BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。隨著技術(shù)的進(jìn)步，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴(yán)格。為了滿足發(fā)展的需要，BGA封裝開始被應(yīng)用于生產(chǎn)。

采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA的引腳（凸點(diǎn)）中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC（見OMPAC和GPAC）。

2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起（緩沖墊）以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。

3、碰焊PGA（buttjointpingridarray）表面貼裝型PGA的別稱（見表面貼裝型PGA）。

4、C－（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP（數(shù)字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G（G即玻璃密封的意思）。

6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G（見QFJ）

8、COB（chiponboard板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)

9、DFP（dualflatpackage）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）。

11、DIL（dualin-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

12、DIP封裝，是dual inline-pin package的縮寫，也叫雙列直插式封裝技術(shù)，雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。指采用雙列直插形式封裝 的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100。 　　DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然，也可 DIP封裝

以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心，以免損壞管腳。DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式）等。

13、DSO（dualsmallout-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

14、DICP（dualtapecarrierpackage）雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機(jī)械工業(yè)）會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。

15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名（見DTCP）。

16、FP（flatpackage）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美國Motorola公司對BGA的別稱（見BGA）。

20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。

21、H-（withheatsink）表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

22、PGA： （Pin-Grid Array，引腳網(wǎng)格陣列）一種芯片封裝形式，缺點(diǎn)是耗電量大。

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。

為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PGA。

另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA（碰焊PGA）。23、JLCC（J-leadedchipcarrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

24、LCC（Leadlesschipcarrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。

是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。

25、LGA（landgridarray）觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)（1.27mm中心距）和447觸點(diǎn)（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對其需求會有所增加。

26、LOC（leadonchip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。

27、LQFP（lowprofilequadflatpackage）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

28、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。

29、多芯片模塊。多芯片組件。在這種技術(shù)中，IC模片不是安裝在單獨(dú)的塑料或陶瓷封裝（外殼）里，而是把高速子系統(tǒng)（如處理器和它得高速緩存）的IC模片直接綁定到基座上，這種基座包含多個(gè)層所所需的連接。MCM是密封的，并且有自己的用于連接電源和接地的外部引腳，以及所處系統(tǒng)所需要的那些信號線。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術(shù)。CM是在混合集成電路技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一項(xiàng)微電子技術(shù)，其與混合集成電路產(chǎn)品并沒有本質(zhì)的區(qū)別，只不過MCM具有更高的性能、更多的功能和更小的體積，可以說MCM屬于高級混合集成電路產(chǎn)品。

MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使

用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al 作為基板的組件。

布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。