也許，在你的日記里，今天（2月7日）相當沉悶和平常，你覺得這是生命中普通的一天，但一百年前的今天可有一件大事發生，在這一天，我國半導體材料之母——林蘭英先生出生了。

作為我國半導體材料科學的奠基人與開拓者，林蘭英兢兢業業地為半導體材料事業傾注了畢生心血，正因為她們這些科學家的努力，我國的半導體材料領域才能彎道超車，迎頭趕上世界前列水平。

一、來之不易的求學機會

1918年2月7日，在福建莆田林潤故居的最后一進院子里，被稱為“九牧林家”、“媽祖后人”的名門望族——林氏，誕生了一個女嬰。新生命的出世并沒有給這個大家族帶來歡笑，因為這是一個“嬸娘仔鬼”（當地方言，意指女孩）。

在舊中國，重男輕女之風橫行，福建地區尤甚，當地甚至從宋朝開始就有溺死女嬰的惡習。在這樣的環境下出世的女嬰，其祖父的失望可想而知。盡管如此，老人家還是履行了祖父的職責，為女嬰起名為“蘭英”。

林蘭英的父親林劍華長期在外：先在上海大學文學系讀書，之后在南昌《國民日報》當編輯，母親則留在福建老家照顧老人和孩子。母親沒怎么受過教育，因為陳腐的觀念不讓小英子上學。為了獲得上學的機會，倔強的她把自己反鎖在屋里，近三天不吃不喝，絕食以死相逼才得到母親的應允，終于獲得了和男孩子一樣的學習機會。

林蘭英（右二）和家人

二、在異國他鄉奮發進取

林蘭英讀書認真刻苦，因為是女孩子的原因，求學路上也經歷了很多磨難，但她都克服堅持了下來，最終憑借優異的成績考入福建協和大學。大學畢業后，林蘭英留校任教，由于表現優異，獲得出國留學機會。

留學期間，林蘭英的導師非常賞識她，有感于人才難得，要推薦她去芝加哥大學讀數學博士學位。但經過深思熟慮后，林蘭英認為，當時貧窮落后的祖國，最為需要、最為適用的，還是物理。想想看，天上飛的，地下跑的，水中“游”的，乃至修一座高樓，建一座城市，都與物理密切相關。對祖國飽含深情的林蘭英，不應是想學什么，而應是該學什么，一切服從祖國建設事業的迫切需要。

因此林蘭英決定：謝絕教授的好意，中斷在數學王國里的遨游，于1949年秋，前往賓大研究院，致力于固體物理學的研究。適逢美國貝爾實驗室的物理學家運用固體物理理論解釋了半導體現象，并與冶金技術結合制成了世界上第一塊半導體鍺單晶，轟動了全世界。正在學習固體物理的林蘭英，迅速發現這項研究對國家戰略的巨大意義，開始了對半導體材料的研究。

時光冉冉，經過五年的學習，于1955年夏，林蘭英成為賓夕法尼亞大學建校115年來的第一位中國博士，也是該校有史以來的第一位女博士。

林蘭英博士畢業照

三、毅然回國，在祖國科學園地里辛勤耕耘

博士畢業后，林蘭英沖破重重阻撓，毅然投身到祖國的懷抱。雖然她的積蓄全被美國當局扣押，回國后已經身無分文，但她還是毅然將自己冒險帶回來的“藥”——價值20多萬元的500克鍺單晶和100克硅單晶，無償地贈給了中國科學院，成了我國半導體科學工作者求之不得的無價之寶。

黨和國家對回國的林蘭英博士高度重視，安排她去中科院應用物理所工作。在應用物理所，林蘭英第一個目標就是：拉制出屬于中國的第一根硅單晶！當時新中國百廢待興，制取硅單晶最需要的保護氣——氬氣更是稀缺，這種氣體國內不能生產，又被列在國外的禁運名單上。最終，林蘭英想出了抽真空的方法，并且把她在美國發明的籽晶保護罩運用到了制造過程中。1958年，在她的努力下，拉制出了中國第一根硅單晶。

1961年，她又把目光投向了硅外延材料的研制。這是一種具有兩層硅單晶結構的材料，具有非常重要的戰略意義。在硅單晶的基礎上，她又一次成功了。這種硅外延材料制作的一些新型硅器件，使得軍用雷達、電臺、遙感測量儀器等更為精確可靠。值得一提的是，這種材料在第一顆原子彈的制造過程中發揮了不可忽視的作用。林蘭英也因此成為了為“兩彈一星”作出重要貢獻的科學家之一。

終身未婚的林蘭英，生活的軌跡基本就是在家和單位之間，全身心投入到了我國的半導體事業當中。先后負責研制出中國第一根單晶硅、第一臺高壓單晶爐、第一片單異質結 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片雙異質結 SOI 外延材料。因此四次獲中科院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科技進步二、三等獎，1996年獲何梁何利科技進步獎，1998年獲霍英東成就獎。她的工作極大推進了我國半導體材料的研究高度，為微電子和光電子學的發展奠定了基礎，為我國太空事業做出巨大貢獻。她還培養了包括吳德馨、王占元兩位院士在內的大批優秀科研工作者。

2003年3月4日下午1時36分，林蘭英院士與世長辭，享年85歲。