēng)搶晶圓代工產(chǎn)能
2018-06-13 16:08:24
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導(dǎo)體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進(jìn)新一.代更高集成度的開關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對(duì) GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
圓說(shuō)看好硅晶圓價(jià)格在今年下半年將持續(xù)漲，在去年第四季及今年首季并購(gòu)一系列事情后，首季應(yīng)是環(huán)球晶圓今年谷底，未來(lái)應(yīng)會(huì)逐季向上。不過(guò)環(huán)球晶首季并購(gòu)美商SunEdison半導(dǎo)體事業(yè)，稅率因而拉升至44%，令
2017-06-14 11:34:20
半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-10 17:34:31
、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲?guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年，聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39
、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲?guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年，聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時(shí)更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)。 3 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
批量生產(chǎn)中的混合信號(hào)電路。該方法尚未成功應(yīng)用于垂直半導(dǎo)體器件。微調(diào)技術(shù)難以應(yīng)用于垂直半導(dǎo)體器件的原因是，構(gòu)成垂直器件的內(nèi)部單元在晶圓的底部都有一個(gè)共同的連接。為了在具有公共端子的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)修整，正在
2023-02-27 10:02:15
為持續(xù)應(yīng)對(duì)便攜式產(chǎn)品業(yè)對(duì)分立元件封裝的進(jìn)一步小型化的需求，安森美半導(dǎo)體（ON SEMICONDUCTOR）推出封裝僅為1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三種新型肖特基
2008-06-12 10:01:54
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來(lái)，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見(jiàn)表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
對(duì)于低噪聲放大器、功率放大器與開關(guān)器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。氮化鎵GaN氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs
2016-09-15 11:28:41
`中國(guó)，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布 了2018 年可持續(xù)
2018-05-29 10:32:58
）iPhone 8新機(jī)料源，一路追價(jià)搶料，業(yè)者預(yù)計(jì)第2季12吋硅晶圓價(jià)格將再上漲15%，且可望一路漲到2018年，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈恐進(jìn)入萬(wàn)物皆漲的時(shí)代。“包括存儲(chǔ)、攝像頭模組，上游產(chǎn)能事實(shí)上沒(méi)有變化，但是用量
2017-02-09 14:43:27
這些可持續(xù)性項(xiàng)目是安森美半導(dǎo)體企業(yè)社會(huì)責(zé)任活動(dòng)的重要一環(huán)。每年，我們都會(huì)跟蹤150多個(gè)以減少碳排放、降低能耗、節(jié)水、減少使用化學(xué)品和減少?gòu)U物產(chǎn)生為目標(biāo)的項(xiàng)目。安森美半導(dǎo)體的企業(yè)社會(huì)責(zé)任大部分建基于我
2018-10-26 08:53:09
最新估計(jì)表明,到2050年我們所需要的能源可能會(huì)達(dá)到現(xiàn)有能源的兩倍。礦物燃料的有害影響和隱約出現(xiàn)的短缺促使人們最近開始加速尋找環(huán)境友好型、可持續(xù)發(fā)展的新能源。【關(guān)鍵詞】：可再生能源,功率,可持續(xù)能源
2010-05-04 08:06:22
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
被稱為后工序。晶圓多指單晶硅圓片，由普通硅沙拉制提煉而成，是最常用的半導(dǎo)體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格，近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格。晶圓越大，同一圓片上可生產(chǎn)的IC就多，可
2008-09-23 15:43:09
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
;nbsp; 用激光對(duì)晶圓進(jìn)行精密劃片是晶圓-尤其是易碎的單晶半導(dǎo)體晶圓如硅晶圓刀片機(jī)械劃片裂片的替代工藝。激光能對(duì)所有
2010-01-13 17:01:57
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
的一種最具有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
其他電子設(shè)備的一部分。芯片（chip）就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是 集成電路（IC， integrated circuit）的載體，由晶圓分割而成。硅片是一塊很小的硅，內(nèi)含集成電路，它是計(jì)算機(jī)或者其他
2020-02-18 13:23:44
氧半場(chǎng)效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導(dǎo)體下半年恐現(xiàn)缺貨潮，IDM廠及IC設(shè)計(jì)廠均大動(dòng)作爭(zhēng)搶晶圓代工產(chǎn)能，包括茂矽、漢磊、世界先進(jìn)、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到
2018-06-12 15:24:22
氧化鋯基氧化鋁 - 半導(dǎo)體晶圓研磨粉 (AZ) 系列半導(dǎo)體晶圓研磨粉是一種細(xì)粉磨料，是作為需要高精度的包裹材料而開發(fā)的。原材料粒度分布尖銳，粒度穩(wěn)定，形狀呈塊狀。再以熔融氧化鋁為原料，鋯英
2022-05-31 14:21:38
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
功率半導(dǎo)體器件鳥瞰
當(dāng)代功率半導(dǎo)體器件大致可以分成三類：一是傳統(tǒng)的各類晶閘管；二是近二十年來(lái)發(fā)展起來(lái)的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:21
1672 
自2018年開始，功率MOSFET的平均售價(jià)持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過(guò)400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度最顯著，已位居價(jià)格中的首位。
2019-07-05 14:52:445040 
午后芯片、半導(dǎo)體股再度走高，瀾起科技大漲近20%、捷捷微電封漲停，股價(jià)創(chuàng)歷史新高，富滿電子、三安光電、上海新陽(yáng)、中環(huán)股份等多只個(gè)股沖高。
2020-02-07 16:48:231896 美東時(shí)間周四（14日），美股三大指數(shù)集體收跌，芯片股逆市走高，其中半導(dǎo)體全球龍頭臺(tái)積電強(qiáng)勢(shì)大漲6%，盤中一度漲超12%，收盤站上126.45美元/股的歷史新高。
2021-01-15 10:56:551763 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068 
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