LED照明和背光燈技術在近十幾年已經取得了顯著的進步，作為公認的新型下一代綠色光源，LED光源已出現在傳統照明等領域，但LED光源尚存在很多沒有解決的問題。

其中包括一致性較差、成本較高和可靠性差等，其中最主要的問題就是穩定性和可靠性問題。雖然目前預測LED光源的壽命超過5萬小時。但這個壽命指的是理論壽命，光源在25℃下的使用壽命。在實際使用過程中，會遇到高溫、高濕等惡劣環境，放大LED光源缺陷，加速材料老化，使LED光源快速失效。

失效模式的物理機理

LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結構上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么， LED失效的模式和物理機制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進行討論。

表1 LED燈珠失效模式

引起LED芯片失效的因素主要包括：靜電、電流和溫度。

靜電放電可釋放瞬間超高電壓，給LED芯片帶來很大的危害，ESD導致的LED芯片失效分為軟失效和硬失效兩種模式。由靜電帶來的高電壓/電流導致LED芯片短路成為硬失效模式。LED芯片短路的原因是過高的電壓使電解質破裂，或者過高的電流密度是芯片中產生電流通路。

靜電釋放稍微低一些的電壓/電流會導致LED芯片的軟失效。軟失效通常伴隨著芯片反向漏電流的減小，這可能是由于高反向電流使一部分漏電流的路徑消失引起的。相比于垂直LED芯片，靜電對水平LED芯片的危害較大。因為水平LED芯片的電極在芯片同一側，靜電產生的瞬間高電壓更容易使芯片上的電極短路，從而引起LED芯片失效。

大電流也會帶來LED芯片的失效：一方面大電流會帶來比較高的結溫；另一方面，具有高動力能的電子進入了PN結會使Mg-H鍵和Ga-N鍵斷裂。

Mg-H鍵的斷裂會進一步激活p層的載流子，使LED芯片在老化開始時有一個光功率上升階段，而Ga-N鍵的斷裂會形成氮空位。氮空位增加了非輻射復合的可能性，從而解釋了器件的光功率的衰減。氮空位的形成要達到平衡時一個很漫長的過程，這是LED芯片緩慢老化的主要原因。

同時，大電流會帶來LED芯片內部的電流擁擠，LED芯片內的缺陷密度越大，電流擁擠的現象越嚴重。過大的電流密度會引起金屬的電遷移現象，使得LED芯片失效。另外InGaN發光二極管在電流和溫度雙重作用下，在有效摻雜的p層中還會出現很不穩定的Mg-H2復合物。

溫度對LED芯片的影響主要是使內量子效率降低和LED芯片壽命變短。這是因為內量子效率是溫度函數，溫度越高內量子效率越低，同時，溫度對材料的老化作用會使歐姆接觸和LED芯片內部材料的性能變差。另外，高的結溫使得芯片內溫度分布不均勻，產生應變，從而降低內量子效率和芯片的可靠性。熱應力大到一定程度，還可能造成LED芯片破裂。

引起LED封裝失效的因素主要包括：溫度、濕度和電壓。

目前，研究的最為深入和廣泛的是溫度對LED封裝可靠性的影響。溫度使LED模塊及系統失效的原因在于以下幾個方面：

（1）高溫會使封裝材料降解加快、性能下降；

（2）結溫對LED的性能會產生很大的影響。過高的結溫會使熒光粉層燒黑碳化，使得LED光效急劇降低或造成災難性失效。另外，由于硅膠和熒光粉顆粒之間的折射率和熱膨脹系數不匹配，過高的溫度會使熒光粉的轉換效率下降，并且摻的熒光粉比例越高，光效下降的越厲害；

（3）由于封裝材料之間熱傳導系數的不匹配，溫度梯度和溫度分布的不均勻，材料內部可能產生裂紋或者在材料之間界面產生脫層。這些裂紋及脫層都會引起光效下降，芯片、熒光粉層之間的脫層可使取光效率下降，熒光粉層與灌封硅膠之間的脫層最高可使取光效率下降20%以上。硅膠與基板之間的脫層甚至有可能導致金線斷裂，造成災難性失效。

通過有關高濕環境實驗研究發現，濕氣的侵入不但使得LED光效下降，而且有可能導致LED的災難性失效。通過85℃/ 85%RH高溫高濕可靠性加速實驗研究發現，濕氣在分層缺陷的形成中起著重要的作用，分層現象的產生使得LED的光效下降，不同芯片表面粗糙不同導致了不同的失效模式。