MEMS封裝技術(shù)主要源于IC封裝技術(shù)。IC封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和水平代表了整個(gè)封裝技術(shù)（包括MEMS封裝和光電子器件封裝）的發(fā)展歷程及水平。MEMS中的許多封裝形式源于IC封裝。目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無(wú)引線陶瓷芯片載體封裝（LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier）、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等，在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝（BGA-Ball Grid Array）、倒裝芯片技術(shù)（FCT-Flip Chip Technology）、芯片尺寸封裝（CSP-Chip Size Package）和多芯片模塊封裝（MCM-Multi-Chip Module）已經(jīng)逐漸成為MEMS封裝中的主流。BGA封裝的主要優(yōu)點(diǎn)是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP（四邊扁平封裝）相比，在相同端子情況下，增加了端子間距（1.00mm，1.27mm，1.50mm），大大改善了組裝性能，才使它得以發(fā)展和推廣應(yīng)用。21世紀(jì)BGA將成為電路組件的主流基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。

　　從某種意義上講，F(xiàn)CT是一種芯片級(jí)互連技術(shù)（其它互連技術(shù)還有引線鍵合、載帶自動(dòng)鍵合），但是它由于具有高性能、高I/O數(shù)和低成本的特點(diǎn)，特別是其作為“裸芯片”的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種MEMS封裝中。CSP的英文含義是封裝尺寸與裸芯片相同或封裝尺寸比裸芯片稍大。日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)CSP規(guī)定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大于80%。CSP與BGA結(jié)構(gòu)基本一樣，只是錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了，這樣在相同封裝尺寸時(shí)可有更多的I/O數(shù)，使組裝密度進(jìn)一步提高，可以說(shuō)CSP是縮小了的BGA。

　　在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連（High Density Interconnect簡(jiǎn)稱HDI）和微芯片模塊D型（Micro Chip Module D簡(jiǎn)稱MCM-D）封裝技術(shù)。高密度互連（HDI）MEMS封裝的特點(diǎn)是把芯片埋進(jìn)襯底的空腔內(nèi)，在芯片上部做出薄膜互連結(jié)構(gòu)。而微模塊系統(tǒng)MCM-D封裝是比較傳統(tǒng)的封裝形式，它的芯片位于襯底的頂部，芯片和襯底間的互連是通過引線鍵合實(shí)現(xiàn)。HDI工藝對(duì)MEMS封裝來(lái)說(shuō)有很大的優(yōu)越性。由于相對(duì)于引線鍵合來(lái)說(shuō)使用了直接金屬化，芯片互連僅產(chǎn)生很低的寄生電容和電感，工作頻率可達(dá)1GHz以上。HDI還可以擴(kuò)展到三維封裝，并且焊點(diǎn)可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復(fù)的特性。
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